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写真a

 
ICHINOSE, Noboru
 
Affiliation
Faculty of Science and Engineering
Job title
Professor Emeritus
Degree
(BLANK)
博士(理学) ( 早稲田大学 )

Education Background

  • 　
    -
    1959

    Waseda University   School of Science and Engineering  

  • 　
    -
    1959

    Waseda University   Faculty of Science and Engineering  

Committee Memberships

  • 1999
    -
    　

    IEEE  Japan Chapter of CPMT chairman

  • 1999
    -
    　

    日本セラミックス協会  常任理事,会長

  • 1996
    -
    　

    日本電子材料 技術協会  会長

  • 1996
    -
    　

    粉体粉末冶金協会  理事

  • 1995
    -
    　

    次世代センサ協議会  理事

  • 1990
    -
    　

    電気化学協会  理事

  • 1988
    -
    　

    照明学会  理事

  • 1988
    -
    　

    日本セラミックス協会  常任理事,会長

  • 1981
    -
    　

    材料技術研究協会  常任理事

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Professional Memberships

  • 　
    　
    　

    電気化学会

  • 　
    　
    　

    IEEE

  • 　
    　
    　

    次世代センサ協議会

  • 　
    　
    　

    日本電子材料 技術協会

  • 　
    　
    　

    電子情報通信学会

  • 　
    　
    　

    応用物理学会

  • 　
    　
    　

    日本化学会

  • 　
    　
    　

    日本物理学会

  • 　
    　
    　

    材料技術研究協会

  • 　
    　
    　

    照明学会

  • 　
    　
    　

    電気化学協会

  • 　
    　
    　

    日本セラミックス協会

  • 　
    　
    　

    粉体粉末冶金協会

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Research Areas

  • Inorganic materials and properties

Research Interests

  • 電子セラミックス

  • 機能性材料

  • セラミック材料

  • 機能性セラミックス

Awards

  • American Ceramic Society Fellow

    1994  

  • 照明学会 研究業績賞

    1993  

  • 窯業協会賞(技術賞)

    1985  

  • Richard M.Fulrath Award(American Ceramic Society)

    1977  

  • 粉体粉末冶金協会技術賞

    1975  

 

Works

  • 日本国特許(第2708160号)フェライトの製造方法

    1997
    -
    　

  • 日本国特許(特願平9-342033)亜鉛含有リン酸三カルシウムからなるセラミックス及び亜鉛除放性生体セラミックス

    1997
    -
    　

  • U. S. Patent(No. 5,693,886), Pressure Sensor

    1997
    -
    　

  • 日本国特許(特願平7-192708)感圧センサー

    1995
    -
    　

  • 日本国特許(特願平7-192707)感圧センサー

    1995
    -
    　

  • 日本国特許(特願平3-63607)セラミック基板及びその製造方法

    1991
    -
    　

  • U. S. Patent (Application No. 183-812), Method of Producing Fluorapatite and a Moisture Sensitive Resistor using Fluorapatite obtained by the same

    1988
    -
    　

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Research Seeds

Research Projects

  • バイオセラミックス

    その他の研究制度

  • 機能性無機単結晶材料

    その他の研究制度

  • 機能性セラミック材料

    その他の研究制度

  • 半導体セラミッナスに関する研究

    その他の研究制度

  • 高熱伝導セラミックスに関する研究

    その他の研究制度

  • 高温超伝導セラミックスに関する研究

    その他の研究制度

  • Study on Semiconducting Ceramics

    The Other Research Programs

  • Study on Highly Thermal Conductive Ceramics

    The Other Research Programs

  • Study on High Temperature Superconducting Ceramics

    The Other Research Programs

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Misc

  • 特集LEDデバイスと応用技術 [総論] LEDの展望

    月刊ディスプレイ   10;.1  2004

    　View Summary

    2004-2004

  • Effect of internal radiative heat transfer on spoke pattern on oxide melt surface in Czochralski crystal growth

    CJ Jing, A Hayashi, M Kobayashi, T Tsukada, M Hozawa, N Imaishi, K Shimamura, N Ichinose

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   259 ( 4 ) 367 - 373  2003.12

    　View Summary

    The effect of internal radiative heat transfer on the spoke pattern observed on an oxide melt surface was investigated by means of a three-dimensional numerical simulation of LiNbO3 melt flow in an open Czochralski crucible. In the mathematical model, the assumptions that the melt was an incompressible Newtonian Boussinesq fluid, the flow was laminar and the melt free surface was flat were adopted. The crucible wall was assumed to be heated by a constant heat flux. The Marangoni effect on the melt free surface was taken into account. When the internal radiative heat transfer was ignored, i.e., the melt was assumed to be opaque, a spoke pattern was generated and the bulk melt flow was oscillatory; otherwise, the internal radiative heat transfer decreased the temperature gradient and hence suppressed the Marangoni instability, and consequently, the spoke pattern disappeared and the melt flow became steady and axisymmetric. The investigation provided one theoretical explanation for the experimental phenomenon observed by Okano et al. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Temperature dependence of the electrical and electromechanical properties of lead zirconate titanate thin films

    H Maiwa, SH Kim, N Ichinose

    APPLIED PHYSICS LETTERS   83 ( 21 ) 4396 - 4398  2003.11

    　View Summary

    The temperature dependence of the electrical and electromechanical properties of Pb(Zr,Ti)O-3 (PZT) (Zr/Ti=30/70, 52/48, and 70/30) thin films are investigated. The 1-mum-thick PZT thin films were prepared on (111)Pt/Ti/SiO2/Si substrates by chemical solution deposition. The temperature dependence of the dielectric and ferroelectric properties of the films were measured in the temperature range from -250 to 150 degreesC. The temperature-dependent strain loops from PZT films were measured using scanning probe microscopy in the temperature range from -100 to 150 degreesC. The field-induced displacement increased with increase of the temperature; however, their temperature dependence was relatively small, compared with that reported for bulk PZT ceramics. The results indicate that a thermally activated extrinsic ferroelastic contribution is not predominant in thin PZT films. (C) 2003 American Institute of Physics.

    DOI

  • Growth of single crystals of high-Curie-temperature Pb(In1/2Nb1/2)O-3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-PbTiO3 ternary systems near morphotropic phase boundary

    Y Hosono, Y Yamashita, H Sakamoto, N Ichinose

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 9A ) 5681 - 5686  2003.09

    　View Summary

    Crystal growth in xPb(In1/2Nb1/2)O-3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O-3-zPbTiO(3) (PIMNT100x/100y/100z) ternary systems near the morphotropic phase boundary was investigated by the conventional flux method using PbO and PbO-B2O3 flux. The PIMNT crystals were obtained easily by the slow cooling of a 50PIMNT:40PbO:10B(2)O(3) (mol%) molten solution from 1230degreesC to 850degreesC. The PbO-B2O3 flux is effective for PIMNT single crystal growth. The largest PIMNT 16/51/33 crystal had dimensions of about 20mm x 10mm x 5 mm. The (001) wafers cut from the obtained crystal had transparent and opaque areas. The electron probe X-ray microanalysis (EPMA) results revealed that the compositions of the two areas differ slightly; the Ti content in the opaque area is lower than that in the transparent area. The temperature dependence of the dielectric constant showed a maximum at the tetragonal to cubic phase-transition temperature (T-c = 187degreesC), which is 30degreesC-40degreesC higher than that for a 0.68Pb(Mg1/3Nb1/3)O-3-0.32PbTiO(3) (PMNT 68/32) single crystal. A dielectric constant (epsilon(33)(T)/epsilon(0)) of 4000, a coercive field (E-c) of 7.0kV/cm, an electromechanical coupling factor (k(33)') of 80%, and a frequency constant (N-33'r) Of 1160Hzm were obtained.

    DOI

  • Ab initio study of divalent 3d transition metal impurities in KMgF3 and BaLiF3

    T Nishimatsu, N Terakubo, H Mizuseki, Y Kawazoe, DA Pawlak, K Shimamura, N Ichinose, T Fukuda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 8 ) 5082 - 5085  2003.08

    　View Summary

    Divalent 3d transition metal impurities (V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, and Cu) in KMgF3 and BaLiF3 have been investigated by local-spin-density approximation (LSDA)-based ab initio calculations using an ultrasoft pseudopotential method and a planewave basis set. The results of numerical calculations show that the 3d transition metal impurities exhibit mid-gap levels and that the electronic transition from impurity levels to the conduction band results from the absorption of vacuum ultraviolet (VUV) light with energy lower than band-gap width. Therefore, 3d transition metal contaminations in KMgF3 and BaLiF3 should be avoided for VUV lithographic lens applications.

    DOI

  • Dielectric and piezoelectric properties of Pb(In1/2Nb1/2)O-3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-PbTiO3 ternary ceramic materials near the morphotropic phase boundary

    Y Hosono, Y Yamashita, H Sakamoto, N Ichinose

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 2A ) 535 - 538  2003.02

    　View Summary

    The physical and electrical properties of xPb(In1/2Nb1/2)O-3(PIN)-yPb(Mg1/3Nb2/3)O-3(PMN)-zPbTiO(3)(PT) (PIMNT 100x/100y/100z) ternary ceramic materials near the morphotropic phase boundary (MPB) were investigated. The MPB follows an almost linear region between the PIMNT 63/0/37 and PIMNT 0/68/32 MPB compositions of the binary systems. All the sintered ceramics show a complete perovskite structure. The maximum dielectric constants decrease as the function of PIN content increases. The maximum electromechanical coupling factor, k(p) = 67.6%, is found at PIMNT 24/42/34, where dielectric constant, epsilon(33)(T)/epsilon(0) = 2,120, piezoelectric constant, d(33) = 505 pC/N, and Curie temperature, T-c = 219 degreesC, are obtained.

    DOI

  • 機能性単結晶技術の最近の進展 ～総論～

    日本電子材料技術協会 クリスタルビジネス研究会 第一回研究会・早稲田大学ナノテクフォーラム 機能無機材料部会 第18回研究会・第35回機能性セラミックス研究会、東京    2003

  • 放電プラズマ焼結法による熱電材料の作製

    平成15年度第8回ＳＰＳ研究会、富山    2003

  • 傾斜機能圧電セラミックスの超音波トランスデューサへの応用 －有限要素法解析－

    日本電子材料技術協会第40回記念秋季講演大会    2003

  • 電子セラミックス材料の40年の進展と今後の展開

    日本電子材料技術協会第40回記念秋季講演大会    2003

  • Compositionally Graded Piezoelectric Ceramics for Ultrasonic Transducers

    The 5th International Meeting of Pacific Rim Ceramic Societies Incorporating the 16th Fall Meeting of the Ceramic Society of Japan, Nagoya, Japan, September 30, 2003    2003

  • Preparation and Ferroelectric Properties of Bi4-xNdxTi3O12 Ceramics and Thin Films

    The 5th International Meeting of Pacific Rim Ceramic Societies Incorporating the 16th Fall Meeting of the Ceramic Society of Japan, Nagoya, Japan, September 30, 2003    2003

  • Temperature Dependence of Piezo-Response from PZT Films

    The 5th International Meeting of Pacific Rim Ceramic Societies Incorporating the 16th Fall Meeting of the Ceramic Society of Japan, Nagoya, Japan, September 30, 2003    2003

  • Crystal Growth and Scintillation Properties of Rare-Earth Fluorides

    The 5th International Meeting of Pacific Rim Ceramic Societies Incorporating the 16th Fall Meeting of the Ceramic Society of Japan, Nagoya, Japan, October 2, 2003    2003

  • Dielectric and Piezoelectric Properties of Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Ternary Single Crystals

    2003 International Nano Ceramics / Crystals Forum and International Symposium on Intermaterials NCF7 & IMA7, Seoul, Korea, September 25-28, 2003    2003

  • 機能性単結晶の最近の進展

    2003年電気化学秋季大会、札幌    2003

  • Piezoelectric Properties of Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Ternary System Single Crystal Manufactured by the Bridgman Process

    The 11th US-Japan Seminar on Dielectric & Piezoelectric Ceramics, Sapporo, September 9-12, 2003    2003

  • Preparation and Piezoelctric Properties of Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Ternary Single Crystals

    The 11th US-Japan Seminar on Dielectric & Piezoelectric Ceramics, Sapporo, September 9-12, 2003    2003

  • Temperature Dependence of the Electrical Electromechanical and Properties of PZT Thin Film

    The 11th US-Japan Seminar on Dielectric & Piezoelectric Ceramics, Sapporo, September 9-12, 2003    2003

  • Ultrafast Decay of Yb-Containing Fluorides

    SCINT2003, 7th International Conference on Inorganic Scintillators and Industrial Applications, Valencia, Spain, September 8-12, 2003    2003

  • Ab Initio Investigations on Growth and Scintillation of Rare-Earth Fluorides

    SCINT2003, 7th International Conference on Inorganic Scintillators and Industrial Applications, Valencia, Spain, September 8-12, 2003    2003

  • Energy Transfer in RE(Ce,Eu) Doped LiCaAlF6 and LiSrAlF6 Crystals

    SCINT2003, 7th International Conference on Inorganic Scintillators and Industrial Applications, Valencia, Spain, September 8-12, 2003    2003

  • Energy Storage in Ce-doped LiCaAlF6 and LiSrAlF6 Crystals

    LUMDETR'03, 5th European Conference on Luminescent Detectors and Tranformers of Ionizing Radiation, Prague, Czech Republic, September 1-5, 2003    2003

  • Dielectric and Piezoelevtric Properties of Pb(In1/3Nb2/3)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Ternary Single Crystals

    Int. Conf. on Electroceramics, 3-7 August 2003, Massachusetts Institute of Technology Cambridge MA USA    2003

  • Prespective of Ceramics Integration

    Int. Conf. on Electroceramics, 3-7 August 2003, Massachusetts Institute of Technology Cambridge MA USA    2003

  • 真空紫外非線形光学応用フッ化物単結晶の育成

    日本結晶成長学会    2003

  • 軽希土類フッ化物単結晶の育成とシンチレ－ター特性

    日本結晶成長学会    2003

    DOI

  • シンチレーター応用Yb 添加フッ化物単結晶育成と評価

    日本結晶成長学会    2003

  • コルキライト型フッ化物単結晶のドシメーター応用特性

    日本結晶成長学会    2003

    DOI

  • LiMn2-x-yTixCryO4 のリチウムイオン二次電池正極材料における充放電特性

    粉体粉末冶金協会平成15年度春季大会、東京    2003

  • (La1-xSmx)2/3Sr1/3MnO3 の作製と磁気特性

    粉体粉末冶金協会平成15年度春季大会、東京    2003

  • Sr2(Fe1-xNix)MoO6 多結晶の作製と磁気抵抗効果

    粉体粉末冶金協会平成15年度春季大会、東京    2003

  • ブリッジマン法によるインジウムニオブ酸鉛（スカンジウムニオブ酸鉛）―チタン酸鉛３成分系圧電単結晶の育成

    第20回強誘電体応用会議、京都    2003

  • 強誘電体Pb(Zr,Ti)O3薄膜の電気機械特性の温度依存性

    第20回強誘電体応用会議、京都    2003

  • Piezoelectric Properties of Ceramic Materials and Single Crystals in the Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 System

    105th Annual Meeting & Exposition, Am.Ceram. Soc, Apr.27-30, 2003, Nashville, Tennessee    2003

  • Growth of Fluoride Single Crystals, Third French-Japanese Seminar on Fluorine in Inorganic Chemistry and Electrochemistry

    FJSF-2003, Paris, France, April 23-25, 2003 (invited)    2003

  • Origin of the temperature dependence of the conductivity in β-Ga2O3, 3rd International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics

    TOEO-3, Tokyo Big Sight, Ariake, Tokyo, JAPAN, April 10&11, 2003    2003

  • セラミックスインテグレーションにおけるバッファーレイヤーとは？

    電気化学会創立70周年記念大会、東京    2003

  • Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 系圧電単晶の合成と評価

    電気化学会創立70周年記念大会、東京    2003

  • 各種フッ化物単結晶の作製とその放射線に対する応答性

    応用物理学会    2003

  • シンチレーター応用希土類フッ化物単結晶の育成と評価

    応用物理学会    2003

  • 真空紫外非線形光学応用 BaMF4 (M=Mg,Zn,Mn）単結晶の育成と評価

    応用物理学会    2003

  • (1-x)CaTiO3-xLa1/3Ln1/3TiO3(Ln=Nd,Sm)セラミックスの作製とマイクロ波誘電体特性

    日本セラミック協会2003年年会、東京    2003

  • ビスマス層状構造強誘電体Sr1+xbi4-xTi4-xNbxO15の焦電特性

    日本セラミック協会2003年年会、東京    2003

  • 層状Ti 酸化物の作成と熱電特性および金属イオン置換効果

    日本セラミック協会2003年年会、東京    2003

    DOI

  • Bi2Sr2Co2O9の熱電特性

    日本セラミック協会2003年年会、東京    2003

  • PZT 薄膜の電気機械特性の温度依存性

    日本セラミック協会2003年年会、東京    2003

  • 真空紫外非線形光学応用フッ化物単結晶の作成と評価

    東京    2003

  • 配向性キトサンへのアパタイト形成―神経誘導管への応用―

    東京    2003

    DOI

  • ナノテクに託す未来の光源～総論～

    照明学会誌   87;4 (2003) 2-8  2003

  • 放電プラズマ焼結法による電子材料の作製

    日本材料科学会誌 旧「材料科学」材料の科学と工学(Materials Science and Technology)   4 (2003) 154-159  2003

  • 透明導電膜特集にさいして

    月刊ディスプレイ   9;8 (2003) 3-4  2003

  • ナノ材料技術とディスプレイ

    月刊ディスプレイ   9;7 (2003) 71-78  2003

  • 傾斜組織を利用したバッファーレイヤーの形成

    セラミックス   38;7 (2003) 497-500  2003

  • 材料自身に骨組織再生促進機能がある亜鉛徐放性リン酸カルシウム人工骨材料

    Ceramic Data Book (Technoplaza)   31 (2003 ) 203-205  2003

  • 化学ベクトルセラミックス－骨形成をコントロールする亜鉛徐放セラミックス－

    バイオマテリアル －生体材料   21-5 (2003) 383-388  2003

  • Nitrogen ion behavior on polar surfaces of ZnO single crystals

    H Maki, Sakaguchi, I, N Ohashi, S Sekiguchi, H Haneda, J Tanaka, N Ichinose

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 1 ) 75 - 77  2003.01

    　View Summary

    Nitrogen radicals were irradiated on the (0001) and (0001) surfaces of the ZnO single,crystals, and the stability and the states of N ions on the surfaces were investigated by Auger electron spectroscopy (AES) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). On the (0001) surface, many N ions replaced the O ions of ZnO during annealing in oxygen gas or vacuum after nitrogen treatment. However, few N ions replaced the O ions of ZnO on the (000 (1) over bar) surface. These results suggest that the nitrogen doping on the (0001) surface is more effective than that on the (000 (1) over bar) surface.

    DOI

  • Thickness Dependence of the Electrical and Electromechanical Properties of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 (2003) 4392-4398  2003

    DOI

  • Microwave dielectric properties in the (1-x)(Na1/2La1/2) TiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3 ceramic system

    N Ichinose, K Mutoh

    JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY   23 ( 14 ) 2455 - 2459  2003

    　View Summary

    Microwave dielectric properties have been investigated in the ceramic system (1-x)(Na1/2La1/2)TiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3. In this system, (Na1/2La1/2)TiO3 (NLT) exhibits relative permittivity (Er) of 122, dielectric Q value (Q) of 3260 and a positive temperature coefficient of resonant frequency (tau(r)) of 480 ppm/degreesC at 3 GHz. On the other hand, (Li1/2Sm1/2)TiO3 (LST) shows epsilon(r) = 52, Q = 760 and tau(f) = -260 ppm/degreesC at 3 GHz. Therefore, an appropriate mixing of these two components yields material with both high permittivity and temperature-stable resonant frequency. From X-ray diffraction analyses, it was found that the ceramics are single phase perovskites. We have found that ceramics at the composition x = 0.7 in this system (sintered at 1300 degreesC) have high E, of 117, Qf products of 2281 and temperature coefficient of resonant frequency tau(f) = -19 ppm/degreesC at 3 GHz. (C) 2003 Published by Elsevier Ltd.

    DOI

  • Crystal Growth of Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 and Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Piezoelectric Single Crystals Using the Solution Bridgman Method

    Hosono Yasuharu, Yamashita Yohachi, Sakamoto Hideya, Ichinose Noboru

    Jpn J Appl Phys   42 (2003) 6062-6067 ( 9 ) 6062 - 6067  2003

    　View Summary

    The crystal growth of $x$Pb(In1/2Nb1/2)O3-$y$Pb(Mg1/3Nb2/3)-$z$PbTiO3 (PIMNT $100x/100y/100z$) and $x'$Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-$y'$Pb(Mg1/3Nb2/3)-$z'$PbTiO3 (PSMNT $100x'/100y'/100z'$) ternary systems was investigated by the solution Bridgman method using PbO-B2O3 flux. A PIMNT single crystal 25 mm in diameter and 30 mm in length was grown at the bottom of a platinum crucible; the highest temperature was 1250°C and the growth rate was 0.4 mm/h. On the other hand, the PSMNT single crystals were multi nucleated under the same growth conditions. The results obtained using an electron probe microanalyzer (EPMA) revealed that Ti content increased gradually from the crystal part near the bottom of the crucible for the PIMNT and PSMNT single crystals. Although the In/Mg ratio was relatively constant in the PIMNT, the Sc/Mg ratio varied considerably in the PSMNT crystals. The Curie temperature, $T_{\text{c } }$, of the PIMNT single crystal ranged from 181°C to 196°C. The dielectric constant after poling, $\varepsilon_{33}^{T}/\varepsilon_{0}=3,630$, coercive field of $E_{\text{c } }=7.0$ kV/cm, electromechanical coupling factors sliver mode, $k'_{33}=80.3$%, and frequency constant, $N'_{33}r=1,110$ Hz$\cdot$m, were confirmed for the PIMNT single crystal with $T_{\text{c } }=191$°C.

    DOI CiNii

  • Donor Structure and Electric Transport Mechanism in β-Ga2O3

    Physical Review   B 68;155207 (2003) 1-9  2003

  • 傾斜機能圧電セラミックスの超音波トランスデューサへの応用－有限要素法シミュレーション－

    信学技報TECHNICAL REPORT OF IEICE   US2003-85  2003

  • ゾルーゲル法における構造制御ノウハウ集

    技術情報協会    2003

  • 照明ハンドブック（第２版）

    株式会社オーム社    2003

  • The Effect of the Nitrogen Plasma Irradiation on ZnO Single Crystals

    Key Engineering Materials   Vol.216,pp.61-64  2002

  • Fabrication and in Vitro Biocompatibility of Zinc-Containing α-Tricalcium Phosphate

    Key Engineering Materials   Vol.218-220,pp.183-186  2002

  • Microwave Dielectric Properties of Sr(Sm1/2Ta1/2)1-xTixO3Ceramics

    2001 Asia Pacific Microwave Conference, Abstract    2001

  • セラミックスインテグレーション技術による新機能材料創製に関する研究～総論～

    電気化学会 機能性セラミックス研究会予稿集   1  2001

  • 材料自身に骨形成促進作用のある亜鉛含有リン酸カルシウム

    生体材料研究センター設立記念シンポジウム 第8回つくばバイオマテリアル研究会講演要旨集   29  2001

  • Surface Control of ZnO Single Crystal

    2nd International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics, Abstract 78   43  2001

  • SPS法によるSr2FeMoO6系セラミックスの合成と磁気的特性

    平成13年度 第6回SPS研究会講演要旨集   54  2001

  • Crystal Growth and Electrical Properties of High-Tc Relaxor-Based Single Crystals

    The Tenth US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics, Abstract   217  2001

  • Electrical Properties of PbZrO3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition

    The Tenth US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics, Abstract   143  2001

  • ZnO薄膜の表面制御

    日本セラミックス協会 第14回秋季シンポジウム講演予稿集   226  2001

  • Sr2FeMoO6系セラミックスの合成と磁気抵抗効果

    2001年電気化学会秋季大会講演要旨集   99  2001

  • バッファーレイヤー制御のための表面解析

    2001年電気化学会秋季大会講演要旨集   98  2001

  • セラミックスインテグレーション技術による新機能材料創製に関する研究～バッファーレーヤーの科学的構築を目指して～

    2001年電気化学会秋季大会講演要旨集   95  2001

  • Temperature dependence of Electrical Properties For SrBi2Ta2O3Thin Films

    Int. Meeting on Ferroelectricity, Abstract   144  2001

  • Preparation and Dielelectric Properties of High To Rtelaxor-Based Single Crystals"

    Int. Meeting on Ferroelectricity, Abstract   14  2001

    DOI

  • 酸化物熱電材料の展望～総論～

    電気化学機能性セラミックス研究会予稿集   1  2001

  • Magnetoresistance in the Sr2(1-x)Ca2xFeMoO6Ceramic System

    High-Temperature Superconductions and Novelinorganic Materials Engeneering, Abstract   34  2001

  • 化学溶液法により作製した反強誘電体PbZrO3薄膜の電的特性

    第18回強誘電体応用会議講演予稿集   39  2001

  • MA-SPSにより作製したCu/Fe3O4セラミックス基複合材料の磁気特性

    粉体粉末冶金協会 平成13年度春季大会講演予稿集   66  2001

  • 高いキュリー温度を有するリラクサ系圧電単結晶の合成と評価

    電気化学会第68回大会講演予稿集   57  2001

  • Ca3Co4O9の作製と熱電特性

    日本セラミックス協会講演予稿集   281  2001

  • ZnO単結晶の窒素吸着(Ⅰ)－分光による解析－

    日本セラミックス協会講演予稿集   256  2001

  • Sr(Sm1/2Ta1/2)1-xTixO3セラミックスの作製とマイクロ波誘電特性

    日本セラミックス協会講演予稿集   227  2001

  • Ba4Ln2Ti4Ta6O30(Ln=La, Nd, Sm)セラミックスの作製とマイクロ波誘電特性

    日本セラミックス協会講演予稿集   227  2001

  • ビスマス層状構造強誘電体BaBi4Ti4O15の焦電特性

    日本セラミックス協会講演予稿集   221  2001

  • LiMn2O4-xFxの作製及び電気化学的評価

    日本セラミックス協会講演予稿集   111  2001

  • 傾斜機能圧電セラミックスの作製

    日本セラミックス協会講演予稿集   56  2001

  • Fe2O3添加0.64Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.36PbTiO3系セラミックスの圧電特性

    日本セラミックス協会講演予稿集   55  2001

  • 化学溶液法によるPbZrO3薄膜の作製と評価

    日本セラミックス協会講演予稿集   49  2001

  • RF マグネトロンスパッタリング法による(Bi(1-x)Pbx)(Ni(1-x)/2Ti(1+x)/2)O3薄膜の作製と電気的特性

    日本セラミックス協会講演予稿集   49  2001

  • セラミックスインテグレーションとは？

    日本セラミックス協会2001年会    2001

  • 薬理機能を有するセラミック人工骨材料

    未踏科学技術協会 インテリジェント材料シンポジウム講演要旨集   72  2001

  • ナノマテリアルの展望

    電気化学会 機能性セラミックス研究会概要集   2  2001

  • 超伝導体

    粉体および粉末冶金   Vol.48;No.12,pp.1146  2001

  • 発光材料の最近の進展

    月刊ディスプレイ   Vol.7;No.9,pp.51-55  2001

  • Preparation and Properties of Bi-system Perovskite Oxide Thin Films by Sputtering Method"

    Proc. 12<SUP>th</SUP>Int. Sym. On Appl. of Ferroelectrics   pp.969-972  2001

  • Electromechanical Properties of (Pb, La)TiO3 Thin Films

    Proc. 12<SUP>th</SUP>Int. Sym. On Appl. of Ferroelectrics   pp.459-462  2001

  • Elongated Lattice Relaxation on a ZnO(0001)Surface

    Proc. 12<SUP>th</SUP>Int. Sym. On Appl. of Ferroelectrics   pp.423-425  2001

  • Crystal Growth and Electrical Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Ternary System

    Proc. 12<SUP>th</SUP>Int. Sym. On Appl. of Ferroelectrics   pp.119-124  2001

  • Preparation and Properties of Al1-xTixN Solid Solution Thin Films by Multiple Cathode Sputtering

    J. Europ. Ceram. Soc.   Vol.21,pp.1573-1576  2001

    DOI

  • Preparation and microwave dielectric properties of the BaO center dot(Sm1-xLax)(2)O-3 center dot 5TiO(2) ceramic system

    N Ichinose, H Amada

    JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY   21 ( 15 ) 2751 - 2753  2001

    　View Summary

    The microwave dielectric properties of the BaO . (Sm1-xLax)(2)O-3. 5TiO(2) ceramic system were studied for developing high quality microwave dielectric ceramics. In this system, the substitution of La for Sm is effective for dielectric constant Er, but not effective for Q value. We found high quality resonator materials which show high epsilon (r) of 90.7, Q.f products of 8900 GHz and temperature coefficient of resonant frequency tau (f) 4.2 ppm/degreesC at the composition of x=0.1. (C) 2001 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

    DOI

  • Electrical and Electromechanical Properties of PbZrO3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol.40,pp.5507-5510  2001

    DOI

  • Lattice Relaxation of ZnO(0001) Surface Accompanied by a Decrease in Antibonding Feature

    Journal of Crystal Growth   Vol.229,pp.114-118  2001

    DOI

  • 亜鉛含有TCP

    THE BONE   Vol.15,pp.439-442  2001

  • The Relaxation of the ZnO Single Crystals (0001) Surface

    Solid State Phenomena   Vol.78-79,pp.381-386  2001

  • インテリジェント技術－材料・構造－

    日刊工業新聞社    2001

  • 新しい透明導電膜の成膜・材料技術と開発動向 応用展開

    （株）情報機構    2001

  • 強誘電体材料の開発と応用

    （株）シーエムシー出版    2001

  • Translucent Ceramic Materials.

    Ichinose Noboru

    Bulletin of the Japan Institute of Metals   Vol.39, 127 ( 2 ) 127 - 131  2000

    DOI CiNii

  • Current Trends and Future Outlook for Senser Materials

    ICHINOSE Noboru

    The Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan   Vol.120-E, 39 ( 2 ) 39 - 44  2000

    DOI CiNii

  • 産学協同研究のあり方―ケーススタディー１―

    マテリアルインテグレーション   Vol.13 No.1, 27  2000

  • 光関連材料・デバイス分野

    照明学会誌   Vol.84, 12  2000

    DOI

  • フロンティアセラミックスが拓く新世紀

    工業調査会    2000

  • 伊藤敦夫、河村春生、一ノ瀬昇、大塚誠、大串始、池内正子、石川邦夫、薬理機能を有するセラミックス人工骨材料

    第10回インテリジェント材料シンポジウム講演要旨   72  2000

  • 真岩宏司、一ノ瀬昇、走査型プローブ顕微鏡を使った強誘電体薄膜の電界誘起歪みの測定

    第39回セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   42  2000

  • H. Maiwa and N. Ichinose, Microstructure and Properties of Mn-or Nb-doｐed Bi4Ti3O12 Thin Films by Chemical Solution Deposition

    3rd Asian Meeting on Ferroelectrics   403  2000

  • N. Ichinose, Y. Saigo, Y. Hosono and Y. Yamashita, Crystal Growth and Electrical Properties of High-Tc Relaxor-PT System Single Crystals

    3rd Asian Meeting on Ferroelectrics   96  2000

  • 一ノ瀬昇、高橋泰生、放電プラズマ法によるBi4Ti3O12系セラミックスの合成と焦電特性

    第５回SPS研究会講演要旨集   1  2000

  • 牧英之、一ノ瀬昇、坂口勲、大橋直樹、羽田肇、田中順三、ZnO単結晶の窒素プラズマ照射効果

    第１回アジアエレクトロセラミックス会議 第20回電子材料研究討論会講演予稿集   97  2000

  • 天田英之、高橋貞行、一ノ瀬昇、傾斜組成を有する鉛系圧電材料の超音波トランスデューサへの応用

    日本電子材料技術協会第37回秋期講演大会講演概要集   35  2000

  • 西郷有民、一ノ瀬昇、細野靖晴、山下洋八、３成分系圧電単結晶の作製及び評価

    日本電子材料技術協会第37回秋期講演大会講演概要集   26  2000

  • 藤巻尚人、一ノ瀬昇、LiNi1-xFexO2の電気化学的及び熱的特性

    日本セラミックス協会講演予稿集（第13回秋季シンポジウム）   267  2000

  • 中村恭之、一ノ瀬昇、誘電体―金属インテグレーション素子の構造と機能

    日本セラミックス協会講演予稿集（第13回秋季シンポジウム）   200  2000

  • 牧英之、一ノ瀬昇、大橋直樹、羽田肇、田中順三、ZnO単結晶の表面構造と電子状態

    日本セラミックス協会講演予稿集（第13回秋季シンポジウム）   199  2000

  • 加茂道正、一ノ瀬昇、十河友、伊藤敦夫、亜鉛含有α-TCPの合成と評価

    日本セラミックス協会講演予稿集（第13回秋季シンポジウム）   182  2000

  • 深沢幸士郎、一ノ瀬昇、十河友、伊藤敦夫、亜鉛添加ハイドロキシアパタイトの合成と評価

    日本セラミックス協会講演予稿集（第13回秋季シンポジウム）   181  2000

  • 真岩宏司、一ノ瀬昇、(Pb, La)TiO3薄膜の電気機械特性

    日本セラミックス協会講演予稿集（第13回秋季シンポジウム）   39  2000

  • N. Ichinose and T. Sakai, Magnetoresistanca of Polycrystalline Sr2(1-x)Ca2xFeMnO6

    Degests of The 8th International Conference on Ferrites    2000

  • 一ノ瀬昇、牧英之、関口象一、大橋直樹、羽田肇、田中順三、ZnO単結晶（0001）（0001●）

    第67回電気化学会大会講演要旨集    2000

  • H. Maiwa and N. Ichinose, Preparation and Properties of Al1-xTixN Solid Solution Thin Films By Multiple Cathode Sputtering

    7th International Conference on Electronic Ceramics and Their Applications Electroceramics Ⅶ - 2000    2000

  • N. Ichinose and Y. Saigo, Preparation and Pyroelectric Properties of Compositionally Graded (Ba1-xSrx)TiO3 Ceramics

    7th International Conference on Electronic Ceramics and Their Applications Electroceramics Ⅶ - 2000    2000

  • H. Maki, N. Ichinose, N. Ohashi, H. Haneda and J. Tanaka, The Lattice Relaxation of a ZnO(0001) Surface due to the Reducation of Antibonding Molecular Orbitals

    The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology CGCT-1    2000

  • N. Ichinose and H. Amada, Preparation and Microwave Dielectric Properties of the BaSm2(1-X)La2XTi514 Ceramic System

    International Conference on Microwave Materials and Their Applications MMA    2000

  • H. Maki, N. Ichinose, N. Ohashi, H. Haneda and J. Tanaka, Principle of Surface Relaxation of ZnO(0001) Surface

    12th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics ISAF    2000

  • H. Maiwa and N. Ichinose, Electoromechanical Properties of (Pb, La)TiO3 Thin Films

    12th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics ISAF    2000

  • N. Ichinose, Y. Hosono and Y. Yamashita, Single Crystal Growth and Electrical Properties of High-Tc Relaxor-PT System Single Crystals

    12th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics ISAF    2000

    DOI

  • H. Maiwa and N. Ichinose, Preparation and Properties of Antiferroelectric Lead Zirconate Thin Films by Chemical Solution Depositon

    The 5th Euroconference on Application of Polar Dielectrics   141  2000

  • N. Ichinose and Y. Takahashi, Preparation and Pyroelectric Properties of Bi4Ti3O12 Based Ceramics

    The 5th Euroconference on Application of Polar Dielectrics   89  2000

  • 山下洋八、細野靖晴、原田耕一、一ノ瀬昇、ペロブスカイト化合物の分子量が電気機械結合係数に与える効果

    強誘電体応用会議講演予稿集   31  2000

  • 真岩宏司、一ノ瀬昇、走査型プローブ顕微鏡を用いた(Pb, La)TiO3薄膜の電界誘起歪みの測定

    強誘電体応用会議講演予稿集   121  2000

  • 渡邉優、一ノ瀬昇、ビスマス系ペロブスカイと酸化物の誘電的特性

    強誘電体応用会議講演予稿集   71  2000

  • 宮本直彦、一ノ瀬昇、LiMSiO4組成物(M=Al, Ga, Y, La, Gd)のイオン導電性とCO2センサへの応用

    粉体粉末冶金協会講演概要集（平成12年度春季大会）   297  2000

  • 一ノ瀬昇、田中竜介、Ba2Cu3O5＋xを用いたNdBa2Cu3O7-yの作製と評価

    粉体粉末冶金協会講演概要集（平成12年度春季大会）   148  2000

  • 一ノ瀬昇、モバイル製品とセラミック部品～総論～

    電気化学会機能性セラミックス研究会概要集   1  2000

  • 一ノ瀬昇、西郷有民、山下洋八、リラクサ系圧電単結晶

    電気化学秋季大会講演要旨集   143  2000

  • 田中喜久、清水玄英、関根正好、一ノ瀬昇、(Ca1-xMnx)O3(M=Dy, Gd)に関する熱電特性

    日本セラミックス協会講演予稿集（2000年春）   103  2000

  • 坂井隆浩、君島厚、一ノ瀬昇、Sr2(1-x)Ca2xFeMoO6多結晶体の磁気抵抗特性

    日本セラミックス協会講演予稿集（2000年春）   52  2000

  • 伊藤敦夫、河村春生、一ノ瀬昇、材料自身に薬理機能があるセラミック人工骨

    FC Report   18; 6, pp. 118-122  2000

  • 一ノ瀬昇、照明用材料

    O plus E   22; 8, pp. 1035-1045  2000

  • M. Otsuka, S. Marunaka, Y. Matsuda, A. Ito, P. Layrolle, H. Naito and N. Ichinose, Calcium Level-responsive in-vitro Zinc Release from Zinc Containing Tricalcium Phosphate (ZnTCP)

    J. Biomed. Mater. Res.   52, pp. 819-824  2000

  • H. Kawamura, A. Ito, S. Miyakawa, P. Layrolle, K. Ojima, N. Ichinose and T. Tateishi, Stimulatory Effect of Zinc-releasing Calcium Phosphate Implant on Bone Formation in Rabbit Femora

    J. Biomed. Mater. Res.   50, pp. 184-190  2000

  • A. Ito, K. Ojima, H. Naito, N. Ichinose and T. Tateishi, Preparation, Solubility, and Cytocompatibility of Zine-releasing Calcium Phosphate Ceramics

    J. Biomed. Mater. Res.   50, pp. 178-183  2000

  • Y. Yamashita, Y. Hosono, K. Harada and N. Ichinose, Effect of Molecular Mass of B-site Ions on Electromechanical Coupling Factors of Lead-Based Perovskite Piezoelectric Materials

    Jpn. J. Appl. Phys.   39, pp. 5593-5596  2000

  • H. Maiwa and N. Ichinose, Measurement of Electric-Field-Induced Displacements in (Pb, La) TiO3 Thin Films Using Scanning Probe Microscopy

    Jpn. J. Appl. Phys.   39, pp. 5403-5407  2000

  • H. Maki, N. Ichinose, N. Ohashi, H. Haneda and J. Tanaka, The Lattice relazation of ZnO Single Crystal (0001) Surface

    Surface Science   457, pp. 377-382  2000

  • Functionally Graded Materials in the 21st Century

    Kluwer Academic Publishers    2000

  • 21世紀の新素材；産業界を活性化させる傾斜機能材料

    クバプロ    2000

  • Processing and Characterizaion of Electrochemical Materials and Devices

    Am. Ceram. Soc    2000

  • 透明導電膜の技術

    オーム社    1999

  • 用途開発進む透明導電膜

    （株）シーエムシーセミナー    1999

  • Research Trends of Relaxor Ferroelectric Materials in Japan

    The 9<SUP>th</SUP> US-Japan Seminar on Dielectric & Piezoelectric Ceramics Abstract   289  1999

  • プラズマ焼結による非金属材料の創製と応用

    基礎的技術産業活性化研究会プラズマ焼結分科会シンポジウム    1999

  • 先進センサ材料に関する注目技術と将来展望

    電気学会平成11年度電気学会センサ・マイクロマシン準部門総合研究会 予稿集   13  1999

  • 破壊モードの変化に伴うYAGセラミックスの高温強度・破壊性の向上

    粉体粉末冶金協会 平成11年度秋季大会 予稿集   271  1999

  • Preparation and Electrical Properties of Compositionally Graded (Bi4-xLax) Ti3O12 Ceramics Doped with Nb2O5

    51th Pacific Coast Regional, Basic Science Division and Electronics Division Meeting of The American Ceramic Sociey Abstract   34  1999

  • Functionally Graded Electronic Materials Fabricated by Spark Plasma Sintering

    NEDO Int. Symp. On Functionally Graded Materials Abstract   93  1999

  • 単一粒界の物性から実用セラミックス機能への展開

    科学技術庁シンポジウム99「明日をめざす科学技術」予稿集   65  1999

  • ZnO単結晶の表面緩和

    日本セラミックス協会第19回電子材料研究討論会 予稿集   65  1999

  • La1-xSnxMn1-yMyO3 (M=Fe, Co, Ni）における磁気的特性

    日本電子材料技術協会第36回秋季講演大会 予稿集   7  1999

  • 希土類金属（Pr, Ce, Y）ドープによる（La, Sr）3Mn2O7の磁気抵抗特性

    日本電子材料技術協会第36回秋季講演大会 予稿集   6  1999

  • イントロダクトリー―新しい紫外域光学材料―

    光関連材料・デバイス研究専門部会   1  1999

  • ZnTCP/HAP複合焼結体による骨原性細胞の増殖促進効果

    日本セラミックス協会第12回秋季シンポジウム 予稿集   215  1999

  • La1-xSnxMn1-yMyO3 (M=Fe, Co, Ni）の磁気的特性

    日本セラミックス協会第12回秋季シンポジウム 予稿集   69  1999

  • 希土類金属（Y, Pr. Ce）ドープによる（La, Sr)3Mn2O7の磁気抵抗効果

    日本セラミックス協会第12回秋季シンポジウム 予稿集   68  1999

  • 酸化亜鉛単結晶（0001）、（000-1）の表面構造解析

    第60回応用物理学会学術講演会 予稿集   224  1999

  • 酸化物超微粒子の作成と機能性セラミックスへの応用

    第５回機能粉末講演会    1999

  • Surface Structure of ZnO Single Crystals Analysed by Coaxial Impact-Collision Ion Scattering Spectroscopy

    Japan Society for Promotion of Science (166<SUP>th</SUP> Committee Abstract   74  1999

  • スクッテルダイト型３元化合物Fe0.5Ni0.5Sb3の作製と熱電特性

    粉体粉末冶金協会 平成11年度春季大会 予稿集   236  1999

  • Cu-Ni-Fe合金の作製と磁気的特性

    粉体粉末冶金協会 平成11年度春季大会 予稿集   230  1999

  • HAUPによる水酸化アパタイトセラミックスの工学的研究

    粉体粉末冶金協会 平成11年度春季大会 予稿集   25  1999

  • スパッタリング法によるBi系ペロプスカイト酸化物薄膜の作製と評価

    第16回強誘電体応用会議 予稿集   135  1999

  • 放電プラズマ焼結法によるCu-Ni-Fe合金の作製と磁気的特性

    日本金属学会1999年秋季大会宿題テーマシンポジウム 予稿集   46  1999

  • Synthesis and Electrochemical Properties of LiAlxMn2-xO4 for Lithium Secondary Battery

    The American Ceramic Society Abstroct   43  1999

  • Nb添加Bi4-xLaxTi3O12の電気的特性

    電気化学会第66回大会 予稿集   203  1999

  • BaO-Ln2O3-TiO2系セラミックスのマイクロ波誘電特性

    Annual Meeting of The Ceramic Society of Japan 予稿集   198  1999

  • 組成制御したBSTセラミックスにおける焦電特性

    Annual Meeting of The Ceramic Society of Japan 予稿集   186  1999

  • LiCoxNiyMn2-(x+y)O4の作製とリチウムイオン２次電池特性の評価

    Annual Meeting of The Ceramic Society of Japan 予稿集   39  1999

  • Pb (Ni1/3Nb2/3) O3-Pb (Zr, Ti) O3系強誘電体のAg添加効果

    Annual Meeting of The Ceramic Society of Japan 予稿集   19  1999

  • 総論―酸化亜鉛

    マテリアルインテグレーション   Vol.12 No.12, 1  1999

  • 傾斜組成を有する圧電センサセラミックス

    電気学会研究会資料   SMP-99-16, 1  1999

  • イントロダクトリー―新しい紫外域光学材料―

    照明学会光関連材料・デバイス研究専門部会   MD-99-92  1999

  • Calcium Level-Responsive Zinc Ion Release from Tricalcium Phosphate Containg Zinc (ZnTCP)

    Bioceramics   Vol.12, 571  1999

  • Zinc-Releasing Calcium Phosphate Ceramics Stimulating Bone Formation

    Bioceramics   Volume 12, 567  1999

  • ナイトライドセラミックス～総論～

    電気化学会第14回機能性セラミックス研究会 研究会資料   1  1999

  • Dielectric and Piezoelectic Properties of Pb (Sc1/2Nb1/2) O3-Pb (Ni1/3Nb2/3) O3-PbTiO3 Ternary Ceramic Materials

    J. Europ. Ceram. Soc.   Vol.19, 1139  1999

  • 圧電アクチュエータ

    日本油空圧学会誌   Vol.30 No.7, 8  1999

  • Surface Structure of ZnO Single Crystals Analysed by Ion Scattering Spectroscopy

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol.38, 2741  1999

    DOI

  • セラミックス積層技術の新展開～総論～

    電気化学会第12回機能性セラミックス研究会 研究資料   1  1999

  • 酸化物高温超伝導体の合成と評価

    粉体および粉末冶金   Vol.46, 980  1999

  • 機能性セラミック材料の開発と将来展望

    Isotope News   No.539, 2  1999

  • ガスセンサーによる微量成分検知技術

    材料科学   Vol.36 No.3, 156  1999

  • Preration and Electrical Properties of SrTiO3-Bicrystals

    Dielectric Ceramic Materials: Am. Ceram. Soc.   357  1999

  • 酸化亜鉛の新展開～総論～

    電気化学会第11回機能性セラミックス研究会 研究会資料   1  1999

  • Mg-Fe-Al-O系スピネル固溶体単結晶中の酸素拡散に対する酸化一還元過程の影響

    J. of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy   Vol.46, 36  1999

    DOI

  • Diffusion mechanism of oxide ions in Mn-Zn -ferrites

    Hajime Haneda, Takamasa Ishigaki, Junzo Tanaka, Isao Sakaguchi, Noboru Ichinose

    Funtai Oyobi Fummatsu Yakin/Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy   46 ( 1 ) 28 - 35  1999

    　View Summary

    The diffusion coefficients of oxide ions in single crystal Mn-Zn ferrites were measured at various oxygen partial pressures mainly in the middle temperature region. The dependence of oxygen self-diffusion on oxygen partial pressures exhibited a positive sign. This feature suggests that the diffusing oxide ions are concerned with interstitial site.

    DOI

  • 科学・技術大百科事典

    朝倉書店    1999

  • セラミック材料用語事典

    工業調査会    1999

  • 透明導電膜の技術

    オーム社    1999

  • 電子セラミックスの結晶構造と特性―誘電体・圧電体・磁性体を例として

    創造科学研究会機能材料研究分科会    1998

  • 放電プラズマ焼結法によるセラミックス合金系材料の合成と物性

    素形材研究会 第3回SPS研究会    1998

  • ZnO単結晶の(0001)／(000-1)表面の構造解析

    日本セラミックス協会 第18回電子材料研究討論会講演予稿集   149  1998

  • 水酸アパタイトセラミックスの合成と光学的特性

    電気化学会 電気化学秋季大会講演要旨集   132  1998

  • 酸化亜鉛単結晶の表面観察

    日本セラミックス協会 第11回秋季シンポジウム講演予稿集   404  1998

  • LiAlxMn2-xO4の作製とリチウム２次電池特性の評価

    日本セラミックス協会 第11回秋季シンポジウム講演予稿集   229  1998

  • LiドーブによるBi-2212相の超伝導特性

    日本セラミックス協会 第11回秋季シンポジウム講演予稿集   207  1998

  • 放電プラズマ焼結法によるTi-6Al-4V合金とAl2O3の接合

    傾斜機能材料研究会 第10回傾斜機能材料シンポジウム講演要旨集   31  1998

  • Electrical and Piezoelectric Properties of Pb (Sc1/2Nb1/2)O3 Based Relaxor Ferroelectrics

    Italy-Japan Bilateral Seminar Functional Ceramic Materials   37  1998

  • Preparation and Pyroelectric Properties of Modified Bi4Ti3O12 Ceramics

    The 3<SUP>rd</SUP> Int. Meeting of Pacific Rim Ceramic Societies   164  1998

  • Microwave Dielectric Properties of (Li, Nd) TiO3-(Na, Ln) TiO3(Ln = La, Nd, Sm) Ceramic System

    Int. Conf. on Electroceramics and their Applications Electroceramics VI Abstract   358  1998

  • Preparation and Properties of Mn- or Nb-doped Bi4Ti3O12 Thin films by Chemical Solution Deposition

    Int. Conf. on Electroceramics and their Applications Electroceramics VI Abstract   340  1998

  • Dielectric and Piezoelectric Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2) O3-Pb (Ni1/3Nb2/3) O3-PbTiO3 Ternary Ceramic Materials

    Int. Conf. on Electroceramics and their Applications Electroceramics VI AbstrAct   52  1998

  • セラミックコンポジット

    高分子学会 第46回高分子夏季大学要旨集   83-86  1998

  • ZnOの物性と応用―総論―

    日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第166委員会 第5回研究会資料   1-10  1998

  • Novel Materials and Devices for Humidity Sensors

    9<SUP>th</SUP> International Conference on Modern Materials and Technologies Abstract   240  1998

  • 放電プラズマ焼結法によるNd-Fe-B系磁性体の作製と磁気特性

    粉体粉末冶金協会講演概要集   116  1998

  • 多結晶体YAGの高温引張変形

    粉体粉末冶金協会講演概要集 平成十年度春季大会   28  1998

  • Nb添加Bi4Ti3O12強誘電体薄膜の電気的特性

    第15回強誘電体応用会議 講演予稿集   147  1998

  • Pb(B'B")O3-PbTiO3系圧電材料の電気機械結合係数に与えるB-サイトイオンの効果

    第15回強誘電体応用会議 講演予稿集   93  1998

  • Preparation and Electrical Properties of SrTiO3 Bicrystals

    100th Am Ceram Society Annual Meeting Abstract   147  1998

  • ビスマス層状構造セラミックスの粒子配向とその焦電特性

    日本セラミック協会 年会講演予稿集   290  1998

  • PSN-PNN-PT三成分系セラミックスの誘電・圧電特性

    日本セラミック協会 年会講演予稿集   289  1998

  • 水酸アパタイトセラミックスの光学的特性

    日本セラミック協会 年会講演予稿集   257  1998

  • ZnTCP/HAP複合焼結体の溶解性

    日本セラミック協会 年会講演予稿集   259  1998

  • I族アルカリ金属置換に対する(La, Sr)MnO3磁気抵抗効果

    日本セラミック協会 年会講演予稿集   89  1998

  • Phase Stability, Dielectric and Piezoelectric Properties of Relaxor Based Ferroelectrics Abstract

    The Sixth Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity Abstroct   54  1998

  • ゾルゲル法によるSrBi2Ta2O9薄膜特性への下地の影響

    応用物理学会年会    1998

  • Microstructures and Electrical Properties of Nb-doped SrTiO3 Bicrystals

    US-Japan Workshop on Electrically Active Ceramic Interfaces   55  1998

  • Oxygen Grainboundary Diffusion in Strontium Titanate

    US-Japan Workshop on Electrically Active Ceramic Interfaces   51  1998

  • ナイトライドセラミックス応用の現状～磁性窒化物を中心として～

    電気化学会 第6回機能性セラミックス研究会 ナイトライドセラミックスとその応用    1998

  • ECRスパッタリング法により作製したBi4Ti3O12,SrBi2,Ta2O9薄膜の特性

    日本セラミックス協会 第36回セラミックス基礎化学討論会講演要旨集   402  1998

  • Effects of B-site Ions on the Electromechanical Coupling Factors of Pb(B'B") O3-PbTiO3 Piezoelectric Materials

    Jpn. J. appl. Phys.,   37,5288-5291  1998

    DOI

  • Oxygen Self-Diffusion in Strontium Titanate

    Proc. of the Fourth International Conference on Intelligent Materials   38  1998

  • ナイトライドセラミツクス応用の現状―磁性窒化物を中心として

    ニューセラミックス   11,9  1998

  • 電池用Li系酸化物の結晶化学と物性

    月刊ディスプレイ   4,9,37  1998

  • セラミックス・ガラス

    照明学会誌   82,8B,643  1998

  • 透明導線膜の標準化のインパクト

    機能材料   18,8,50  1998

  • 放電プラズマ焼結法によるセラミックス，合金系材料の合成と物性

    ニューセラミックス   11,7,14  1998

  • 材料からみたディスプレイ開発の現状と将来性

    月刊ディスプレイ   4,7,1  1998

  • B2O3又はV2O5添加によるMgTiO3-CaTiO3系マイクロ波誘電体の低温焼成化

    J. Ceram. Soc. Jpn. <I>106</I>   339  1998

  • Oxygen Grainboundary Diffusion in Strontium Titanate

    Proc. of US-Japan Workshop on Electrically Active Ceramic Interfaces   145  1998

  • Microstructure and Electrical Properties of Nb-doped SrTiO3 Bicrystals

    Proc.of US-Japan Workshop on Electrically Active Ceramic Interfaces   133  1998

  • 酸化物超伝導体の合成と特性

    粉体粉末冶金協会 粉体および粉末冶金   45,2  1998

  • 新版 静電気ハンドブック

    オーム社    1998

  • Electroceramics in Japan I

    Trans, Tech. Pub.    1998

  • やさしい超音波工学

    工業調査会    1998

  • Phase stability, dielectric and piezoelectric properties of the Pb(S1/2Nb1/2)O-3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O-3-PbTiO3 ternary ceramic materials

    Y Yamashita, Y Hosono, N Ichinose

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   36 ( 3A ) 1141 - 1145  1997.03

    　View Summary

    The crystal structure and electrical properties of xPb(SC1/2Nb1/2)O-3-yPb)(Zn1/3Nb2/3)O-3-zPbTiO(3) (PSZNT 100x/100y/100z) ternary ceramic materials have been systematically investigated. Stable perovskite-phase ceramics are obtained with less than 20 mol% of Pb(Zn1/3Nb2/3)O-3 and more than 50 mol% of PbTiO3. Piezoelectric properties were found to peak at PSZNT 31/40/29, where the electromechanical coupling factor kp is 60%. The dielectric constant is 2,020, and Curie temperature (T-c) is 222 degrees C. hn interesting property of PSZNT is a nonlinear T-c change in terms of the composition. T-c decreases with increasing PbTiO3 content in the range 0.3 &gt; z &gt; O and then increases with z &gt; 0.3. This nonlinear change in T-c is explained as a site preference of Zn ions in the PSZNT system.

    DOI

  • 山地克彦、一ノ瀬昇; SrTiO3系バリスタの一粒界モデル

    インテリジェント材料シンポジウム予稿集   37  1997

  • N.Ichinose; Control of Interaction between Peculiar Interface Electrons in Multilayer Films and Modeling for Generating Functions

    Proc.of Workshop on Functional Interfaces in Ceramic Materials   24;28  1997

  • Y.Yamashita,Y.Hosono and N.Ichinose; Phase Stability，Dielectric and Piezoelectric Properties of the Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Ternary Ceramic Materials

    Jpn.J.Appl.Phys   <U>36< ( U> 1141-1145 )  1997

    DOI

  • Functionally Graded Materials

    The American Ceramic Society    1997

  • 一ノ瀬昇；フロンティアセラミックス研究の将来展望

    The Materials Research Society of Japan 第9回年次総会・学術シンポジウム講演要旨集   82  1997

  • 羽田肇、石垣隆正、田中順三、菱田俊一、坂口勲、一ノ瀬昇；ペロブスカイト酸化物中の非平衡酸素欠陥

    粉体粉末冶金協会 平成9年度秋季大会 講演概要集   263  1997

  • 野沢星輝、柳谷高公、羽田肇、池上隆康、坂口勲、一ノ瀬昇；多結晶体YAGの酸素拡散に対するシリカの影響

    粉体粉末冶金協会 平成9年度秋季大会 講演概要集   253  1997

  • 一ノ瀬昇、馬場彰；Nd1-xCaxBa1.5Sr0.5Cu3O超伝導体に及ぼすアニール効果

    粉体粉末冶金協会 平成9年度秋季大会 講演概要集   252  1997

  • 朝日透、大間知範威、諸橋慎、内藤宏、一ノ瀬昇；透光性水酸化アパタイトの光学的研究

    粉体粉末冶金協会 平成9年度秋季大会 講演概要集   227  1997

  • 真岩宏司、一ノ瀬昇；多元スパッタリングで作製した (Pb,Ca)TiO3薄膜結晶構造と特性評価

    日本セラミックス協会 第17回電子材料研究討論会 講演予稿集   87  1997

  • 野村雅信、一ノ瀬昇、山地克彦、羽田肇、田中順三； SrTiO3単結晶の接合とその界面特性

    日本セラミックス協会 第17回電子材料研究討論会 講演予稿集   67  1997

  • 中根誠、中井雄一郎、一ノ瀬昇；LiMn2-xFexO4の合成とリチウム2次電池特性

    日本セラミックス協会 第10回秋季シンポジウム 講演予稿集   351  1997

  • 諸橋慎、内藤宏、尾島健二、一ノ瀬昇、伊藤敦夫；放電プラズマ焼結法によるチタン／アルミナ及びチタン／亜鉛含有リン酸三カルシウムの接合

    日本セラミックス協会 第10回秋季シンポジウム 講演予稿集   87  1997

  • 小柏尊明、一ノ瀬昇；(Pr,Sr)MnO3の磁気抵抗効果

    日本セラミックス協会 第10回秋季シンポジウム 講演予稿集   58  1997

  • N. Ichinose, T. Ukai and Y. Yamashita; Dielectric Properties of Ta2O5 Based Ceramics

    The Eighth US-Japan Seminar on Dielectric & Piezoelectric Ceramics, Abstracts   220  1997

  • H. Maiwa and N. Ichinose; Electrical Properties of (Pb,Ca)TiO3 Thin Films by Multiple-Cathode Sputtering

    The Eighth US-Japan Seminar on Dielectric & Piezoelectric Ceramics, Abstracts   104  1997

  • N. Ichinose; A New Trend of Ceramic Research in Japan "Frontier Ceramics" National Project

    The American Ceramic Society, Abstracts   5  1997

  • 一ノ瀬昇；希土類のリサイクル化技術

    照明学会研究会資料    1997

  • 一ノ瀬昇、中島晃、小田巻誠；傾斜構造を有するFeSix系化合物の熱電特性に及ぼす微細構造の影響

    日本化学会 第73秋季年会 講演予稿集   151  1997

  • 一ノ瀬昇；Li系酸化物の結晶化学と物性

    電気化学会 第4回機能性セラミックス研究会 講演要旨集    1997

  • 一ノ瀬昇、野村雅信、羽田肇、田中順三；SrTiO3単結晶の接合とその界面特性

    電気化学会 秋季大会 講演要旨集   200  1997

  • 一ノ瀬昇；傾斜組成材料

    日本セラミックス協会 複合材料セミナー要旨集   57  1997

  • 一ノ瀬昇；フロンティアセラミックスプロジェクトの概要

    電気化学会 第3回機能性セラミックス研究会 講演要旨集    1997

  • 一ノ瀬昇；高・強誘電体メモリ材料の物性

    電気化学会 第2回機能性セラミックス研究会 講演要旨集    1997

  • 一ノ瀬昇、渡邊優；RFマグネトロンスパッタリング法により作製したSrBi2Ta2O9薄膜の疲労特性

    第14回強誘電体応用会議 講演予稿集   83  1997

  • 真岩宏司、一ノ瀬昇；多元スパッタリング法による(Pb,Ca)TiO3薄膜の作製と評価

    第14回強誘電体応用会議 講演予稿集   45  1997

  • 羽田肇、田中順三、坂口勲、一ノ瀬昇；酸化反応によるスピネルフェライト格子の成長

    粉体粉末冶金協会 平成9年度春期大会 講演概要集   270  1997

  • 一ノ瀬昇、川谷毅；低酸素分圧下焼成によるNdBa2Cu3Oy多結晶体の焼成条件と超伝導特性

    粉体粉末冶金協会 平成9年度春期大会 講演概要集   187  1997

  • 羽田肇、菱田俊一、石垣隆正、坂口勲、一ノ瀬昇；ペロブスカイト薄膜中の酸素拡散

    粉体粉末冶金協会 平成9年度春期大会 講演概要集   79  1997

  • 野村雅信、山地克彦、羽田肇、田中順三、一ノ瀬昇； チタン酸ストロンチウム単結晶の接合とその界面特性

    粉体粉末冶金協会 平成9年度春期大会 講演概要集    1997

  • N. Ichinose and Y. Urabe; Preparation of Multilayer Soft Ferrites by SPS Method

    The American Ceramic Society, Abstracts   131  1997

  • N. Ichinose and Y. Yamashita; Pb(Sc1/2Nb1/2)O3 Based Relaxor Piezoelectric Materials

    The American Ceramic Society, Abstracts   125  1997

  • 一ノ瀬昇；ナイトライドセラミックス～総論～

    電気化学会 第1回機能性セラミックス研究 講演要旨集    1997

  • 馬場彰、川谷毅、一ノ瀬昇；Nd1-xCaxBa1.5Sr0.5Cu3O7-δのアニール条件による構造及び超伝導特性の変化

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   478  1997

  • 野村雅信、一ノ瀬昇、山地克彦、羽田肇、田中順三； SrTiO3の対応粒界―構造評価と分子動力学計算―

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   439  1997

  • 高橋泰生、一ノ瀬昇；高熱伝導窒化アルミニウムの低温焼結

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   219  1997

  • 鵜飼友弘、山下洋八、一ノ瀬昇；Ta2O5高誘電率酸化物材料におけるSiO2添加による誘電特性

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   175  1997

  • 内藤宏、諸橋慎、尾島健二、一ノ瀬昇；Fe、Cu、Mg、Zn、Mnのβ-TCPへの固溶限界

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   84  1997

  • 渡辺優、一ノ瀬昇；RFマグネトロンスパッタリング法によるSrBi2Ta2O9薄膜の作成とその電気的特性

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   8  1997

  • 山地勝彦、一ノ瀬昇、松井良夫、田中順三；SrTiO3バリスタの一粒界モデル

    第6回インテリジェント材料シンポジウム講演要旨集   37  1997

  • N. Ichinose; Aging Properties of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 Based Relaxor Ferroelectrics

    Ferroelectrics   <U>203< ( U> ) 187 - 199  1997

  • N. Ichinose and H. Yamamoto; Effect of Additives on Microwave Dielectric Properties in Low-Temperature Firing (Mg,Ca)TiO3 Based Ceramics

    Ferroelectrics   <U>201< ( U> ) 255 - 262  1997

  • Fatigue Characteristics of SrBi2Ta2O9 Thin Films by RF Magnetron Sputtering Method

    Ichinose Noboru, Watanabe Masaru

    Jpn J Appl Phys   36 ( 9B ) 5893 - 5895  1997

    　View Summary

    Ferroelectric SrBi2Ta2O9 thin films were synthesized on various substrates, such as MgO(100), glass, Pd/MgO(100) and Pd/glass by the rf magnetron sputtering method. Single-phase thin films were prepared on these substrates using a target with the starting chemical composition of SrCO3:Bi2O3:Ta2O5=0.7:1.2:1. At the higher substrate temperature of 1073 K, (h 0 l) orientation was found. The hysteresis loop of the thin film on Pd(100)/MgO(100) substrate did not change up to 109 switching cycles. These properties are very attractive for nonvolatile memory application.

    DOI CiNii

  • 一ノ瀬昇；セラミックス・ガラス（1）

    照明学会誌   No.8B ,743  1997

  • 一ノ瀬昇、羽田肇；フロンティアセラミックスプロジェクトの概要

    ニューセラミックス   No.6 ,9-15  1997

  • N. Ichinose and T. Ogiwara; Rapid Thermal Annealing Effect of (Ba, Sr) TiO3 Thin Films

    Ferroelectrics   <U>196< ( U> ) 9 - 16  1997

  • 工業材料大辞典

    工業調査会    1997

  • セラミックス大辞典

    丸善    1997

  • エネルギー・資源ハンドブック

    (株)オーム社    1996

  • 一ノ瀬昇、森田隆之; Bi系炭酸基超伝導体の合成と物性

    粉体粉末冶金協会講演概要集 平成8年度秋季大会   266  1996

  • 真岩宏司、一ノ瀬昇; ECRスパッタリング法によるBi4Ti3O12薄膜の作製

    日本セラミックス協会 第9回秋季シンポジウム 講演予稿集   359  1996

  • 一ノ瀬昇、森田隆之; Bi系炭酸基超伝導体の合成と物性

    第16回電子材料研究討論会 講演予稿集   87  1996

  • 真岩宏司、一ノ瀬昇; ECRスパッタリング法により作製したBi4Ti3O12薄膜の結晶構造と電気的特性

    第16回電子材料研究討論会 講演予稿集   39  1996

  • 山下洋八、一ノ瀬昇; Pb(B'B'')O3-PbTiO3材料の圧電特性

    第16回電子材料研究討論会 講演予稿集   39  1996

  • 羽田肇、一ノ瀬昇; フロンティアセラミックスプロジェクトの概況

    '96年電気化学秋季大会 講演予稿集   269  1996

  • N.Ichinose and A.Nakamura; Magnetoresistance Effect in the La1-xSrxMnO3 Ceramics

    7th International Conference on Ferrites   343  1996

  • N.Ichinose and H.Yamamoto; Effect of Additives on Microwave Dielectric Properties in Low Firing(Mg，Ca)TiO3 Based Ceramics

    3rd European Conference on Applications of Polar Dielectrics,Book of Abstracts   219  1996

  • N.Ichinose，Y.Hosono and Y.Yamashita; Preparation and Piezoelectric Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Solid Solution Ceramics

    The 10th International Symposium on the Application of Ferroelectrics   80  1996

  • N.Ichinose and T.Tao; Preparation and Piezoelectric Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Solid Solution Ceramics

    Proc.of World Cong.on Chem.Eng.   659  1996

  • N.Ichinose，K.Yamaji，Y.Matsui and J.Tanaka; Interface Structure and Electrical Properties of SrTiO3-Bicrystals

    International Materials Conference Ceramic Microstructures '96   90  1996

  • 一ノ瀬昇、野村雅信; RFマグネトロンスパッタによる(Bi，La)4Ti3O12薄膜の作製とその電気的特性

    第13回強誘電体応用会議 講演予稿集   189  1996

  • 真岩宏司、一ノ瀬昇; 多元スパッタリングで作製した(Pb，La)TiO3薄膜のDRAM応用

    第13回強誘電体応用会議 講演予稿集   135  1996

  • Y.Yamashita，K.Harada，T.Tao and N.Ichinose; Piezoelectric Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3-PbTiO3 Ternary Ceramic Materials near the Morphotropic Phase Boundary

    Pac-Rim Conf.on Ferroelectric Applications   VII;2  1996

  • H.Maiwa and N.Ichinose; Preparation of Bi4Ti3O12 Thin Films by Electron Cyclotron Resonance Sputtering

    Pac-Rim Conf.on Ferroelectric Applications   IV;4  1996

  • 一ノ瀬昇、金子光弘; (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Ox-Ag系マイクロコンポジットの作製と超伝導特性

    粉体末冶金協会講演概要集 平成8年度春季大会   94  1996

  • N.Ichinose and M.Nomura; Fatigue Characteristics of (Bi，La)4Ti3O12 Thin Films by RF Magnetron Sputtering

    日本MRSシンポジウム プログラム・要旨集   161  1996

  • N.Ichinose; Magnetic Properties and Application of Multilayer Soft Ferrites

    Am.Ceram.Soc.Annual Meeting & Exposition Abstract Book   169  1996

  • 一ノ瀬昇、中村明; (La，Sr)MnO3系セラミックスの巨大磁気抵抗効果

    電気化学会第63回大会 講演要旨集   251  1996

  • 千田直樹、山元寿文、一ノ瀬昇; 低温焼結(Pb,Ca)(Mg，Nb)O3系誘電体のマイクロ波特性

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   387  1996

  • 細野靖晴、山下洋八、一ノ瀬昇; スカンジウムニオブ酸鉛を含む3成分系セラミックスの誘電特性

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   386  1996

  • 野村雅信、一ノ瀬昇; RFマグネトロンスパッタによる(Bi,La)4Ti3O12薄膜の作製と疲労特性

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   375  1996

  • 尾島健二、竹内さやか、松森靖子、一ノ瀬昇; 亜鉛含有リン酸カルシウムの合成と細胞適合性

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   357  1996

  • 森本賢治、一ノ瀬昇; 液相焼結させたAIN粒界相のAES分析

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   212  1996

  • 長谷和人、小田巻誠、一ノ瀬昇; 放電プラズマ焼結（SPS）法により作製したIn2O3-SnO2の熱電特性

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   122  1996

  • 柴田俊正、伊藤剛、中村明、一ノ瀬昇; メカニカルグラインデイング（MG）法により作製したNdFe11TiNx磁性体へのCo添加の影響

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   98  1996

  • 浦辺安彦、伊藤剛、中村明、一ノ瀬昇; 放電プラズマ焼結（SPS）法によるMn-Znフェライトの作製

    日本セラミックス協会 年会講演予稿集   96  1996

  • 一ノ瀬昇; ITOを語る－過去・現在・未来

    月刊ディスプレイ   <U>2< ( U> 9;19-21 )  1996

  • 一ノ瀬昇; 高周波材料とその応用部品－総論

    ニューセラミックス   9;1-5  1996

  • H.Maiwa and N.Ichinose; Dielectric Properties of(Pb,La)TiO3 Thin Films by Multiple-Cathode Sputtering and Its Application to Dynamic Random Access Memory Capacitors

    Jpn.J.Appl.Phys.   <U>35< ( U> 4976-4979 )  1996

  • N.Ichinose and M.Nomura Electrical Properties of(Bi,La)4Ti3O12 Based Thin Films Prepared by RF Sputtering

    Jpn.J.Appl.Phys.   <U>35< ( U> 4960-4962 )  1996

    DOI

  • N.Ichinose，K.Ymaji，Y.Matsui and J.Tanaka; Electrical Properties of SrTiO3-Bicrystals

    Proc.of Int.Conf.on Electronic Ceramics and Applications;   2 537-540  1996

  • N.Ichinose，T.Tao and Y.Yamashita; Preparation of Piezoelectric Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Solid Solution Ceramics

    Proc.of World Cong.on Chem.Eng.   659-664  1996

  • 一ノ瀬昇；セラミックス・ガラス（1）セラミックス

    照明学会誌   <U>80< ( U> No.8B 598-599 )  1996

  • N.Ichinose and Y.Nakai;Electrical Conductivity of V2O5-SrO-B2O3 Glasses

    J.Non-Crystalline Solids   <U>203< ( U> 353-358 )  1996

    DOI

  • Y.Yamashita，K.Harada，T.Tao and N.Ichinose; Piezoelectric Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3

    Proc.of Pac-Rim Conf.on Ferroelectric Applications   129-132  1996

  • H.Maiwa and N.Ichinose Preparation of Bi4Ti3O12 Thin Films by Electron Cyclotron Resonance Sputtering

    Proc.of Pac-Rim Conf.on Ferroelectric Applications   67-70  1996

  • 日本セラミックス協会年会に参加して

    電子材料    1995

  • 湿度，水分計測センサに関する国際ワークショップ

    次世代センサ   5;1  1995

  • Piezoelectric Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-PbTiO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 Solid Solution Ceramics

    第12回日韓セラミックスセミナー    1995

  • Dielectric Properties of (Pb,La)TiO3 Thin Films by Multiple Cathode Sputtering

    第12回日韓セラミックスセミナー    1995

  • Dielectric Properties of Pb(Fe2/3W1/3)O3 Based Relaxor Ferroelectrics

    Seventh US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics    1995

  • Preparation and Properties of (Pb,La)TiO3 Thin Films Fabricated by Multiple Cathode Sputtering

    Seventh US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics    1995

  • Bi系炭酸基超伝導体の合成と物性

    粉体粉末冶金協会 平成7年度秋季大会    1995

  • Effect of Mn Ions on the Piezoelectric and Ageing Properties of PZT and Relaxor Ferroelectrics

    47th Pacific Coast Regional Meeting of the American Ceramic Society    1995

  • Interface Structure and Electronic Properties of SrTiO3-Bi-Crystals

    47th Pacific Coast Regional Meeting of the American Ceramic Society    1995

  • Dielectric Properties of Pb(Fe2/3W1/3)O3 Based Relaxor Ferroelectrics

    Third IUMRS International Conference in Asia    1995

  • Rapid Thermal Annealing Effect of (Ba,Sr)TiO3 Thin Films

    First Asian Meeting on Ferroelectrics    1995

  • Low Temperature Sintering and Thermal Conductivity of AIN Ceramics

    International Conference on Electronic Components and Materials Sensors and Actuators    1995

  • SrTiO3バイクリスタルの構造と電気的特性

    日本セラミックス協会 第8回秋季シンポジウム    1995

  • 多元スパッタリングで作製した(Pb,La)TiO3薄膜のDRAM応用

    日本セラミックス協会 第8回秋季シンポジウム    1995

  • スカンジウムニオブ酸鉛系圧電材料の誘電・圧電特性とNb2O5添加による影響

    日本セラミックス協会 第15回電子材料研究討論会    1995

  • 多元スパッタリング法で作製した(Pb,La)TiO3薄膜の電気的性質

    日本セラミックス協会 第15回電子材料研究討論会    1995

  • セラミックプロセス技術の最近の動向

    日本セラミックス協会 第15回電子材料研究討論会    1995

  • 酸化物導電性抵抗体の研究動向

    1995年電気化学協会秋季大会    1995

  • Preparation of Cerium Oxide Thin Films and Their Optical Properties

    7th International Symposium on the Science & Technology of Light Sources    1995

  • Electrical Conductivity of V2O5-SrO-B2O3 Glasses

    13th University Conference on Glass Science Optical and Electrical Properties of Glasses    1995

  • 酸化物導電材料とその応用－総論

    電気化学協会 第36回導電性セラミックス研究会    1995

  • プラズマ放電焼結法により作製したβ-FeSi2の微細構造と熱電特性

    粉体粉末冶金協会 平成7年度春季大会    1995

  • (Ba,Sr)TiO3薄膜のRapid Thermal Annealing（RTA）効果

    第12回強誘電体応用会議    1995

  • 多元スパッタリングで作製した(Pb,La)TiO3薄膜のエッチング，熱処理による物性変化

    第12回強誘電体応用会議    1995

  • Piezoelectric Properties of Lead-Free (Bi1/2Na1/2)TiO3 Based Ceramics

    American Ceramic Society, 97th Annual Meeting Abstracts    1995

  • β-FeSi2の微細構造と熱電特性

    電気化学協会第62回大会    1995

  • CaMnO3-δの熱電特性に及ぼす熱処理の影響

    日本セラミックス協会 1995年年会    1995

  • BaO-Sm2O3-TiO2系マイクロ波誘電体に対するWO3添加効果

    日本セラミックス協会 1995年年会    1995

  • 非ケイ酸ガラス（V2O5-SrO）系の電気伝導性

    日本セラミックス協会 1995年年会    1995

  • Bi2Sr4Cu2(CO3)O8におけるBO3置換効果

    日本セラミックス協会 1995年年会    1995

  • SrTiO3バイクリスタルの作製と評価

    日本セラミックス協会 1995年年会    1995

  • リン酸カルシウムの骨原性細胞接着性と分化

    日本セラミックス協会 1995年年会    1995

  • 生体必須元素含有リン酸カルシウムの合成

    日本セラミックス協会 1995年年会    1995

  • Effect of Carbon-Reducting Atmosphere on the Properties of Aluminum Nitride (AIN)

    Materials Chemistry and Physics   42  1995

    DOI

  • Dielectric Properties of Pb(Fe2/3W1/3)O3 Based Relaxor Ferroelectrics

    Extended Abstract of the Seventh US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics    1995

  • Preparation and Properties of (Pb,La)TiO3 Thin Films Fabricated by Multiple Cathode Sputtering

    Extended Abstract of the Seventh US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics    1995

  • 素形材学校－知っておきたい話題の材料（16） 17．非金属超電導材料

    素形材    1995

  • Dielectric Properties of Pb(Fe2/3W1/3)O3 Based Relaxor Ferroelectrics

    Proceeding of the Third IUMRS International Conference in Asia   2  1995

  • Low Temperature Sintering and Thermal Conductivity of AIN Ceramics

    Proceeding of International Conference on Electronic Components and Materials, Sensors and Actuators    1995

  • セラミック化学センサの可能性を探る－総論

    新素材    1995

  • Piezoelectric Properties of (Bi1/2Na1/2)TiO3 Based Ceramics

    Ferroelectrics   169  1995

  • Preparation and Rapid Thermal Annealing Effect of (Ba,Sr)TiO3 Thin Films

    Jpn. J. Appl. Phys.   34  1995

    DOI

  • Characteristic Change due to Argon Ion Etching and Heat Treatment of (Pb,La)TiO3 Thin Films Fabricated by Multiple Cathode Sputtering

    Jpn. J. Appl. Phys.   34  1995

    DOI

  • センシング・テクノロジ－安全性確保と自動化を支える重要技術

    日経エレクトロニクス    1995

  • セラミック・ガラス (1) セラミックス

    照明学会誌   79;8B  1995

  • 液晶デバイス用材料技術－総論

    ニューセラミックス 3. エレクトロニク・セラミクス26   126  1995

  • Preparation and Dielectric Properties of (Ba,Sr)TiO3 Thin Films by RF Magnetron Sputtering

    Proceedings of IUMRS-ICA-'94    1995

  • 先端材料事典（先端材料事典編集委員会）

    産業調査会    1995

  • セラミックインダストリー

    大日本図書    1995

  • 電子機器・部品の信頼度予測

    総合電子リサーチ    1995

  • 電子セラミックス

    化学便覧：応用化学編 第5版（日本化学会編）/丸善   3.3章  1995

  • Investigation of Synthesizing Process for Single Phase Y-Pb-B-C

    Advances in Superconductivity VII   1  1994

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Industrial Property Rights

  • タンパク質担持リン酸カルシウム、その製造方法及びそれを用いたタンパク徐放体、人工骨及び組織工学スキャフォールド

    Patent

    　View Summary

    特開2004-173795

  • 亜鉛徐放性リン酸カルシウムを用いた硬化性骨補填剤及び皮膚欠損治療用剤

    Patent

    　View Summary

    特開2004-175760

 

Internal Special Research Projects

  • 光エネルギー変換セラミック材料の実証試験研究

    2000  

    　View Summary

    　材料、特にセラミック材料において、エネルギー変換に関する現象は極めて多い。エネルギーの形態の分類はいろいろな考え方があるが、エネルギーが移動するときの形態に重点を置いて分類すると、力学的エネルギー、熱エネルギー、電磁気エネルギーなどがある。セラミック材料を媒体としてこれらのエネルギー相互変換のほとんどすべての過程が可能である。　エネルギー変換作用を利用するに当たっては、変換にあずかるエネルギーの量や質によっていろいろな過程が存在する。一つは電力源としての電気エネルギーを取り出すような場合で、大きな量のエネルギーが関与する過程であり、変換効率の向上が重要な問題となる。また信頼性、材料コストなども問題となる。　本研究の目的は、セラミック材料をエネルギー変換材料に適用し高度なセラミックプロス技術を導入することにより高性能化を計るものである。特に光エネルギー変換材料の創製を行うことが本研究の主目的である。本研究で得られた結果は次の通り。１）発光管材料の高性能化：従来の透光性アルミナに比べ新規に開発した透光性YAG（Y３Al５O12）は直線透過率が大幅に向上し、また耐ナトリウム性が優れており、新しい発光管として有用であることがわかった。２）赤外線反射膜の高効率化：赤外線反射膜として従来のTiO２-SiO２系に対してLa２O３-TiO２-SiO２多元系は効率が改善され有望であることがわかった。３）光触媒材料の開発：従来のTiO２触媒に代るものとしてZnO系を検討した。ZnO単結晶を用いその（0001）表面をCAICISS，AFMなどで調べ、格子緩和を観測した。ZnO単結晶表面の基礎研究からZnO系材料は触媒として可能性があることがわかった。

  • 高性能エネルギー変換セラミック材料の戦略研究

    1997   北田　韶彦, 小山　泰正

    　View Summary

    本研究は、セラミック材料をエネルギー変換に適用し、高度なセラミックプロセス技術を導入することにより高性能化を計ることを目的としている。また、新規な高効率圧電変換、熱電変換、電気化学変換材料の創製を行うことも本研究の主目的である。以下得られた研究成果をまとめると次のようになる。１） 圧電変換材料　従来のチタンジルコン酸鉛（PZT）系圧電材料に代わる高性能材料が要望されていたがここ40年ぐらいはPZTを凌ぐ材料は得られていなかった。今回、Pb(Sc1/2Nb1/2)O3リラクサ系強誘電体をベースにしたPb(Sc1/2Nb1/2)O3- Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3三成分系材料で電気機械結合係数kpがPZT系の65％を越える72％のものを得ることができた。新材料の開発により超音波診断装置用プローブの大幅な性能向上が見込まれる。２） 熱電変換材料　高温用熱電変換材料にはFeSi2が知られている。しかし、この材料の熱電能の温度特性はFeとSiの組成比をFeSix(x＝1.5-2.2)と変えることにより広範な温度範囲で性能を高めることができる。従って、ここでは組成比を変えたものを傾斜化させた、傾斜組成熱電材料を検討することによってFeSi2単体より50％程度の性能改善を実現することができた。３） 電気化学変換材料　最近Li2次電池が実用化され、電池の小型、長寿命化が加速的に進んでいる。Li2次電池の正極材料にはLiCoO2, LiMn2O4などが主流になりつつある。ここでは、LiMn2O4などスピネル型構造のＢ位置のMnをFeやVで置換したLiMn2-xMxO4(M＝Fe, V)で性能改善を計ることができた。研究成果の発表1) H. Maiwa and N. IchinosePreparation of Bi4Ti3O12Thin Films by Electron Cyclotron Resonance Sputtering Proc. of Pac-Rim Conf. on Ferroelectric Applications, 67-70, 19962) Y. Yamashita, K. Harada, T. Tao and N. IchinosePiezoelectric Conductivity of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3Proc. of Pac-Rim Conf. on Ferroelectric Applications, 129-132, 19963) N. Ichinose and Y. NakaiElectrical Conductivity of V5O5-SrO-B2O3 GlassesJ. Non-Crystalline Solids 203 353-358, 19964) N. Ichinose, T. Tao and Y. YamashitaPreparation of Piezoelectric Properties of Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Solid Solution CeramicsProc. of World Cong. on Chem. Eng., 659-664, 19965) N. Ichinose, K. Yamaji, Y. Matsui and J. TanakaElectrical Properties of SrTiO3-BicrystalsProc. of Int. Conf. on Electronic Ceramics and Applications, Vol. 2 537-540, 19966) N. Ichinose and M. NomuraElectrical Properties of (Bi, La)4Ti3O12 Based Thin Films Prepared by RF SputteringJpn. J. Appl. Phys., 35(1996) 4960-4962, 19967) H. Maiwa and N. IchinoseDielectric Properties of (Pb, La)TiO3 Thin Films by Multiple-Cathode Sputtering and Its Application to Dynamic Random Access Memory Capacitors Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996) 4976-4979, 19968) N. Ichinose and T. OgiwaraRapid Thermal Annealing Effect of (Ba, Sr)TiO3Thin Films Ferroelectrics., 196 9-16, 19979) Y. Yamashita, Y. Hosono and N. IchinosePhase Stabillity, Dielectric and Piezoelectric Properties of the Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Ternary Ceramic Materials Jpn. J. Appl. Phys., 36 1141-1145, 199710) 一ノ瀬　昇、羽田　肇フロンティアセラミックスプロジェクトの概要ニューセラミックス、No. 6　9-15, 199711) 一ノ瀬　昇セラミック・ガラス（１）照明学会誌、No. 8B743, 199712) N. Ichinose and M. WatanabeFatigue Characteristics of SrBi2Ta2O9 Thin Films by Magnetron Sputtering Method Jpn. J. Appl. Phys., 36 5893-5895, 199713) N. Ichinose and H. YamamotoEffect of Additives on Microwave Dielectric Properties in Low-Temperature Firing (Mg, Ca) TiO3 Based Ceramics Ferroelectrics 201 255-262, 199714) N. IchinoseAging Properties of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 Based Relaxor Ferroelectrics Ferroelectrics 203 187-199, 199715) Y. Koyama, M. Hatano and M. TanimuraAntiphase Boundaries, Inversion, and Ferroelastic Domains in the Striped-type Superstructure of γ-brass Cu-Al AlloysPhys. Rev. B53 11462-11468, 199616) M. Tanimura Y. Inoue, Y. KoyamaChange in Microstructure during Aging at 1273K in Ti-40at.% Al AlloyMater. Trans. JIM, 37 1190-1196, 199617) C. Sato, T. Yokota, K. Sato and Y. KoyamaModulated Structure in Al65Cu20Fe15-xMnx Alloys, studied by Transmission Electron MicroscopyMater. Trans. JIM, 37 1214-1218, 199618) K. Ito, Y. Koyama, Y. Inoue, Y. Maeno and T. FujitaLow-temperature Structure Transitions and Tc-suppression in La2-x-yBaxNdyCuO4Advances in Superconductivity VIII, 239-242, 199619) Y. Inoue, M. Hara, Y. Koyama, Y. Maeno and T. FujitaFeatures of Microstructure in Sr2RuO4Advances in Superconductivity VIII, 243-246, 199620) A. KitadaNote on the Topologization of Polycrystal J. Phys. Soc. Japan 65 331, 1996