OHKI, Yoshimichi

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Affiliation

Faculty of Science and Engineering, Kagami Memorial Research Institute for Materials Science and Technology

Job title

Senior Research Professor

Homepage URL

http://www.f.waseda.jp/yohki/

Research Institute 【 display / non-display

  • 2020
    -
    2022

    理工学術院総合研究所   兼任研究員

Education 【 display / non-display

  • 1975.04
    -
    1978.03

    Waseda University   Graduate School of Science and Engineering   電気工学専攻博士課程(工博)  

  • 1973.04
    -
    1975.03

    Waseda University   Graduate School of Science and Engineering   電気工学専攻修士課程  

  • 1969.04
    -
    1973.03

    Waseda University   School of Science and Engineering   電気工学科  

Degree 【 display / non-display

  • Waseda University   Master of Engineering

  • Waseda University   Doctor of Engineering

Research Experience 【 display / non-display

  • 2012.04
    -
    2013.03

    Nagoya University

  • 2011.02
    -
     

    西安交通大学名誉教授

  • 2010.09
    -
     

    西安交通大学電気設備電気絶縁国家重点実験室国際学術委員会委員

  • 2008.04
    -
     

    Shibaura Institute of Technology

  • 2006.05
    -
    2008.03

    (独)科学技術振興機構 研究開発戦略センター シニアフェロー

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Professional Memberships 【 display / non-display

  •  
     
     

    静電気学会

  •  
     
     

    応用物理学会

  •  
     
     

    米国電気電子学会

  •  
     
     

    電子情報通信学会

  •  
     
     

    電気学会

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Research Areas 【 display / non-display

  • Electric and electronic materials

  • Power engineering

Research Interests 【 display / non-display

  • 電子デバイス・機器工学

  • 光ファイバ

  • 電気絶縁材料

  • 誘電体

  • optical fiber

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Papers 【 display / non-display

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Books and Other Publications 【 display / non-display

  • 誘電体現象論(改訂版)

    大木 義路, 大久保 仁, 鈴置 保雄, 穂積 直裕

    電気学会,オーム社(発売)  2021.03 ISBN: 9784886863157

  • 高分子材料の絶縁破壊・劣化メカニズムとその対策

    技術情報協会

    技術情報協会  2021.01 ISBN: 9784861048210

  • 原子力保全ハンドブック

    一般社団法人 日本保全学会( Part: Contributor)

    株式会社ERC出版  2020.02

  • ナノテク材料 ~ポリマーナノコンポジット絶縁材料の世界~

    電気学会  2014 ISBN: 9784886862945

  • コンポジット材料の混練・コンパウンド技術と分散・界面制御

    技術情報協会  2013 ISBN: 9784861044779

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Misc 【 display / non-display

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Industrial Property Rights 【 display / non-display

  • 高分子の異物検査方法、および電力ケーブルの製造方法

    6238245

    大木 義路, 小松 麻里奈, 井筒 智之, 小? 大祐

    Patent

  • 絶縁電線又はケーブルの歪み量変化箇所の位置標定方法

    大木 義路, 平井 直志

    Patent

  • 絶縁電線又はケーブルの温度変化箇所の位置標定方法

    5763594

    平井 直志, 山田 貴之, 大木 義路

    Patent

  • 金属ベースプリント配線板

    6239510

    大木 義路, 田中 祀捷, 廣瀬 雄一, 和田 玄太

    Patent

  • プリント配線板

    5982710

    大木 義路, 浅川 洋貴, 難波 裕, 田中 祀捷

    Patent

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Awards 【 display / non-display

  • Waseda Research Award 2020

    2021.03   Waseda University  

  • Best Paper Award

    2020.10   Eighth International Conference on Condition Monitoring and Diagnosis   Experimental Verification of Good Spatial Resolution of Fault Location in a Cable by Frequency Domain Reflectometry

  • Outstanding Achievement Award

    2020.05   The Institute of Electrical Engineers of Japan   Contribution to industrial development and strengthening of international competitiveness by promoting standardization activities

  • 2019年度早稲田大学リサーチアワード 大型研究プロジェクト推進

    2020.01   早稲田大学  

    Winner: 大木 義路

  • 大隈学術記念賞

    2019.10   早稲田大学  

    Winner: 大木 義路

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Research Projects 【 display / non-display

  • Control of Superstructure and Functionalization of DNA by THz Wave Illumination

    Project Year :

    2017.06
    -
    2020.03
     

    大木義路

    Authorship: Principal investigator

  • ナノコンポジット界面における誘電特性の解明

    Project Year :

    2015.04
    -
    2017.12
     

    大木義路

    Authorship: Principal investigator

  • Dielectric Properties and Insulation Diagnosis of Polymers by Ultra-wideband Dielectric and Absorption Spectroscopy

    Project Year :

    2012.04
    -
    2014.03
     

    大木義路

    Authorship: Principal investigator

  • Development of High Performance Insulating Materials Using Polymer Nanocomposites with Inorganic Fillers

    Project Year :

    2011.04
    -
    2014.03
     

    大木義路

    Authorship: Principal investigator

  • Evaluation of Oxidation for Biodegradable Polymers by the Measurement of Chemiluminescence

    Project Year :

    2011
    -
    2013
     

    平井直志

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Presentations 【 display / non-display

  • シラン架橋が低密度ポリエチレンの機械的特性に及ぼす影響

    山口輝, 平井直志, 大木義路

    電気学会全国大会 

    Presentation date: 2020.03

  • 熱と放射線により劣化させた硬質および軟質エポキシ樹脂におけるテラヘルツ吸収

    池田早織, 石井洋之, 大木義路, 平井直志

    電気学会全国大会 

    Presentation date: 2020.03

  • 熱劣化および熱・放射線同時劣化架橋ポリオレフィンの諸特性(Ⅰ. 熱特性および構造)

    周昊龍, 平井 直志, 大木義路

    電気学会全国大会 

    Presentation date: 2020.03

  • ポリイミドナノコンポジットのフィラー充填率・分散性の評価

    田口裕貴, 長瀬えみり, 平井直志, 大木義路

    電気学会全国大会 

    Presentation date: 2020.03

  • 熱劣化および熱・放射線同時劣化架橋ポリオレフィンの諸特性(III. 機械特性)

    花房若奈, 伊東清太郎, 平井直志, 大木義路

    電気学会全国大会 

    Presentation date: 2020.03

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Specific Research 【 display / non-display

  • テラヘルツ分光による高分子ナノコンポジットの優れた絶縁特性発現機構の解明

    2018  

     View Summary

    高分子をナノコンポジットとすることで絶縁特性が向上する現象を明らかにするために,種々のフィラーをエポキシ樹脂に添加したコンポジット材料のTHz吸収スペクトルを取得し,エポキシ樹脂とフィラー界面に働く相互作用の評価を試みた。エポキシ樹脂にナノサイズのルチル型TiO2または,ナノサイズのSiO2とマイクロサイズのMgOを共添加すると,THz領域の吸収量が増加し,フィラー自身から求めた吸収量よりも2倍以上大きくなる。この結果は,コンポジット材料のTHz領域における吸収増加の要因として,フィラー自身の吸収とは別にエポキシ樹脂とフィラー界面における相互作用の影響が,1つの可能性であることを示唆している。

  • テラヘルツ分光による高分子ナノコンポジットの優れた絶縁特性発現機構の解明

    2017   森本貴明

     View Summary

    エポキシ樹脂にMgO,SiO2,TiO2などの種々のナノあるいはマイクロサイズのフィラーを添加した高分子ナノコンポジットに対して,示差走査熱量,誘電率,電流およびテラヘルツ(THz)分光の測定を行ったところ,THz域の吸収が著しく増大する高分子とフィラーの組合せがあることが分かった。また,エポキシ樹脂に添加するMgOナノフィラーの粒径が小さくなるにつれて,導電率およびガラス転移温度がともに低下する。これは,粒径が小さくなる,または添加量が増加することで樹脂とMgOの界面面積が増加し,MgOの表面にイオンが捕獲されやすくなることにより,電荷の移動が抑制されることを示唆する。

  • テラヘルツ波照射によるデオキシリボ核酸の高次構造制御と機能性付与

    2015  

     View Summary

    テラヘルツ域を含む遠赤外光の全域においてDNAの吸収スペクトルを取得し,その解析を行うことを目的としている。本年度は,ヌクレオチドがチミン,アデニン,グアニン,シトシンの各塩基を持つ一本鎖DNAとともに,ヌクレオチドの構成要素の一つであるデオキシリボースの遠赤外吸収スペクトルを得た。その結果,塩基の種類によらず100~300cm^-1と520~570cm^-1付近に広い吸収が現れ,チミンを塩基としたDNAにのみ強度がチミンの総数に比例する吸収が422cm^-1と490cm^-1付近に現れる。一方で,デオキシリボースは100~600cm^-1の波数域において特徴的な吸収を持たないことが分かった。

  • テラヘルツ波照射によるデオキシリボ核酸の高次構造制御と機能性付与

    2014   福永 香, 水野 麻弥, 小嶋 寛明

     View Summary

    テラヘルツ域を含む遠赤外光の全域においてDNAの吸収スペクトルを取得し,その解析を行うことを目的としている。本年度は,最初に安定的なスペクトル取得方法について検討した。その後,ヌクレオチドがチミン,アデニン,シトシン,グアニンの各塩基を持つ一本鎖DNAの遠赤外吸収スペクトルを得た。その結果,塩基の種類によらず100~300cm^-1と520~570cm^-1付近に広い吸収が現れ,チミンを塩基としたDNAにのみ強度がチミンの総数に比例する吸収が422cm^-1と490cm^-1付近に現れることが分かった。

  • PL法によるSiC-MOS-FET高耐電圧化のためのゲート酸化膜の膜質評価

    2013  

     View Summary

    MOSデバイスの製造において、イオン注入がしばしば行われる。しかしながら、イオン注入による欠陥生成や、結晶性低下などの影響はあまり明らかにされていない。また、MOSデバイスの性能向上のための微細化に伴い、注目されているのが、SiO2より比誘電率(k)を高めたhigh-k膜を用いることである。さらに、Siに代わるMOS-FETパワー半導体材料として、バンドギャップの大きなSiCが実用化されつつあり、Si-MOS-FETでは1kV以下であった耐圧は将来的には5kV程度まで上昇すると言われている。この実現のひとつの大きな障害は、絶縁膜の絶縁破壊であるが、その原因は電荷のトンネル放出であるので、ゲート絶縁膜を厚くすることができるhigh-k膜が、やはり注目されている。high-k膜材料の中でもYAlO3およびLaAlO3が次世代材料として注目されている。以上の理由から、本研究では、YAlO3単結晶(100)、LaAlO3単結晶(100)を試料とし、加速電圧150keVでP+、B+を1×1015cm-2照射し、その前後で、X線回折(XRD)測定、分子科学研究所のSR光源を用いた10Kでのフォトルミネセンス(PL)測定、光吸収測定などを行った。その結果、イオン照射後、とくにYAlO3において、バンドギャップ(7.7eV)近傍の吸収が大きく増加すること、両試料においてXRDピーク強度が著しく減少することから、イオン照射により結晶性が低下することが示唆される。また、LaAlO3ではイオン照射前後でXRDピーク位置は変わらないのに対し、YAlO3ではピークの位置がシフトする。これは、YAlO3では格子間隔が変化していることを示す。Laより原子量が小さいYではB、Pによる置換が生じやすいことを示唆している。さらに、両試料には酸素空孔と不純物(Cr、Erなど)が点欠陥として存在するが、イオン照射後、両試料において、酸素空孔に起因するPLの強度には変化がなく、Cr3+のR線発光に起因するPLやEr3+の発光に起因するPLの強度は、減少すると言う事実を得た。たとえば、Cr3+のR線の発光は、遷移金属不純物であるCr3+とO2-とが八面体型配位子場を形成し、シュタルク効果が働くことにより出現する発光であり、当然配位子場に敏感であり、結晶性が高い場合にのみ現れる。一方、酸素空孔によるPLは、YSZ、ZnO、SiO2など多くの物質で、単結晶、アモルファスを問わず見られ、例えば、スート再溶融法により成膜した完全にアモルファスであるSiO2においても発光が確認されている。以上より、イオン照射後に、結晶においてのみ見られるPLだけが消滅している事が分かる。これらをまとめると、試料のごく表面のみしか結晶性を評価することができないXRD測定に加えて、イオン通過範囲全域にわたって高感度な検出が可能なPL測定を補完する形で用いることにより、イオン照射により、YAlO3およびLaAlO3の結晶性が低下すること、YAlO3に比べてLaAlO3の方がイオン照射に対する耐性が強いことなどを明らかにすることに成功した。

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Committee Memberships 【 display / non-display

  • 2015.05
    -
    Now

    野村総合研究所  経産省委託 「省エネルギー等に関する国際標準の獲得・普及促進事業委託費」に係わる審査・評価委員会委員

  • 2014.04
    -
    Now

    日本電気協会  原子力規格委員会 安全設計分科会委員

  • 2013.04
    -
    Now

    パワーアカデミー  運営委員

  • 2007.07
    -
    Now

    日本原子力学会  標準委員会 システム安全専門部会 PLM分科会委員

  • 1988
    -
    Now

    米国電気電子学会(IEEE)  部門学会地域編修担当

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