一ノ瀬 昇 (イチノセ ノボル)

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所属

理工学術院

職名

名誉教授

学歴 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1959年

    早稲田大学   理工学部   応用物理  

  •  
    -
    1959年

    早稲田大学   Faculty of Science and Engineering  

学位 【 表示 / 非表示

  • 早稲田大学   博士(理学)

  • 理学博士

所属学協会 【 表示 / 非表示

  •  
     
     

    電気化学会

  •  
     
     

    IEEE

  •  
     
     

    次世代センサ協議会

  •  
     
     

    日本電子材料 技術協会

  •  
     
     

    電子情報通信学会

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研究分野 【 表示 / 非表示

  • 無機材料、物性

研究キーワード 【 表示 / 非表示

  • 電子セラミックス

  • 機能性材料

  • セラミック材料

  • 機能性セラミックス

Misc 【 表示 / 非表示

  • 特集LEDデバイスと応用技術 [総論] LEDの展望

    月刊ディスプレイ   10;.1  2004年

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    2004-2004

  • Effect of internal radiative heat transfer on spoke pattern on oxide melt surface in Czochralski crystal growth

    CJ Jing, A Hayashi, M Kobayashi, T Tsukada, M Hozawa, N Imaishi, K Shimamura, N Ichinose

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   259 ( 4 ) 367 - 373  2003年12月

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    The effect of internal radiative heat transfer on the spoke pattern observed on an oxide melt surface was investigated by means of a three-dimensional numerical simulation of LiNbO3 melt flow in an open Czochralski crucible. In the mathematical model, the assumptions that the melt was an incompressible Newtonian Boussinesq fluid, the flow was laminar and the melt free surface was flat were adopted. The crucible wall was assumed to be heated by a constant heat flux. The Marangoni effect on the melt free surface was taken into account. When the internal radiative heat transfer was ignored, i.e., the melt was assumed to be opaque, a spoke pattern was generated and the bulk melt flow was oscillatory; otherwise, the internal radiative heat transfer decreased the temperature gradient and hence suppressed the Marangoni instability, and consequently, the spoke pattern disappeared and the melt flow became steady and axisymmetric. The investigation provided one theoretical explanation for the experimental phenomenon observed by Okano et al. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Temperature dependence of the electrical and electromechanical properties of lead zirconate titanate thin films

    H Maiwa, SH Kim, N Ichinose

    APPLIED PHYSICS LETTERS   83 ( 21 ) 4396 - 4398  2003年11月

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    The temperature dependence of the electrical and electromechanical properties of Pb(Zr,Ti)O-3 (PZT) (Zr/Ti=30/70, 52/48, and 70/30) thin films are investigated. The 1-mum-thick PZT thin films were prepared on (111)Pt/Ti/SiO2/Si substrates by chemical solution deposition. The temperature dependence of the dielectric and ferroelectric properties of the films were measured in the temperature range from -250 to 150 degreesC. The temperature-dependent strain loops from PZT films were measured using scanning probe microscopy in the temperature range from -100 to 150 degreesC. The field-induced displacement increased with increase of the temperature; however, their temperature dependence was relatively small, compared with that reported for bulk PZT ceramics. The results indicate that a thermally activated extrinsic ferroelastic contribution is not predominant in thin PZT films. (C) 2003 American Institute of Physics.

    DOI

  • Growth of single crystals of high-Curie-temperature Pb(In1/2Nb1/2)O-3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-PbTiO3 ternary systems near morphotropic phase boundary

    Y Hosono, Y Yamashita, H Sakamoto, N Ichinose

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 9A ) 5681 - 5686  2003年09月

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    Crystal growth in xPb(In1/2Nb1/2)O-3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O-3-zPbTiO(3) (PIMNT100x/100y/100z) ternary systems near the morphotropic phase boundary was investigated by the conventional flux method using PbO and PbO-B2O3 flux. The PIMNT crystals were obtained easily by the slow cooling of a 50PIMNT:40PbO:10B(2)O(3) (mol%) molten solution from 1230degreesC to 850degreesC. The PbO-B2O3 flux is effective for PIMNT single crystal growth. The largest PIMNT 16/51/33 crystal had dimensions of about 20mm x 10mm x 5 mm. The (001) wafers cut from the obtained crystal had transparent and opaque areas. The electron probe X-ray microanalysis (EPMA) results revealed that the compositions of the two areas differ slightly; the Ti content in the opaque area is lower than that in the transparent area. The temperature dependence of the dielectric constant showed a maximum at the tetragonal to cubic phase-transition temperature (T-c = 187degreesC), which is 30degreesC-40degreesC higher than that for a 0.68Pb(Mg1/3Nb1/3)O-3-0.32PbTiO(3) (PMNT 68/32) single crystal. A dielectric constant (epsilon(33)(T)/epsilon(0)) of 4000, a coercive field (E-c) of 7.0kV/cm, an electromechanical coupling factor (k(33)') of 80%, and a frequency constant (N-33'r) Of 1160Hzm were obtained.

    DOI

  • Ab initio study of divalent 3d transition metal impurities in KMgF3 and BaLiF3

    T Nishimatsu, N Terakubo, H Mizuseki, Y Kawazoe, DA Pawlak, K Shimamura, N Ichinose, T Fukuda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 8 ) 5082 - 5085  2003年08月

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    Divalent 3d transition metal impurities (V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, and Cu) in KMgF3 and BaLiF3 have been investigated by local-spin-density approximation (LSDA)-based ab initio calculations using an ultrasoft pseudopotential method and a planewave basis set. The results of numerical calculations show that the 3d transition metal impurities exhibit mid-gap levels and that the electronic transition from impurity levels to the conduction band results from the absorption of vacuum ultraviolet (VUV) light with energy lower than band-gap width. Therefore, 3d transition metal contaminations in KMgF3 and BaLiF3 should be avoided for VUV lithographic lens applications.

    DOI

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産業財産権 【 表示 / 非表示

  • タンパク質担持リン酸カルシウム、その製造方法及びそれを用いたタンパク徐放体、人工骨及び組織工学スキャフォールド

    特許権

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    特開2004-173795

  • 亜鉛徐放性リン酸カルシウムを用いた硬化性骨補填剤及び皮膚欠損治療用剤

    特許権

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    特開2004-175760

Works(作品等) 【 表示 / 非表示

  • 日本国特許(第2708160号)フェライトの製造方法

    1997年
    -
     

  • 日本国特許(特願平9-342033)亜鉛含有リン酸三カルシウムからなるセラミックス及び亜鉛除放性生体セラミックス

    1997年
    -
     

  • U. S. Patent(No. 5,693,886), Pressure Sensor

    1997年
    -
     

  • 日本国特許(特願平7-192708)感圧センサー

    1995年
    -
     

  • 日本国特許(特願平7-192707)感圧センサー

    1995年
    -
     

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受賞 【 表示 / 非表示

  • American Ceramic Society Fellow

    1994年  

  • 照明学会 研究業績賞

    1993年  

  • 窯業協会賞(技術賞)

    1985年  

  • Richard M.Fulrath Award(American Ceramic Society)

    1977年  

  • 粉体粉末冶金協会技術賞

    1975年  

共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 / 非表示

  • バイオセラミックス

  • 機能性無機単結晶材料

  • 機能性セラミック材料

  • 半導体セラミッナスに関する研究

  • 高熱伝導セラミックスに関する研究

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特定課題研究 【 表示 / 非表示

  • 光エネルギー変換セラミック材料の実証試験研究

    2000年  

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     材料、特にセラミック材料において、エネルギー変換に関する現象は極めて多い。エネルギーの形態の分類はいろいろな考え方があるが、エネルギーが移動するときの形態に重点を置いて分類すると、力学的エネルギー、熱エネルギー、電磁気エネルギーなどがある。セラミック材料を媒体としてこれらのエネルギー相互変換のほとんどすべての過程が可能である。 エネルギー変換作用を利用するに当たっては、変換にあずかるエネルギーの量や質によっていろいろな過程が存在する。一つは電力源としての電気エネルギーを取り出すような場合で、大きな量のエネルギーが関与する過程であり、変換効率の向上が重要な問題となる。また信頼性、材料コストなども問題となる。 本研究の目的は、セラミック材料をエネルギー変換材料に適用し高度なセラミックプロス技術を導入することにより高性能化を計るものである。特に光エネルギー変換材料の創製を行うことが本研究の主目的である。本研究で得られた結果は次の通り。1)発光管材料の高性能化:従来の透光性アルミナに比べ新規に開発した透光性YAG(Y3Al5O12)は直線透過率が大幅に向上し、また耐ナトリウム性が優れており、新しい発光管として有用であることがわかった。2)赤外線反射膜の高効率化:赤外線反射膜として従来のTiO2-SiO2系に対してLa2O3-TiO2-SiO2多元系は効率が改善され有望であることがわかった。3)光触媒材料の開発:従来のTiO2触媒に代るものとしてZnO系を検討した。ZnO単結晶を用いその(0001)表面をCAICISS,AFMなどで調べ、格子緩和を観測した。ZnO単結晶表面の基礎研究からZnO系材料は触媒として可能性があることがわかった。

  • 高性能エネルギー変換セラミック材料の戦略研究

    1997年   北田 韶彦, 小山 泰正

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    本研究は、セラミック材料をエネルギー変換に適用し、高度なセラミックプロセス技術を導入することにより高性能化を計ることを目的としている。また、新規な高効率圧電変換、熱電変換、電気化学変換材料の創製を行うことも本研究の主目的である。以下得られた研究成果をまとめると次のようになる。1) 圧電変換材料 従来のチタンジルコン酸鉛(PZT)系圧電材料に代わる高性能材料が要望されていたがここ40年ぐらいはPZTを凌ぐ材料は得られていなかった。今回、Pb(Sc1/2Nb1/2)O3リラクサ系強誘電体をベースにしたPb(Sc1/2Nb1/2)O3- Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3三成分系材料で電気機械結合係数kpがPZT系の65%を越える72%のものを得ることができた。新材料の開発により超音波診断装置用プローブの大幅な性能向上が見込まれる。2) 熱電変換材料 高温用熱電変換材料にはFeSi2が知られている。しかし、この材料の熱電能の温度特性はFeとSiの組成比をFeSix(x=1.5-2.2)と変えることにより広範な温度範囲で性能を高めることができる。従って、ここでは組成比を変えたものを傾斜化させた、傾斜組成熱電材料を検討することによってFeSi2単体より50%程度の性能改善を実現することができた。3) 電気化学変換材料 最近Li2次電池が実用化され、電池の小型、長寿命化が加速的に進んでいる。Li2次電池の正極材料にはLiCoO2, LiMn2O4などが主流になりつつある。ここでは、LiMn2O4などスピネル型構造のB位置のMnをFeやVで置換したLiMn2-xMxO4(M=Fe, V)で性能改善を計ることができた。研究成果の発表1) H. Maiwa and N. IchinosePreparation of Bi4Ti3O12Thin Films by Electron Cyclotron Resonance Sputtering Proc. of Pac-Rim Conf. on Ferroelectric Applications, 67-70, 19962) Y. Yamashita, K. Harada, T. Tao and N. IchinosePiezoelectric Conductivity of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3Proc. of Pac-Rim Conf. on Ferroelectric Applications, 129-132, 19963) N. Ichinose and Y. NakaiElectrical Conductivity of V5O5-SrO-B2O3 GlassesJ. Non-Crystalline Solids 203 353-358, 19964) N. Ichinose, T. Tao and Y. YamashitaPreparation of Piezoelectric Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Solid Solution CeramicsProc. of World Cong. on Chem. Eng., 659-664, 19965) N. Ichinose, K. Yamaji, Y. Matsui and J. TanakaElectrical Properties of SrTiO3-BicrystalsProc. of Int. Conf. on Electronic Ceramics and Applications, Vol. 2 537-540, 19966) N. Ichinose and M. NomuraElectrical Properties of (Bi, La)4Ti3O12 Based Thin Films Prepared by RF SputteringJpn. J. Appl. Phys., 35(1996) 4960-4962, 19967) H. Maiwa and N. IchinoseDielectric Properties of (Pb, La)TiO3 Thin Films by Multiple-Cathode Sputtering and Its Application to Dynamic Random Access Memory Capacitors Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996) 4976-4979, 19968) N. Ichinose and T. OgiwaraRapid Thermal Annealing Effect of (Ba, Sr)TiO3Thin Films Ferroelectrics., 196 9-16, 19979) Y. Yamashita, Y. Hosono and N. IchinosePhase Stabillity, Dielectric and Piezoelectric Properties of the Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Ternary Ceramic Materials Jpn. J. Appl. Phys., 36 1141-1145, 199710) 一ノ瀬 昇、羽田 肇フロンティアセラミックスプロジェクトの概要ニューセラミックス、No. 6 9-15, 199711) 一ノ瀬 昇セラミック・ガラス(1)照明学会誌、No. 8B743, 199712) N. Ichinose and M. WatanabeFatigue Characteristics of SrBi2Ta2O9 Thin Films by Magnetron Sputtering Method Jpn. J. Appl. Phys., 36 5893-5895, 199713) N. Ichinose and H. YamamotoEffect of Additives on Microwave Dielectric Properties in Low-Temperature Firing (Mg, Ca) TiO3 Based Ceramics Ferroelectrics 201 255-262, 199714) N. IchinoseAging Properties of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 Based Relaxor Ferroelectrics Ferroelectrics 203 187-199, 199715) Y. Koyama, M. Hatano and M. TanimuraAntiphase Boundaries, Inversion, and Ferroelastic Domains in the Striped-type Superstructure of γ-brass Cu-Al AlloysPhys. Rev. B53 11462-11468, 199616) M. Tanimura Y. Inoue, Y. KoyamaChange in Microstructure during Aging at 1273K in Ti-40at.% Al AlloyMater. Trans. JIM, 37 1190-1196, 199617) C. Sato, T. Yokota, K. Sato and Y. KoyamaModulated Structure in Al65Cu20Fe15-xMnx Alloys, studied by Transmission Electron MicroscopyMater. Trans. JIM, 37 1214-1218, 199618) K. Ito, Y. Koyama, Y. Inoue, Y. Maeno and T. FujitaLow-temperature Structure Transitions and Tc-suppression in La2-x-yBaxNdyCuO4Advances in Superconductivity VIII, 239-242, 199619) Y. Inoue, M. Hara, Y. Koyama, Y. Maeno and T. FujitaFeatures of Microstructure in Sr2RuO4Advances in Superconductivity VIII, 243-246, 199620) A. KitadaNote on the Topologization of Polycrystal J. Phys. Soc. Japan 65 331, 1996

 

委員歴 【 表示 / 非表示

  • 1999年
    -
     

    IEEE  Japan Chapter of CPMT chairman

  • 1999年
    -
     

    日本セラミックス協会  常任理事,会長

  • 1996年
    -
     

    日本電子材料 技術協会  会長

  • 1996年
    -
     

    粉体粉末冶金協会  理事

  • 1995年
    -
     

    次世代センサ協議会  理事

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