大木 義路 (オオキ ヨシミチ)

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所属

理工学術院 各務記念材料技術研究所

職名

特任研究教授

ホームページ

http://www.f.waseda.jp/yohki/

学内研究所等 【 表示 / 非表示

  • 2020年
    -
    2022年

    理工学術院総合研究所   兼任研究員

学歴 【 表示 / 非表示

  • 1975年04月
    -
    1978年03月

    早稲田大学   大学院理工学研究科   電気工学専攻博士課程(工博)  

  • 1973年04月
    -
    1975年03月

    早稲田大学   大学院理工学研究科   電気工学専攻修士課程  

  • 1969年04月
    -
    1973年03月

    早稲田大学   理工学部   電気工学科  

学位 【 表示 / 非表示

  • 早稲田大学   工学修士

  • 早稲田大学   工学博士

経歴 【 表示 / 非表示

  • 2012年04月
    -
    2013年03月

    名古屋大学非常勤講師

  • 2011年02月
    -
     

    西安交通大学名誉教授

  • 2010年09月
    -
     

    西安交通大学電気設備電気絶縁国家重点実験室国際学術委員会委員

  • 2008年04月
    -
     

    芝浦工業大学フレキシブル微細加工研究センター客員教授

  • 2006年05月
    -
    2008年03月

    (独)科学技術振興機構 研究開発戦略センター シニアフェロー

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所属学協会 【 表示 / 非表示

  •  
     
     

    静電気学会

  •  
     
     

    応用物理学会

  •  
     
     

    米国電気電子学会

  •  
     
     

    電子情報通信学会

  •  
     
     

    電気学会

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研究分野 【 表示 / 非表示

  • 電気電子材料工学

  • 電力工学

研究キーワード 【 表示 / 非表示

  • 電子デバイス・機器工学

  • 光ファイバ

  • 電気絶縁材料

  • 誘電体

  • optical fiber

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論文 【 表示 / 非表示

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書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • 誘電体現象論(改訂版)

    大木 義路, 大久保 仁, 鈴置 保雄, 穂積 直裕( 担当範囲: 第1章全体。第2章大半、第3章大半など全体の約1/2)

    電気学会,オーム社(発売)  2021年03月 ISBN: 9784886863157

  • 高分子材料の絶縁破壊・劣化メカニズムとその対策

    技術情報協会( 担当範囲: 第1章 高分子絶縁破壊のメカニズム, 第1節 高分子絶縁材料における電気絶縁性と破壊メカニズム)

    技術情報協会  2021年01月 ISBN: 9784861048210

  • 原子力保全ハンドブック

    一般社団法人 日本保全学会( 担当: 分担執筆,  担当範囲: 36頁~39頁、71頁~73頁、967頁~968頁)

    株式会社ERC出版  2020年02月

  • ナノテク材料 ~ポリマーナノコンポジット絶縁材料の世界~

    電気学会  2014年 ISBN: 9784886862945

  • コンポジット材料の混練・コンパウンド技術と分散・界面制御

    技術情報協会  2013年 ISBN: 9784861044779

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Misc 【 表示 / 非表示

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産業財産権 【 表示 / 非表示

  • 高分子の異物検査方法、および電力ケーブルの製造方法

    6238245

    大木 義路, 小松 麻里奈, 井筒 智之, 小? 大祐

    特許権

  • 絶縁電線又はケーブルの歪み量変化箇所の位置標定方法

    大木 義路, 平井 直志

    特許権

  • 絶縁電線又はケーブルの温度変化箇所の位置標定方法

    5763594

    平井 直志, 山田 貴之, 大木 義路

    特許権

  • 金属ベースプリント配線板

    6239510

    大木 義路, 田中 祀捷, 廣瀬 雄一, 和田 玄太

    特許権

  • プリント配線板

    5982710

    大木 義路, 浅川 洋貴, 難波 裕, 田中 祀捷

    特許権

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受賞 【 表示 / 非表示

  • 2020年度早稲田大学リサーチアワード 大型研究プロジェクト推進

    2021年03月   早稲田大学  

  • Best Paper Award

    2020年10月   Eighth International Conference on Condition Monitoring and Diagnosis   Experimental Verification of Good Spatial Resolution of Fault Location in a Cable by Frequency Domain Reflectometry  

  • 第29回業績賞

    2020年05月   電気学会   標準化活動の推進による産業界の発展と国際競争力強化への貢献  

  • 2019年度早稲田大学リサーチアワード 大型研究プロジェクト推進

    2020年01月   早稲田大学  

    受賞者: 大木 義路

  • 大隈学術記念賞

    2019年10月   早稲田大学  

    受賞者: 大木 義路

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共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 / 非表示

  • テラヘルツ波照射によるデオキシリボ核酸の高次構造制御と機能性付与

    研究期間:

    2017年06月
    -
    2020年03月
     

    大木義路

    担当区分: 研究代表者

  • ナノコンポジット界面における誘電特性の解明

    研究期間:

    2015年04月
    -
    2017年12月
     

    大木義路

    担当区分: 研究代表者

  • 超広帯域誘電・吸収分光による高分子の物性評価と絶縁劣化診断

    研究期間:

    2012年04月
    -
    2014年03月
     

    大木義路

    担当区分: 研究代表者

  • 高分子・無機ナノコンポジットを用いた高性能絶縁材料の開発

    研究期間:

    2011年04月
    -
    2014年03月
     

    大木義路

    担当区分: 研究代表者

  • 化学発光測定による生分解性高分子の劣化評価

    研究期間:

    2011年
    -
    2013年
     

    平井直志

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講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • シラン架橋が低密度ポリエチレンの機械的特性に及ぼす影響

    山口輝, 平井直志, 大木義路

    電気学会全国大会  

    発表年月: 2020年03月

  • 熱と放射線により劣化させた硬質および軟質エポキシ樹脂におけるテラヘルツ吸収

    池田早織, 石井洋之, 大木義路, 平井直志

    電気学会全国大会  

    発表年月: 2020年03月

  • 熱劣化および熱・放射線同時劣化架橋ポリオレフィンの諸特性(Ⅰ. 熱特性および構造)

    周昊龍, 平井 直志, 大木義路

    電気学会全国大会  

    発表年月: 2020年03月

  • ポリイミドナノコンポジットのフィラー充填率・分散性の評価

    田口裕貴, 長瀬えみり, 平井直志, 大木義路

    電気学会全国大会  

    発表年月: 2020年03月

  • 熱劣化および熱・放射線同時劣化架橋ポリオレフィンの諸特性(III. 機械特性)

    花房若奈, 伊東清太郎, 平井直志, 大木義路

    電気学会全国大会  

    発表年月: 2020年03月

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特定課題研究 【 表示 / 非表示

  • テラヘルツ分光による高分子ナノコンポジットの優れた絶縁特性発現機構の解明

    2018年  

     概要を見る

    高分子をナノコンポジットとすることで絶縁特性が向上する現象を明らかにするために,種々のフィラーをエポキシ樹脂に添加したコンポジット材料のTHz吸収スペクトルを取得し,エポキシ樹脂とフィラー界面に働く相互作用の評価を試みた。エポキシ樹脂にナノサイズのルチル型TiO2または,ナノサイズのSiO2とマイクロサイズのMgOを共添加すると,THz領域の吸収量が増加し,フィラー自身から求めた吸収量よりも2倍以上大きくなる。この結果は,コンポジット材料のTHz領域における吸収増加の要因として,フィラー自身の吸収とは別にエポキシ樹脂とフィラー界面における相互作用の影響が,1つの可能性であることを示唆している。

  • テラヘルツ分光による高分子ナノコンポジットの優れた絶縁特性発現機構の解明

    2017年   森本貴明

     概要を見る

    エポキシ樹脂にMgO,SiO2,TiO2などの種々のナノあるいはマイクロサイズのフィラーを添加した高分子ナノコンポジットに対して,示差走査熱量,誘電率,電流およびテラヘルツ(THz)分光の測定を行ったところ,THz域の吸収が著しく増大する高分子とフィラーの組合せがあることが分かった。また,エポキシ樹脂に添加するMgOナノフィラーの粒径が小さくなるにつれて,導電率およびガラス転移温度がともに低下する。これは,粒径が小さくなる,または添加量が増加することで樹脂とMgOの界面面積が増加し,MgOの表面にイオンが捕獲されやすくなることにより,電荷の移動が抑制されることを示唆する。

  • テラヘルツ波照射によるデオキシリボ核酸の高次構造制御と機能性付与

    2015年  

     概要を見る

    テラヘルツ域を含む遠赤外光の全域においてDNAの吸収スペクトルを取得し,その解析を行うことを目的としている。本年度は,ヌクレオチドがチミン,アデニン,グアニン,シトシンの各塩基を持つ一本鎖DNAとともに,ヌクレオチドの構成要素の一つであるデオキシリボースの遠赤外吸収スペクトルを得た。その結果,塩基の種類によらず100~300cm^-1と520~570cm^-1付近に広い吸収が現れ,チミンを塩基としたDNAにのみ強度がチミンの総数に比例する吸収が422cm^-1と490cm^-1付近に現れる。一方で,デオキシリボースは100~600cm^-1の波数域において特徴的な吸収を持たないことが分かった。

  • テラヘルツ波照射によるデオキシリボ核酸の高次構造制御と機能性付与

    2014年   福永 香, 水野 麻弥, 小嶋 寛明

     概要を見る

    テラヘルツ域を含む遠赤外光の全域においてDNAの吸収スペクトルを取得し,その解析を行うことを目的としている。本年度は,最初に安定的なスペクトル取得方法について検討した。その後,ヌクレオチドがチミン,アデニン,シトシン,グアニンの各塩基を持つ一本鎖DNAの遠赤外吸収スペクトルを得た。その結果,塩基の種類によらず100~300cm^-1と520~570cm^-1付近に広い吸収が現れ,チミンを塩基としたDNAにのみ強度がチミンの総数に比例する吸収が422cm^-1と490cm^-1付近に現れることが分かった。

  • PL法によるSiC-MOS-FET高耐電圧化のためのゲート酸化膜の膜質評価

    2013年  

     概要を見る

    MOSデバイスの製造において、イオン注入がしばしば行われる。しかしながら、イオン注入による欠陥生成や、結晶性低下などの影響はあまり明らかにされていない。また、MOSデバイスの性能向上のための微細化に伴い、注目されているのが、SiO2より比誘電率(k)を高めたhigh-k膜を用いることである。さらに、Siに代わるMOS-FETパワー半導体材料として、バンドギャップの大きなSiCが実用化されつつあり、Si-MOS-FETでは1kV以下であった耐圧は将来的には5kV程度まで上昇すると言われている。この実現のひとつの大きな障害は、絶縁膜の絶縁破壊であるが、その原因は電荷のトンネル放出であるので、ゲート絶縁膜を厚くすることができるhigh-k膜が、やはり注目されている。high-k膜材料の中でもYAlO3およびLaAlO3が次世代材料として注目されている。以上の理由から、本研究では、YAlO3単結晶(100)、LaAlO3単結晶(100)を試料とし、加速電圧150keVでP+、B+を1×1015cm-2照射し、その前後で、X線回折(XRD)測定、分子科学研究所のSR光源を用いた10Kでのフォトルミネセンス(PL)測定、光吸収測定などを行った。その結果、イオン照射後、とくにYAlO3において、バンドギャップ(7.7eV)近傍の吸収が大きく増加すること、両試料においてXRDピーク強度が著しく減少することから、イオン照射により結晶性が低下することが示唆される。また、LaAlO3ではイオン照射前後でXRDピーク位置は変わらないのに対し、YAlO3ではピークの位置がシフトする。これは、YAlO3では格子間隔が変化していることを示す。Laより原子量が小さいYではB、Pによる置換が生じやすいことを示唆している。さらに、両試料には酸素空孔と不純物(Cr、Erなど)が点欠陥として存在するが、イオン照射後、両試料において、酸素空孔に起因するPLの強度には変化がなく、Cr3+のR線発光に起因するPLやEr3+の発光に起因するPLの強度は、減少すると言う事実を得た。たとえば、Cr3+のR線の発光は、遷移金属不純物であるCr3+とO2-とが八面体型配位子場を形成し、シュタルク効果が働くことにより出現する発光であり、当然配位子場に敏感であり、結晶性が高い場合にのみ現れる。一方、酸素空孔によるPLは、YSZ、ZnO、SiO2など多くの物質で、単結晶、アモルファスを問わず見られ、例えば、スート再溶融法により成膜した完全にアモルファスであるSiO2においても発光が確認されている。以上より、イオン照射後に、結晶においてのみ見られるPLだけが消滅している事が分かる。これらをまとめると、試料のごく表面のみしか結晶性を評価することができないXRD測定に加えて、イオン通過範囲全域にわたって高感度な検出が可能なPL測定を補完する形で用いることにより、イオン照射により、YAlO3およびLaAlO3の結晶性が低下すること、YAlO3に比べてLaAlO3の方がイオン照射に対する耐性が強いことなどを明らかにすることに成功した。

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委員歴 【 表示 / 非表示

  • 2015年05月
    -
    継続中

    野村総合研究所  経産省委託 「省エネルギー等に関する国際標準の獲得・普及促進事業委託費」に係わる審査・評価委員会委員

  • 2014年04月
    -
    継続中

    日本電気協会  原子力規格委員会 安全設計分科会委員

  • 2013年04月
    -
    継続中

    パワーアカデミー  運営委員

  • 2007年07月
    -
    継続中

    日本原子力学会  標準委員会 システム安全専門部会 PLM分科会委員

  • 1988年
    -
    継続中

    米国電気電子学会(IEEE)  部門学会地域編修担当

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