他学部・他研究科等兼任情報
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商学学術院 商学部
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理工学術院 大学院先進理工学研究科
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附属機関・学校 グローバルエデュケーションセンター
2023/02/02 更新
商学学術院 商学部
理工学術院 大学院先進理工学研究科
附属機関・学校 グローバルエデュケーションセンター
理工学術院総合研究所 兼任研究員
大阪大学 博士(理学)
大阪大学 基礎工学研究科 博士前期課程 物理系専攻 物性学分野
大阪大学 基礎工学部 物性物理工学科
大阪大学 博士(理学)
(BLANK)
早稲田大学 研究院長
早稲田大学 理工学術院長
早稲田大学 先進理工学部長兼研究科長
北海道大学 非常勤講師
科学技術振興事業団 さきがけ研究員
北海道大学大学院工学研究科 非常勤講師
早稲田大学理工学部 教授
早稲田大学理工学部 助教授
静岡大学工学部 非常勤講師
東北大学電気通信研究所 非常勤講師
富士通研究所退職
フェムト秒テクノロジー研究機構研究員(つくば, 出向)
東北大学電気通信研究所 非常勤講師
大阪大学基礎工学部 非常勤講師
マックスプランク固体研究所 (独, stuttgart) 客員研究員
電子技術総合研究所に滞在
富士通研究所入社. 主に、冷水佐壽室長(後:阪大教授・基礎工学研究科長)−武藤俊一主任研(現:北大名誉教授)グループで半導体量子構造の超高速現象の評価に従事
物理学会
電子情報通信学会
応用物理学会
応用物性
半導体、電子デバイス・機器工学、半導体物性、半導体デバイス、スピントロニクス、量子ドット
The striking influence of rapid thermal annealing on InGaAsP grown by MBE: material and photovoltaic device
Lian Ji, Ming Tan, Chao Ding, Kazuki Honda, Ryo Harasawa, Yuya Yasue, Yuanyuan Wu, Pan Dai, Atsushi Tackeuchi, Lifeng Bian, Shulong Lu, Hui Yang
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 458 110 - 114 2017年01月 [査読有り]
Picoseconds carrier spin relaxation in In0.8Ga0.2As/Al0.5Ga0.5As/AlAs0.56Sb0.44 coupled double quantum wells
Tomoki Ishikawa, Shin-ichiro Gozu, Teruo Mozume, Masaki Asakawa, Shunsuke Ohki, Atsushi Tackeuchi
2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 52 04CM05 2016年 [査読有り]
Study of single crystal CuInSe2 thin films and CuGaSe2/CuInSe2 single quantum well grown by molecular beam epitaxy
Sathiabama Thiru, Masaki Asakawa, Kazuki Honda, Atsushi Kawaharazuka, Atsushi Tackeuchi, Toshiki Makimoto, Yoshiji Horikoshi
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 425 203 - 206 2015年09月 [査読有り]
Observation of picosecond electron spin relaxation in InGaAsP by time-resolved spin-dependent pump and probe reflection measurement
Ryo Harasawa, Naoki Yamamoto, Hao Wu, Takanori Aritake, Shulong Lu, Lian Ji, Atsushi Tackeuchi
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 252 ( 6 ) 1244 - 1247 2015年06月 [査読有り]
Investigation of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy
Lian Ji, Ming Tan, Kazuki Honda, Ryo Harasawa, Yuya Yasue, Yuanyuan Wu, Pan Dai, Atsushi Tackeuchi, Lifeng Bian, Shulong Lu, Hui Yang
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 137 68 - 72 2015年06月 [査読有り]
Carrier recombination dynamics of MBE grown InGaAsP layers with 1 eV bandgap for quadruple-junction solar cells
Lian Ji, Shulong Lu, Yuanyuan Wu, Pai Dai, Lifeng Bian, Masayuki Arimochi, Tomomasa Watanabe, Naohiro Asaka, Mitsunori Uemura, Atsushi Tackeuchi, Shiro Uchida, Hui Yang
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 127 1 - 5 2014年08月 [査読有り]
Picosecond Carrier Recombination of Single-Crystalline GaN Nanorods Grown on Si(111) Substrates
Atsushi Tackeuchi, Chan Ho Yoo, Tae Whan Kim, Young Hae Kwon, Tae Won Kang, Takao Nukui, Taisuke Fujita, Yoshiaki Nakazato, Yu Saeki, Sotaro Izumi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 ( 7 ) 070201 2010年 [査読有り]
Time-resolved Studies of Carrier and Spin Dynamics in Quantum Dots and Wide Band-gap Materials
Atsushi Tackeuchi, Tae Whan Kim, Joo Hyung You, Hong Seok Lee, Hong Lee Park, Takako Chinone, Ji-Hao Liang
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 55 ( 1 ) 107 - 111 2009年07月 [査読有り]
Carrier density dependence of nonresonant carrier tunneling in GaAs double quantum wells - effect of exciton and free carrier thermodynamic
S. L. Lu, T. Ushiyama, A. Tackeuchi, S. Muto
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1 5 ( 1 ) 78 - + 2008年 [査読有り]
Energy relaxation time of hot carriers photoexcited in InGaN
T. Ushiyama, T. Toizumi, Y. Nakazato, A. Tackeuchi
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1 5 ( 1 ) 143 - 145 2008年 [査読有り]
Competition between quantum-confined Stark effect and free-carrier screening effect in AlGaN/GaN multiple quantum wells
T. Fujita, T. Toizumi, Y. Nakazato, A. Tackeuchi, T. Chinone, J. H. Liang, M. Kajikawa
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1 5 ( 1 ) 356 - + 2008年
Transition from excitonic tunneling to free carrier tunneling in GaAs/AlGaAs double quantum wells
Shulong Lu, Takafumi Ushiyama, Taisuke Fujita, Koji Kusunoki, Atsushi Tackeuchi, Shunichi Muto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 ( 6A ) 3305 - 3308 2007年06月 [査読有り]
Picosecond spin relaxations of acceptor-bound exciton and A-band free exciton in wurtzite GaN
A. Tackeuchi, H. Otake, T. Fujita, T. Kuroda, T. Chinone, J. -H. Liang, M. Kajikawa
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 12 3 ( 12 ) 4303 - 4306 2006年 [査読有り]
Coupling of spontaneous emission from GaN-AlN quantum dots into silver surface plasmons
A Neogi, H Morkoc, T Kuroda, A Tackeuchi
OPTICS LETTERS 30 ( 1 ) 93 - 95 2005年01月 [査読有り]
Electron spin flip by antiferromagnetic coupling between semiconductor quantum dots
A Tackeuchi, T Kuroda, Y Nakata, M Murayama, T Kitamura, N Yokoyama
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 42 ( 7A ) 4278 - 4281 2003年07月 [査読有り]
緑色発光LEDの時間分解エレクトロルミネッセンス測定
黒田剛正, 藪下智仁, 竹内淳, 堀尾直史, 谷口和与至, 山下陽滋, 千野根崇子, 船岡千洋
信学技報 ED2002-77, LQE2002-52 17 - 20 2002年06月
Localized exciton dynamics in InGaN quantum well structures
SF Chichibu, T Azuhata, H Okumura, A Tackeuchi, T Sota, T Mukai
APPLIED SURFACE SCIENCE 190 ( 1-4 ) 330 - 338 2002年05月 [査読有り]
Antiferromagnetic coupling between semiconductor quantum dots
A Tackeuchi, T Kuroda, R Sasou, Y Nakata, N Yokoyama
PHYSICA B-CONDENSED MATTER 314 ( 1-4 ) 25 - 29 2002年03月 [査読有り]
Similarities in the optical properties of hexagonal and cubic InGaN quantum wells
SF Chichibu, T Onuma, T Kuroda, A Tackeuchi, T Sota, T Kitamura, H Nakanishi, Y Ishida, H Okumura, S Keller, UK Mishra, SP DenBaars, S Nakamura, M Sugiyama
GAN AND RELATED ALLOYS-2001 693 481 - 486 2002年 [査読有り]
半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転
竹内 淳, 黒田剛正, 中田義昭, 横山直樹
日本物理学会誌 第57巻 ( 12号 ) 904 2002年
Time-resolved electroluminescence study of green light-emitting diode
T Kuroda, N Horio, K Taniguchi, H Sato, C Funaoka, A Tackeuchi
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS 0, 25 25 - 28 2002年 [査読有り]
Localized exciton dynamics in strained cubic In0.1Ga0.9N/GaN multiple quantum wells
SF Chichibu, M Sugiyama, T Onuma, T Kitamura, H Nakanishi, T Kuroda, A Tackeuchi, T Sota, Y Ishida, H Okumura
APPLIED PHYSICS LETTERS 79 ( 26 ) 4319 - 4321 2001年12月 [査読有り]
Time-resolved photoluminescence study of InGaN MQW with a p-contact layer
T Kuroda, R Sasou, A Tackeuchi, H Sato, N Horio, C Funaoka
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 228 ( 1 ) 125 - 128 2001年11月 [査読有り]
Band gap bowing and exciton localization in strained cubic InxGa1-xN films grown on 3C-SiC (001) by rf molecular-beam epitaxy
SF Chichibu, M Sugiyama, T Kuroda, A Tackeuchi, T Kitamura, H Nakanishi, T Sota, SP DenBaars, S Nakamura, Y Ishida, H Okumura
APPLIED PHYSICS LETTERS 79 ( 22 ) 3600 - 3602 2001年11月 [査読有り]
Ultrafast all-optical modulation by near-infrared intersubband transition in n-doped InGaAs/AlAsSb quantum wells
A Neogi, H Yoshida, T Mozume, N Georgiev, T Akiyama, A Tackeuchi, O Wada
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS 33 ( 7-10 ) 975 - 983 2001年07月 [査読有り]
Observation of interdot tunneling process of spin-polarized electrons
A Tackeuchi, Y Nakata, R Sasou, K Mase, T Kuroda, N Yokoyama
PHYSICA E 10 ( 1-3 ) 32 - 35 2001年05月 [査読有り]
Dynamics of carrier tunneling between vertically aligned double quantum dots
A Tackeuchi, T Kuroda, K Mase, Y Nakata, N Yokoyama
PHYSICAL REVIEW B 62 ( 3 ) 1568 - 1571 2000年07月 [査読有り]
No spin polarization of carriers in InGaN
A Tackeuchi, T Kuroda, A Shikanai, T Sota, A Kuramata, K Domen
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 7 ( 3-4 ) 1011 - 1014 2000年05月 [査読有り]
A pump and probe study of photoinduced internal field screening dynamics in an AlGaN/GaN single-quantum-well structure
A Shikanai, T Deguchi, T Sota, T Kuroda, A Tackeuchi, S Chichibu, S Nakamura
APPLIED PHYSICS LETTERS 76 ( 4 ) 454 - 456 2000年01月 [査読有り]
No Spin Polarization of Carriers in InGaN
A. Tackeuchi, T. Kuroda, A. Shikanai, T. Sota, A. Kuramata, K. Domen
Physica E 7 1011 2000年
Luminescence Energy Shift and Carrier Lifetime Change Dependence on Carrier Density in InGaN/InGaN Quantum Wells
T. Kuroda, A. Tackeuchi, T. Sota
Applied Physics Letters 76/25 3753 2000年
Picosecond electron-spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum wells and InGaAs/InP quantum wells
A Tackeuchi, T Kuroda, S Muto, O Wada
PHYSICA B-CONDENSED MATTER 272 ( 1-4 ) 318 - 323 1999年12月 [査読有り]
Electron spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum wires analyzed by transient photoluminescence
T Nishimura, XL Wang, M Ogura, A Tackeuchi, O Wada
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 38 ( 8B ) L941 - L944 1999年08月 [査読有り]
Electron spin-relaxation dynamics in GaAs/AlGaAs quantum wells and InGaAs/InP quantum wells
A Tackeuchi, T Kuroda, S Muto, Y Nishikawa, O Wada
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 38 ( 8 ) 4680 - 4687 1999年08月 [査読有り]
Carrier mobility dependence of electron spin relaxation in GaAs quantum wells
R Terauchi, Y Ohno, T Adachi, A Sato, F Matsukura, A Tackeuchi, H Ohno
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38 ( 4B ) 2549 - 2551 1999年04月 [査読有り]
Carrier dynamics of quantum confined structures
S Muto, A Tackeuchi
MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING R-REPORTS 22 ( 3 ) 79 - 111 1998年04月 [査読有り]
Electron spin relaxation dynamics in InGaAs/InP multiple-quantum wells
A Tackeuchi, O Wada
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 37 ( 1 ) 98 - 99 1998年01月 [査読有り]
Femtosecond saturable absorption recovery in a type-II tunneling bi-quantum well for long-wavelength operation
Y Matsui, K Ogawa, A Tackeuchi, Y Ogawa, A Suzuki
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 204 ( 1 ) 416 - 419 1997年11月 [査読有り]
半導体量子井戸におけるスピン緩和のダイナミクス
竹内淳, 和田修
応用物理 960 1997年09月
Exciton spin dynamics in GaAs quantum wells
S Adachi, T Miyashita, S Takeyama, Y Takagi, A Tackeuchi
JOURNAL OF LUMINESCENCE 72-4 307 - 308 1997年06月 [査読有り]
Electron spin relaxation in InGaAs/InP multiple-quantum wells(共著)
A. Tackeuchi, O. Wada, Y. Nishikawa
Applied Physics Letters 70 ( 9 ) 1131 - 1133 1997年03月 [査読有り]
Polarization choices in exciton-biexciton system of GaAs quantum wells
S Adachi, T Miyashita, S Takeyama, Y Takagi, A Tackeuchi, M Nakayama
PHYSICAL REVIEW B 55 ( 3 ) 1654 - 1660 1997年01月 [査読有り]
Ultrafast all-optical spin polarization switch using quantum-well etalon
Y Nishikawa, A Tackeuchi, M Yamaguchi, S Muto, O Wada
IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 2 ( 3 ) 661 - 667 1996年09月 [査読有り]
Room temperature electron spin dynamics in GaAs/AlGaAs quantum wells(共著)
A. Tackeuchi, Y. Nishikawa, O. Wada
Applied Physics Letters 68 ( 6 ) 797 - 799 1996年02月 [査読有り]
Ultrafast optical sampling pump-probe measurement of exciton spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum wells
S Adachi, S Takeyama, Y Takagi, A Tackeuchi, S Muto
APPLIED PHYSICS LETTERS 68 ( 7 ) 964 - 966 1996年02月 [査読有り]
Ultrafast optical sampling spectroscopy of exciton dynamics in quantum wells
S Adachi, S Takeyama, Y Takagi, A Tackeuchi, S Muto
PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS 33 ( 1-3 ) 117 - 120 1996年 [査読有り]
Picosecond all-optical switching using tunneling and spin-relaxation in quantum well structures
A Tackeuchi, Y Nishikawa, S Muto, O Wada
OPTOELECTRONICS-DEVICES AND TECHNOLOGIES 10 ( 4 ) 561 - 574 1995年12月 [査読有り]
TIME-RESOLVED STUDY OF CARRIER TRANSFER AMONG INAS/GAAS MULTI-COUPLED QUANTUM DOTS
A TACKEUCHI, Y NAKATA, S MUTO, Y SUGIYAMA, T USUKI, Y NISHIKAWA, N YOKOYAMA, O WADA
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 34 ( 11A ) L1439 - L1441 1995年11月 [査読有り]
Performance of all-optical switch utilizing the spin-dependent transient rotation in a multiple-quantum-well etalon. (共著)
Y. Nishikawa, A. Tackeuchi, S. Muto
Japanese Journal of Applied Physics 34 ( 10A ) L1283 - L1285 1995年10月 [査読有り]
LARGE LATERAL MODULATION IN INAS/GAAS INPLANE STRAINED SUPERLATTICE ON SLIGHTLY MISORIENTED (110)INP SUBSTRATE
Y NISHIKAWA, Y NAKATA, A TACKEUCHI, S MUTO, O WADA
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 34 ( 7B ) L915 - L917 1995年07月 [査読有り]
BAND-GAP RENORMALIZATION AND EXCITONIC EFFECTS IN TUNNELING IN ASYMMETRIC DOUBLE-QUANTUM WELLS
A TACKEUCHI, AP HEBERLE, WW RUHLE, K KOHLER, S MUTO
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 34 ( 5A ) L543 - L546 1995年05月 [査読有り]
INGAAS/INALAS INPLANE SUPERLATTICES GROWN ON SLIGHTLY MISORIENTED (110) INP SUBSTRATES BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Y NAKATA, O UEDA, A TACKEUCHI, S NAKAMURA, S MUTO
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 150 ( 1-4 ) 341 - 345 1995年05月 [査読有り]
Near-1.3 μm high-intensity photoluminescence at room temperature by InAs/GaAs multi-coupled quantum dots(共著)
A. Tackeuchi, Y. Nakata, S. Muto, Y. Sugiyama, T. Inata, N. Yokoyama
Japanese Journal of Applied Physics 34 ( 4A ) L405 - L407 1995年04月 [査読有り]
All-optical picosecond switching of a quantum well etalon using spin-polarization relaxation. (共著)
Y. Nishikawa, A. Tackeuchi, S. Muto
Applied Physics Letters 66 ( 7 ) 839 - 841 1995年02月 [査読有り]
DEPENDENCE OF RESONANT ELECTRON AND HOLE TUNNELING TIMES BETWEEN QUANTUM-WELLS ON BARRIER THICKNESS
AP HEBERLE, XQ ZHOU, A TACKEUCHI, WW RUHLE, K KOHLER
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 9 ( 5 ) 519 - 522 1994年05月 [査読有り]
GAMMA-X ELECTRON-TRANSFER IN TYPE-II TUNNELING BI-QUANTUM WELLS
A TAKEUCHI, U STRAUSS, WW RUHLE, T INATA
SOLID-STATE ELECTRONICS 37 ( 4-6 ) 809 - 812 1994年04月 [査読有り]
STUDY OF TUNNELING TIME IN TUNNELING BI-QUANTUM-WELL AND RESONANT-TUNNELING BARRIER STRUCTURES
Y SUGIYAMA, T INATA, A TACKEUCHI, Y NAKATA, S NAKAMURA, S MUTO
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS 7 ( 3 ) 85 - 88 1994年02月 [査読有り]
PICOSECOND OPTICAL SIGNAL RECOVERY IN TUNNELING BI-QUANTUM WELL STRUCTURE
A TACKEUCHI, S MUTO, Y NISHIKAWA
FUJITSU SCIENTIFIC & TECHNICAL JOURNAL 30 ( 2 ) 188 - 194 1994年 [査読有り]
ULTRAFAST EXCITON SPIN RELAXATION IN GAAS/ALGAAS AND CDMNTE MULTIPLE-QUANTUM WELLS
Y TAKAGI, S ADACHI, S TAKEYAMA, A TACKEUCHI, S MUTO, JJ DUBOWSKI
JOURNAL OF LUMINESCENCE 58 ( 1-6 ) 202 - 205 1994年01月 [査読有り]
EFFECT OF REACTIVE ION-BEAM ETCHING DAMAGE ON EXCITON ABSORPTION RECOVERY-TIME OF MULTIPLE QUANTUM-WELL WIRES
A ENDOH, H ARIMOTO, H KITADA, A TACKEUCHI, S MUTO
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 11 ( 2 ) 183 - 186 1993年03月 [査読有り]
Differences in tunneling time between 77K and room temperature for tunneling biquantum wells(共著)
A. Tackeuchi, Y. Sugiyama, T. Inata, Y. Nakata, S. Muto
Japanese Journal of Applied Physics 31 ( 12A ) 3823 - 3824 1992年12月 [査読有り]
PICOSECOND SIGNAL RECOVERY IN TYPE-II TUNNELING BI-QUANTUM-WELL ETALON
A TACKEUCHI, T INATA, Y NAKATA, S NAKAMURA, Y SUGIYAMA, S MUTO
APPLIED PHYSICS LETTERS 61 ( 16 ) 1892 - 1894 1992年10月 [査読有り]
FABRICATION OF SUB-100-NM WIRES AND DOTS IN GAAS/ALGAAS MULTIQUANTUM WELL USING FOCUSED ION-BEAM LITHOGRAPHY
H KITADA, H ARIMOTO, A TACKEUCHI, Y YAMAGUCHI, Y NAKATA, A ENDOH, S MUTO
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 31 ( 7B ) L990 - L991 1992年07月 [査読有り]
FAST RECOVERY FROM EXCITONIC ABSORPTION BLEACHING IN TYPE-II GAAS/ALGAAS/ALAS TUNNELING BIQUANTUM WELL
A TACKEUCHI, T INATA, Y SUGIYAMA, Y NAKATA, S NAKAMURA, S MUTO
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 31 ( 6A ) L669 - L672 1992年06月 [査読有り]
PICOSECOND ABSORPTION RECOVERY OF 100 NM GAAS/ALGAAS MQW WIRES
A TACKEUCHI, H KITADA, H ARIMOTO, Y SUGIYAMA, T INATA, Y YAMAGUCHI, Y NAKATA, S NAKAMURA, S MUTO
SURFACE SCIENCE 267 ( 1-3 ) 267 - 269 1992年04月 [査読有り]
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE DECAY TIME IN TUNNELING BI-QUANTUM-WELL STRUCTURES
Y SUGIYAMA, A TACKEUCHI, T INATA, S MUTO
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 30 ( 120 ) 235 - 238 1992年 [査読有り]
TIME EVOLUTION OF EXCITONIC ABSORPTION BLEACHING OF RESONANT TUNNELING BI-QUANTUM-WELL STRUCTURES
A TACKEUCHI, S MUTO, T INATA, T FUJII
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 30 ( 11A ) 2730 - 2733 1991年11月 [査読有り]
PICOSECOND EXCITONIC ABSORPTION RECOVERY OF 100 NM GAAS/ALGAAS NARROW MULTIPLE QUANTUM-WELL WIRES
A TACKEUCHI, H KITADA, H ARIMOTO, Y SUGIYAMA, A ENDOH, Y NAKATA, T INATA, S MUTO
APPLIED PHYSICS LETTERS 59 ( 9 ) 1114 - 1116 1991年08月 [査読有り]
LONGITUDINAL-OPTICAL-PHONON ASSISTED TUNNELING IN TUNNELING BI-QUANTUM WELL STRUCTURES
S MUTO, T INATA, A TACKEUCHI, Y SUGIYAMA, T FUJII
APPLIED PHYSICS LETTERS 58 ( 21 ) 2393 - 2395 1991年05月 [査読有り]
FAST RECOVERY OF EXCITONIC ABSORPTION BLEACHING IN TUNNELING BIQUANTUM WELL STRUCTURES
A TACKEUCHI, S MUTO, T INATA, T FUJII
APPLIED PHYSICS LETTERS 58 ( 15 ) 1670 - 1672 1991年04月 [査読有り]
TBQにおける励起子吸収の超高速回復
竹内淳, 稲田嗣夫, 武藤俊一, 杉山芳弘, 藤井俊夫
電子情報通信学会論文誌 C-I, J74-C-I ( 11 ) 458 - 464 1991年
DIRECT OBSERVATION OF PICOSECOND SPIN RELAXATION OF EXCITONS IN GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELLS USING SPIN-DEPENDENT OPTICAL NONLINEARITY
A TACKEUCHI, S MUTO, T INATA, T FUJII
APPLIED PHYSICS LETTERS 56 ( 22 ) 2213 - 2215 1990年05月 [査読有り]
PICOSECOND CHARACTERIZATION OF INGAAS INALAS RESONANT TUNNELING BARRIERS GROWN BY MBE
S MUTO, A TACKEUCHI, T INATA, E MIYAUCHI, T FUJII
SURFACE SCIENCE 228 ( 1-3 ) 370 - 372 1990年04月 [査読有り]
FAST RECOVERY OF EXCITONIC ABSORPTION PEAKS IN TUNNELING BI-QUANTUM-WELL STRUCTURES
A TACKEUCHI, S MUTO, T INATA, T FUJII
ULTRAFAST PHENOMENA VII 53 265 - 267 1990年 [査読有り]
PICOSECOND CHARACTERIZATION OF INGAAS/INALAS RESONANT TUNNELING BARRIER DIODE BY ELECTRO-OPTIC SAMPLING
A TACKEUCHI, T INATA, S MUTO, E MIYAUCHI
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 28 ( 5 ) L750 - L753 1989年05月 [査読有り]
VERY HIGH-SPEED GAINAS METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODIODE INCORPORATING AN ALLNAS/GALNAS GRADED SUPERLATTICE
O WADA, H NOBUHARA, H HAMAGUCHI, T MIKAWA, A TACKEUCHI, T FUJII
APPLIED PHYSICS LETTERS 54 ( 1 ) 16 - 17 1989年01月 [査読有り]
トンネル双量子井戸とMQW微細線の超高速応答
竹内淳, 稲田嗣夫, 有本宏, 北田秀樹, 杉山芳弘, 中田義昭, 仲村智, 遠藤聡, 山口正臣, 武藤俊一
電気学会 電子材料研究会資料 EFM-92-11
InAs/GaAs Multi-Coupled Quantum Dots Structure Enabling High-Intensity, Near-1.3-μm Emission due to Cascade Carrier Tunneling
TACKEUCHI Atsushi, NAKATA Yoshiaki, MUTO Shunichi, INATA Tsuguo, USUKI Tatsuya, SUGIYAMA Yoshihiro, YOKOYAMA Naoki, WADA Osamu
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1995 719 - 721 1995年08月
28p-ZH-2 GaAs/AlGaAs量子井戸中のピコ秒励起子スピン緩和
足立 智, 俵山 正二郎, 高木 芳弘, 竹内 淳, 武藤 俊一
秋の分科会講演予稿集 1992 ( 2 ) 200 - 200 1992年09月
フェロー表彰
2017年09月 応用物理学会
応用物理学会論文賞JJAP論文賞
2004年09月
電子情報通信学会論文賞
1993年
電気学会論文発表賞
1993年
半導体量子構造による円偏光の高偏極長スピン寿命電子への変換
研究期間:
円偏光光源のための高偏極長寿命スピン緩和量子ドット
研究期間:
新機能性物質における自己組織化ナノ領域の計測と制御
文部科学省
研究期間:
高機能性新半導体デバイス開発
文部科学省
研究期間:
過渡的磁性半導体の機能の研究
過渡的磁性半導体の機能の研究
過渡的磁性半導体の機能の研究
超高速スピン応答光デバイス
量子ドットにおける電子スピンのコヒーレント制御の研究
スピン生成と緩和の光制御と応用
光スピントロニクスデバイス研究調整班
超高速スピン応答光デバイス
光による結合量子ドットのスピン操作
2007年
2006年
2002年
2000年
Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数