2024/10/07 更新

写真a

デウラ モモコ
出浦 桃子
所属
理工学術院 基幹理工学部
職名
准教授
学位
博士(工学) ( 東京大学 )

経歴

  • 2024年09月
    -
    継続中

    早稲田大学   理工学術院基幹理工学部電子物理システム学科   准教授

  • 2022年10月
    -
    2024年08月

    立命館大学   立命館グローバル・イノベーション研究機構   准教授

  • 2022年04月
    -
    2022年09月

    立命館大学   立命館グローバル・イノベーション研究機構   専門研究員

  • 2017年04月
    -
    2022年03月

    東京大学   大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

  • 2013年10月
    -
    2017年03月

    東北大学   金属材料研究所 結晶欠陥物性学研究部門

  • 2013年04月
    -
    2013年09月

    東北大学   多元物質科学研究所

  • 2011年04月
    -
    2013年03月

    東京理科大学   理学部第一部 応用物理学科

  • 2008年04月
    -
    2011年03月

    日本学術振興会特別研究員(DC1)

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学歴

  • 2008年04月
    -
    2011年03月

    東京大学   大学院工学系研究科電気系工学専攻博士課程  

  • 2006年04月
    -
    2008年03月

    東京大学   大学院工学系研究科電子工学専攻修士課程  

  • 2004年04月
    -
    2006年03月

    東京大学   工学部電子工学科  

  • 2002年04月
    -
    2004年03月

    東京大学   教養学部理科I類  

委員歴

  • 2019年01月
    -
    継続中

    応用物理学会結晶工学分科会  幹事

  • 2017年10月
    -
    継続中

    日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会  委員

  • 2017年04月
    -
    継続中

    文部科学省科学技術・学術政策研究所科学技術予測センター  科学技術専門家ネットワーク・専門調査員

  • 2016年04月
    -
    継続中

    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会  幹事

  • 2016年01月
    -
    2021年03月

    日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会  委員

  • 2018年04月
    -
    2020年03月

    応用物理学会  機関紙『応用物理』編集委員

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所属学協会

  •  
     
     

    日本結晶成長学会

  •  
     
     

    応用物理学会

研究分野

  • 結晶工学 / 薄膜、表面界面物性 / 電気電子材料工学

研究キーワード

  • 結晶工学

  • 薄膜および表面界面物性

  • 電気電子材料工学

  • 化合物半導体

  • 有機金属気相成長(MOVPE)

  • 分子線エピタキシー(MBE)

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受賞

  • 第5回女性研究者研究業績・人材育成賞(小舘香椎子賞)

    2015年  

  • 平成27年度日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞

    2015年  

  • 第38回結晶成長討論会 討論会賞

    2014年  

  • Best Student Contribution Award

    2008年  

  • 第27回EMS賞

    2008年  

  • 第24回応用物理学会講演奨励賞

    2008年  

  • 平成17年度電気学会東京支部電気学術女性活動奨励賞

    2006年  

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論文

  • Kinetic analysis of face-centered-cubic TiAlN film deposition by chemical vapor deposition

    Momoko Deura, Hiroki Sato, Jun Yamaguchi, Tomoko Hirabaru, Hayato Kubo, Takeshi Momose, Takahito Tanibuchi, Yukihiro Shimogaki

    Materials Science and Engineering B   264   114992 - 114992  2021年02月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

    DOI

  • Strain control of GaN grown on Si substrates using an AlGaN interlayer

    Momoko Deura, Takuya Nakahara, Takeshi Momose, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki

    Journal of Crystal Growth   514   65 - 69  2019年05月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

    DOI

  • Mechanical properties of cubic-BN(111) bulk single crystal evaluated by nanoindentation

    M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Taniguchi

    Physica Status Solidi B   255   1700473/1 - 1700473/4  2018年  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

    DOI

  • Synthesis of highly-oriented wurtzite-type BN crystal and evaluation of its mechanical properties using nanoindentation

    M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Taniguchi

    Japanese Journal of Applied Physics Rapid Communications   56 ( 3 ) 030301/1 - 030301/4  2017年01月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

    DOI

  • Formation of SiC layer by carbonization of Si surface using CO gas

    Momoko Deura, Hiroyuki Fukuyama

    Journal of Crystal Growth   434   77 - 80  2016年01月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

    DOI

  • Investigation of Growth Mechanism for InGaN by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Using Computational Fluid Simulation

    Momoko Deura, Fumitaka Ichinohe, Yu Arai, Kenichi Shiohama, Akira Hirako, Kazuhiro Ohkawa

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 8 ) 08JB13  2013年08月  [査読有り]

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    We investigated the mechanism of metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) growth for InGaN by comparing experimental and simulation results. The simulation results showed a similar trend to the experimental results. Therefore, the simulation system can be used to speculate on physical and chemical phenomena through the behavior of precursors. InGaN growth is largely affected by the amounts of both trimethylindium (TMIn) and NH3 supplied. This is because InN growth is dependent on the amount of NH2 physisorbed on a surface, which is generated by NH3. Moreover, the decomposition of crystallized InN and the desorption of these decomposed precursors of InN during growth cannot be ignored. (C) 2013 The Japan Society of Applied Physics

    DOI

  • High-Temperature Annealing Effect of Si in Group-V Ambient Prior to Heteroepitaxy of InAs in Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

    Momoko Deura, Yoshiyuki Kondo, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama

    Japanese Journal of Applied Physics   50 ( 4 ) 04DH07  2011年04月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

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    We investigated the state of the Si(111) surface and its effect on InAs growth after annealing at high temperature with and without an As or P source flow in H-2 ambient in metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). In multi-step growth of InGaAs by micro-channel selective-area growth, perfect coverage of Si growth areas by InAs, which is grown first, by controlling the state of the Si surface is critical for the following InGaAs lateral growth. Although both As and P sources protect the surface against contamination from inside the reactor, annealing with the P source at high temperature is optimal in terms of InAs nucleation and coverage of growth areas by InAs. The amount of O contamination after P annealing at high temperature was significantly lower than that under other annealing conditions. Therefore, O is the most critical contamination in InAs nucleation. (C) 2011 The Japan Society of Applied Physics

    DOI

  • Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE

    Momoko Deura, Yoshiyuki Kondo, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama

    Journal of Crystal Growth   312 ( 8 ) 1353 - 1358  2010年04月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

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    We have successfully formed a thin twin-free layer on the top of InGaAs micro-discs by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE on Si(1 1 1) substrates. The multi-step growth employs a gas flow sequence in which the partial pressure of the Ga source (trimethylgallium: TMGa) is modulated to control the initial nucleation and the direction of subsequent growth. We have previously improved in-plane uniformity of crystal shape of InGaAs micro-discs by 3-step growth that starts with InAs nucleation. Using these micro-discs as templates, InGaAs with tripled partial pressure of TMGa was grown as the fourth step. The growth of this fourth layer on the disc surface seems to suppress the layer-by-layer growth on the (1 1 1) plane and to terminate rotational twins, as well as keeping the size deviation of micro-discs under 25%. One of the most laterally grown micro-discs (with thickness of 380 nm and width of 7.1 mu m) had a 50-nm-thick twin-free layer on the top. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Dislocation-Free InGaAs on Si(111) Using Micro-Channel Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Momoko Deura, Takuya Hoshii, Takahisa Yamamoto, Yuichi Ikuhara, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama

    Applied Physics Express   2 ( 1 ) 011101  2009年01月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

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    We have obtained a dislocation-free InGaAs layer on Si(111) using micro-channel selective-area metalorganic vapor phase epitaxy. By increasing the supply of the Ga precursor, we removed rotational twins, which have been observed in III-V layers on (111) substrates. From analysis of the atomic structure, the Ga content in the crystal was found to increase gradually as the growth proceeded. This increase resulted in growth in a tilted direction from [111] and extinction of twins. It was concluded that a twin-free InGaAs layer can be obtained when a Ga-rich layer is inserted in the middle of the growth. (C) 2009 The Japan Society of Applied Physics

    DOI

  • Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si

    Momoko Deura, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama

    Journal of Crystal Growth   310 ( 23 ) 4768 - 4771  2008年11月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

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    We investigated the dependence of the growth mode on the Ga content in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si(111) substrates by changing the partial pressure of a Ga source. The Ga content in the crystal was affected by the initial nucleation and the shape of InGaAs islands after growth. In the growth of InAs, a single columnar nucleus was generated in each open window and a hexagonal column was eventually grown. The content of the initial nuclei of InGaAs were close to InAs. As the partial pressure of a Ga source was increased, the number of nuclei in a growth area increased, their shape became rounded, and a slight amount of Ga was incorporated into the nuclei. The InGaAs islands showed enhanced lateral growth as the partial pressure of a Ga source was increased and incoherent growth without specific crystallographic planes became apparent at a high Ga content. The InGaAs islands that grew in the lateral direction had an inhomogeneous Ga content with a higher Ga content at the peripheral region. It appears that incorporation of Ga suppresses coherent growth of In(Ga)As in the vertical direction and enhances lateral growth, although high Ga content can induce incoherent growth. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary materials using in situ RAS

    Momoko Deura, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama

    Journal of Crystal Growth   310 ( 23 ) 4736 - 4740  2008年11月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

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    Kinetic analysis of the surface adsorption layer on GaAs, InAs, InP, and GaP surfaces during metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) was performed by in situ monitoring of the temporal behavior of surface reconstructions using reflectance anisotropy spectroscopy (RAS). When the flow of group-Ill sources was switched on/off, the transient RA signal exhibited two time constants to and t(1) in response to the generation/extinction of the adsorption layer. It was considered that t(0), when the supply of group-III sources was started, corresponds to the adsorption of group-III atoms from the gas phase to the adsorption layer, and that t(1), when the supply of group-Ill sources was terminated, is associated with the incorporation of adsorbed group-Ill atoms to the crystal. The rate constant of adsorption, I/t(0), was approximately 2(s-1) for all surfaces except for GaP. The rate constant of incorporation, 1/t(1), ranged from 0.1 to 10s(-1). It was found that 1/t(1) for the As-containing materials was faster than that for P-related materials, and 1/t(1) for In-containing materials was faster than that for the Ga-containing materials. For the As-containing materials, 1/t(1) agreed with the incorporation rate constants of adsorbed group-Ill precursors obtained using the Langmuir-Hinshelwood model by the analysis of selective-area growth (SAG). (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Kinetic analysis of surface adsorption layer in GaAs(001) metalorganic vapor phase epitaxy by in situ reflectance anisotropy spectroscopy

    Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Takayuki Nakano, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki

    Japanese Journal of Applied Physics   46 ( 10A ) 6519 - 6524  2007年10月  [査読有り]

    担当区分:筆頭著者

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    A kinetic analysis of the surface adsorption layer of III/V semiconductors in metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) was carried out by monitoring the temporal behavior of surface reconstruction that is assumed to be maintained during growth with the adsorption layers. A GaAs(001) surface was observed in situ using reflectance anisotropy spectroscopy (RAS), and both spectroscopic and kinetic analyses were pet-formed when trimethylgallium (TMGa) was supplied intermittently while the supply of tertiarybutylarsine (TBAs) was continuous. When the flow of TMGa was switched on/off, the transient RA signal exhibited time constants of 0.2-20s. By observing the dependence of these time constants on the partial pressure of TMGa and substrate temperature, we considered that the time constant (to) at the start of TMGa supply corresponds to the adsorption of Ga from the gas phase to the adsorption layer, and two constants (i.e., t(1) and t(2)) at the end of TMGa supply are associated with the crystallization of adsorbed Ga and the recovery of surface reconstruction, respectively. The equivalent thickness of the adsorption layer was estimated to be 0.19 monolayer thickness at 550 degrees C.

    DOI

  • Theoretical study on gas‐phase reactions during chemical vapor deposition of TixAl1–xN from TiCl4, AlCl3, and NH3

    Noboru Sato, Jun Yamaguchi, Masahiro Koto, Hayato Kubo, Takanori Sugiyama, Takahito Tanibuchi, Momoko Deura, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    International Journal of Chemical Kinetics    2024年07月

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    Abstract

    Fcc‐TixAl1–xN (TiAlN) coatings synthesized via chemical vapor deposition (CVD) reduce cutting tool wear. Although CVD conditions reportedly influence coating quality, no quantitative guidelines are yet available. To quantitatively study the film‐forming mechanism of TiAlN CVD, the gas composition over the surface must be known. Therefore, we developed a gas‐phase elementary reaction model for TiAlN CVD derived from TiCl4/AlCl3/NH3. First, we constructed a novel thermodynamic dataset including molecules that contained both Ti and Al, and calculated the equilibrium composition. Thermal equilibrium calculations in the gas phase showed that the most stable species were AlCl3 and TiCl3 rather than TiCl4. An elementary reaction model was constructed based on the kinetics of the gas‐phase species that were generated. Kinetic analysis revealed that gas‐phase reactions were largely absent under our reactor conditions. The thermal equilibrium calculations indicated that TiCl4 may have given rise to TiCl3. Thus, other reaction pathways of TiCl4 to TiCl3 were explored. We calculated the reaction rate constants of 12 reactions of Ti species and added them to the model, which revealed that TiCl4 decomposed to TiCl3 via TiCl3NH2. Under our conditions, TiCl4 and TiCl3NH2 are the major Ti species and AlCl3 and AlCl2NH2 are the major Al species, which suggests that some of these species may form films. Unlike in the earlier reaction model, NH2 and H radicals were produced, which may have contributed to the surface reactions. For reactors with large Surface/Volume ratio of reactor, the effects of gas‐phase reactions should be considered. Our reaction model enables estimation of the partial pressures of reactor gas species and will therefore aid study of the TiAlN deposition mechanism.

    DOI

  • Mechanism of SiC formation by Si surface carbonization using CO gas

    Momoko Deura, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Hiroyuki Fukuyama

    Applied Surface Science     159965 - 159965  2024年03月

    DOI

  • Effect of layer structure of AlN interlayer on the strain in GaN layers during metal-organic vapor phase epitaxy on Si substrates

    Momoko Deura, Takuya Nakahara, Wan Chi Lee, Takeshi Momose, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki

    Journal of Applied Physics   133 ( 16 )  2023年04月

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    It is highly challenging to grow high-quality gallium nitride (GaN) layers on silicon (Si) substrates due to the intrinsic mismatching of their structural and thermal properties. Aluminum nitride (AlN) interlayers have been used to induce a compressive strain to GaN layers during growth, which compensates for the tensile strain in these layers on Si substrates during cooling. In this study, we investigated the effect of the growth temperature and layer structure of the AlN interlayer to understand the relationship between surface flatness and relaxation ratio of the AlN interlayer and the compressive strain in the overlying GaN layer. Low-temperature (LT) growth enhanced lattice relaxation of the AlN interlayer, whereas the AlN surface was atomically flat at high temperature (HT). We also examined a two-step growth to combine the advantages of LT- and HT-AlN. This approach resulted in a surface with multiple flat regions separated by grooves, which had the largest compressive strain in the overlying GaN layer at the early stages of growth. At later stages, the strain was the largest on the HT-AlN interlayer. In both cases, the experimentally measured compressive strain exceeded simulated predictions. Finally, possible solutions for inducing a larger compressive strain in the GaN layer using interlayers were discussed.

    DOI

  • Direct growth of GaN film on ScAlMgO<inf>4</inf> substrate by radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy

    Tsutomu Araki, Seiya Kayamoto, Yuuichi Wada, Yuuya Kuroda, Daiki Nakayama, Naoki Goto, Momoko Deura, Shinichiro Mouri, Takashi Fujii, Tsuguo Fukuda, Yuuji Shiraishi, Ryuichi Sugie

    Applied Physics Express   16 ( 2 )  2023年02月

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    ScAlMgO4 (SAM) has attracted attention as a substrate for nitride semiconductor crystal growth owing to its small a-axis lattice mismatch with GaN and InGaN. In this study, we investigated GaN growth on a SAM substrate via radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy. By optimizing the growth conditions, GaN with the following epitaxial orientation relations (0001)GaN//(0001)SAM and [11-20]GaN//[11-20]SAM was successfully grown directly on the SAM substrate. The atomically flat and abrupt interface of GaN directly grown on the SAM substrate was observed via high-resolution transmission electron microscopy, and uniform GaN growth on a two-inch SAM substrate was also demonstrated.

    DOI

  • Supercritical fluid deposition for conformal Cu film formation on sub-millimeter-scale structures used to fabricate terahertz waveguides

    Yuyuan Huang, Momoko Deura, Yusuke Shimoyama, Yukihiro Shimogaki, Takeshi Momose

    Applied Physics Express   15 ( 7 ) 075502  2022年05月  [査読有り]

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    Abstract

    A small-volume hot-wall batch reactor with excess precursor loading was proposed for supercritical fluid deposition (SCFD) of Cu during the fabrication of sub-millimeter-scale, metal-coated terahertz (THz) wave devices. Conformal film formation was experimentally demonstrated, validating our method. Our method enables a much higher precursor concentration (at least 20 mol/m3) than the conventional method (below 2 mol/m3), facilitating conformal film formation on sub-millimeter structures. Kinetic analysis revealed that our proposed method was applicable for fabricating rectangular metal-coated THz waveguides; furthermore, it was promising for monolithically integrated THz wave devices.

    DOI

  • Suitability of metallic materials for constructing metal-coated dielectric terahertz waveguides

    Yuyuan Huang, Kuniaki Konishi, Momoko Deura, Yusuke Shimoyama, Junji Yumoto, Makoto Kuwata-Gonokami, Yukihiro Shimogaki, Takeshi Momose

    Journal of Applied Physics   131 ( 10 ) 105106 - 105106  2022年03月  [査読有り]

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    We aimed to identify metallic materials that could be used to construct metal-coated dielectric terahertz (THz) waveguides. We examined seven different metals: gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), nickel (Ni), chromium (Cr), and titanium (Ti). The propagation losses of our in-house metal-coated dielectric parallel-plate waveguide (PPWG) were experimentally determined. We developed a physical model to estimate the two key parameters determining the performance of metal-coated waveguides: the critical film thickness required for bulk material-like behavior and the propagation loss in a film with a thickness greater than critical film thickness. Film quality, as revealed by the thickness-dependent electrical conductivity of the metal film, was measured prior to experiments and used for model calculations because propagation loss is influenced by film conductivity, which differs from bulk conductivity and depends on film thickness. After experimentally validating the applicability of the model to different metals, suitable metals were identified based on the two key parameters calculated by the model, assuming the same high film quality. Cu was identified as the optimal metal. The effect of film quality on the two key parameters is discussed in this paper. The impact of the surface oxide (CuOx) layer on THz wave propagation was experimentally evaluated using CuOx/Cu-coated PPWG; no detectable transmittance decrease was observed regardless of the CuOx thickness (1.5–176 nm), when the underlying Cu film was of sufficient thickness. Our model also indicated that a CuOx layer &lt;1  μm-thick had a negligible impact on THz wave propagation. Thus, native oxidation is not an issue when using Cu.

    DOI

  • On-chip optical interconnection using integrated germanium light emitters and photodetectors

    Kazuki Tani, Tadashi Okumura, Katsuya Oda, Momoko Deura, Tatemi Ido

    Optics Express   29 ( 18 ) 28021 - 28021  2021年08月  [査読有り]

    DOI

  • Development of a model for evaluating propagation loss of metal-coated dielectric terahertz waveguides

    Yuyuan Huang, Kuniaki Konishi, Momoko Deura, Yusuke Shimoyama, Junji Yumoto, Makoto Kuwata-Gonokami, Yukihiro Shimogaki, Takeshi Momose

    Journal of Applied Physics   130 ( 5 ) 055104 - 055104  2021年08月  [査読有り]

    DOI

  • Enhanced room-temperature electroluminescence from a germanium waveguide on a silicon-on-insulator diode with a silicon nitride stressor

    Kazuki Tani, Katsuya Oda, Momoko Deura, Tatemi Ido

    Optics Express   29 ( 3 ) 3584 - 3584  2021年02月  [査読有り]

    DOI

  • Insight into physical processes controlling the mechanical properties of the wurtzite group-III nitride family

    I. Yonenaga, M. Deura, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno

    Journal of Crystal Growth   500   23 - 28  2018年08月  [査読有り]

    DOI

  • Characterization of femtosecond-laser-induced periodic structures on SiC substrates

    R. Miyagawa, Y. Ohno, M. Deura, I. Yonenaga, O. Eryu

    Japanese Journal of Applied Physics   57  2018年  [査読有り]

    DOI

  • Nanoscopic analysis of oxygen segregation at tilt boundaries in silicon ingots using atom probe tomography combined with TEM and ab initio calculations

    Y. Ohno, K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

    Journal of Microscopy   268 ( 3 ) 230 - 238  2017年12月  [査読有り]

    DOI

  • Nanoindentation measurements of a highly oriented wurtzite-type boron nitride bulk crystal

    Deura Momoko, Kutsukake Kentaro, Ohno Yutaka, Yonenaga Ichiro, Taniguchi Takashi

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 ( 3 ) 030301/1 - 030301/4  2017年03月

     概要を見る

    We succeeded in synthesizing a bulk crystal of wurtzite-type boron nitride (w-BN) by the direct conversion method. The synthesized crystal was approximately 2 mm wide and 350 µm thick, and highly oriented to the c-axis. We performed nanoindentation measurements on the c-plane of the w-BN crystal at room temperature to evaluate the mechanical properties of w-BN. The hardness and Young’s modulus of w-BN from the obtained curves were simultaneously determined to be 54 ± 2 and 860 ± 40 GPa, respectively. The underlying physical mechanism that dominates the mechanical properties of group-III nitride semiconductors is also examined.

    DOI CiNii

  • Impact of local atomic stress on oxygen segregation at tilt boundaries in silicon

    Y. Ohno, K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

    Applied Physics Letters   110 ( 6 ) 062105/1 - 062105/5  2017年02月  [査読有り]

    DOI

  • Recombination activity of nickel, copper, and oxygen atoms segregating at grain boundaries in mono-like silicon crystals

    Y. Ohno, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

    Applied Physics Letters   109 ( 14 ) 142105/1 - 142105/4  2016年10月  [査読有り]

    DOI

  • 22aAQ-7 シリコン中の小角粒界における銅の偏折機構

    大野 裕, 井上 海平, 沓掛 健太郎, 出浦 桃子, 米永 一郎, 海老澤 直樹, 清水 康雄, 井上 耕治, 永井 康介, 吉田 秀人, 竹田 精治, 谷口 僚, 大坪 秀礎, 西谷 滋人, Kutsukake K.

    日本物理学会講演概要集   71   2760 - 2760  2016年

    DOI CiNii

  • Characterization of silicon ingots: Mono-like versus high-performance multicrystalline

    Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

    Japanese Journal of Applied Physics   54 ( 8S1 ) 08KD10 - 08KD10  2015年08月  [査読有り]

    DOI

  • Elastic properties of indium nitrides grown on sapphire substrates determined by nano-indentation: In comparison with other nitrides

    Ichiro Yonenaga, Yasushi Ohkubo, Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Akihiko Yoshikawa, Xin Qiang Wang

    AIP Advances   5 ( 7 ) 077131 - 077131  2015年07月  [査読有り]

    DOI

  • Nanoscopic mechanism of Cu precipitation at small-angle tilt boundaries in Si

    Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Takayuki Ohsawa, Ichiro Yonenaga, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Ryo Taniguchi, Hideki Otubo, Sigeto R. Nishitani, Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Hisashi Takamizawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    Physical Review B   91 ( 23 ) 235315  2015年06月  [査読有り]

     概要を見る

    We investigate copper (Cu) precipitation at small-angle tilt boundaries on (220) in Czochralski-grown p-type silicon (Si) ingots using transmission electron microscopy, atom probe tomography, and ab initio calculations. In the initial stage of precipitation, Cu atoms agglomerate along the boundaries, forming coherent layers (less than about 2 nm thick) of Cu3Si with a body-centered-cubic structure in a metastable state (a = 0.285 nm). As the layers thicken, they become semicoherent with misfit dislocations on the (220) interphase boundaries, reducing coherency strains. Subsequently, the metastable layers convert into incoherent polyhedrons of orthorhombic. eta ''-Cu3Si in the equilibrium state, forming interphase boundaries on {112} in Si. These results are similar to the Cu precipitation processes found in metallic alloys: the formation of Guinier-Preston zones followed by a conversion into the equilibrium theta phase.

    DOI

  • Three-dimensional evaluation of gettering ability for oxygen atoms at small-angle tilt boundaries in Czochralski-grown silicon crystals

    Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kozo Fujiwara, Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Ichiro Yonenaga, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Naoki Ebisawa, Yasuyoshi Nagai

    Applied Physics Letters   106 ( 25 ) 251603  2015年06月  [査読有り]

     概要を見る

    Three-dimensional distribution of oxygen atoms at small-angle tilt boundaries (SATBs) in Czochralski-grown p-type silicon ingots was investigated by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy. Oxygen gettering along edge dislocations composing SATBs, post crystal growth, was observed. The gettering ability of SATBs would depend both on the dislocation strain and on the dislocation density. Oxygen atoms would agglomerate in the atomic sites under the tensile hydrostatic stress larger than about 2.0GPa induced by the dislocations. It was suggested that the density of the atomic sites, depending on the tilt angle of SATBs, determined the gettering ability of SATBs. (C) 2015 AIP Publishing LLC.

    DOI

  • 17aAB-2 シリコン中の小角粒界における酸素の偏析機構

    大野 裕, 井上 海平, 藤原 航三, 出浦 桃子, 沓掛 健太郎, 米永 一郎, 清水 康雄, 井上 耕治, 海老澤 直樹, 永井 康介

    日本物理学会講演概要集   70   2434 - 2434  2015年

    DOI CiNii

  • Effect of GaP and GaP/InGaP insertion layers on the structural and optical properties of InP quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy

    S. S. Han, A. Higo, W. Yunpeng, M. Deura, M. Sugiyama, Y. Nakano, S. Panyakeow, S. Ratanathammaphan

    Microelectronic Engineering   112   143 - 148  2013年12月  [査読有り]

     概要を見る

    A comparison of ultra-thin insertion layers (Gap and GaP/In0.4Ga0.6P) on InP self-assembled quantum dots (SAQDs) grown on GaAs (001) substrates using metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) was studied. Atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) were employed to characterize the optical and structural properties of the grown InP QDs. It is found that the QD dimension, size distribution and density strongly depend on the insertion layer thickness which led to tune the emission wavelength and narrowing of full width at half maximum (FWHM) at low temperature (20-250 K) and at room-temperature PL measurements. This result is attributed to the improved QD size and quantum confinement effect arising from the insertion of the GaP and GaP/In0.4Ga0.6P layers. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Highly stable GaN photocatalyst for producing H2 gas from water

    Kazuhiro Ohkawa, Wataru Ohara, Daisuke Uchida, Momoko Deura

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 8 ) 08JH04  2013年08月  [査読有り]

     概要を見る

    Efficient production of H2 from water without the use of an extra bias or any sacrificial reagents is possible using a GaN photocatalyst with a NiO cocatalyst. The average energy conversion efficiency from light energy to H2 energy was approximately 1% for 500 h. The total amount of hydrogen was 184 mL/cm2 of the GaN surface. H2 production rate was as high as 0.37 mL/(cm2-h). © 2013 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI

  • Highly efficient photochemical HCOOH production from CO2 and water using an inorganic system

    Satoshi Yotsuhashi, Hiroshi Hashiba, Masahiro Deguchi, Yuji Zenitani, Reiko Hinogami, Yuka Yamada, Momoko Deura, Kazuhiro Ohkawa

    AIP Advances   2 ( 4 ) 042160  2012年12月  [査読有り]

     概要を見る

    We have constructed a system that uses solar energy to react CO2 with water to generate formic acid (HCOOH) at an energy conversion efficiency of 0.15%. It consists of an AlGaN/GaN anode photoelectrode and indium (In) cathode that are electrically connected outside of the reactor cell. High energy conversion efficiency is realized due to a high quantum efficiency of 28% at 300 nm, attributable to efficient electron-hole separation in the semiconductor's heterostructure. The efficiency is close to that of natural photosynthesis in plants, and what is more, the reaction product (HCOOH) can be used as a renewable energy source. Copyright 2012 Author(s). This article is distributed under a Creative Commons Attribution 3.0 Unported License. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4769356]

    DOI

  • High Stability and Efficiency of GaN Photocatalyst for Hydrogen Generation from Water

    Tomoe Hayashi, Momoko Deura, Kazuhiro Ohkawa

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 11 ) 112601  2012年11月  [査読有り]

     概要を見る

    Continuous hydrogen generation from water was realized for 110 h using an n-type GaN film with a NiO cocatalyst. This GaN-NiO photocatalyst exhibits incident photon-to-current conversion efficiencies of 70 and 57% at wavelengths of 300 and 350 nm, respectively. These results indicate that the GaN-NiO photocatalyst has high stability and efficiency for hydrogen generation. (C) 2012 The Japan Society of Applied Physics

    DOI

  • The effect of thin GaP insertion layer on InP nanostructure grown by metal-organic vapour phase epitaxys

    Soe Soe Han, Somsak Panyakeow, Somchai Ratanathammaphan, Akio Higo, Wang Yunpeng, Momoko Deura, Masakasu Sugiyama, Yoshiaki Nakano

    Canadian Journal of Chemical Engineering   90 ( 4 ) 915 - 918  2012年08月  [査読有り]

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    The effect of thin GaP insertion layers on the structural and optical properties of InP/In0.49Ga0.51P self-assembled quantum dots (SAQDs) on GaAs (001) substrate grown by metalorganic vapour phase epitaxy has been reported. The properties of InP/In0.49Ga0.51P SAQDs are modified when a thin (14 ML) GaP layer is inserted underneath the InP quantum dots (QDs). Deposition of the GaP insertion layer affects the dot dimension and improves the size uniformity. The density, dimension and uniformity of InP QDs strongly depend on the GaP insertion layer thickness. This variation in QD size is a result of a material nucleation effect caused by atomic intermixing between the InP QDs and underlying GaP insertion layer and surface energy. The insertion of GaP layer led to tuning the emission wavelength and narrowing of full width at half maximum (FWHM) when they are characterised by PL measurements at room temperature. (C) 2012 Canadian Society for Chemical Engineering

    DOI

  • 740-nm emission from InGaN-based LEDs on c-plane sapphire substrates by MOVPE

    Kazuhiro Ohkawa, Tomomasa Watanabe, Masanori Sakamoto, Akira Iiirako, Momoko Deura

    Journal of Crystal Growth   343 ( 1 ) 13 - 16  2012年03月  [査読有り]

     概要を見る

    We have realized for the first time deep-red emission from InGaN-based light-emitting diodes on c-plane sapphire substrates grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. The peak wavelength was 740 nm by continuous current injection, in spite of a wide full-width at half-maximum. Indium incorporation was enhanced by a smaller distance of the opposing wall of the reactor from the susceptor, which resulted in raising the gas temperature. In addition, a higher number of quantum wells led to the relaxation of InGaN well layers and thus enhanced indium incorporation. (C) 2012 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Origin of electron mobility enhancement in (111)-oriented InGaAs channel metal-insulator-semiconductor field-effect-transistors

    Noriyuki Miyata, Hiroyuki Ishii, Yuji Urabe, Taro Itatani, Tetsuji Yasuda, Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

    Microelectronic Engineering   88 ( 12 ) 3459 - 3461  2011年12月  [査読有り]

     概要を見る

    Electrical and physical characteristics of the Al(2)O(3)/InGaAs interfaces with (1 1 1)A and (1 0 0) orientations were investigated in an attempt to understand the origin of electron mobility enhancement in the (1 1 1)A-channel metal-insulator-semiconductor field-effect-transistor. The (1 1 1)A interface has less As atoms of high oxidation states as probed by X-ray photoelectron spectroscopy. The electrical measurements showed that energy distribution of the interface traps for the (1 1 1)A interface is shifted toward the conduction band as compared to that for the (1 0 0) interface. Laterally-compressed cross-section transmission electron microscopy images showed that the characteristic lengths of the interface roughness are different between the (1 1 1)A and (1 0 0) interfaces. The contributions of the Coulomb and roughness scattering mechanisms are discussed based on the experimental results. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reservei.

    DOI

  • In situ reflectance monitoring for the MOVPE of strain-balanced InGaAs/GaAsP quantum-wells

    Yunpeng Wang, Ryusuke Onitsuka, Momoko Deura, Wen Yu, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano

    Journal of Crystal Growth   312 ( 8 ) 1364 - 1369  2010年04月  [査読有り]

     概要を見る

    A strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum-wells (MQWs) structure was grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) on GaAs substrate, aiming at a middle cell that improves current matching in a tandem solar cell. In order to detect the instant of strain relaxation in the course of MOVPE, which deteriorates crystal quality significantly, we employed in situ optical surface reflectivity measurement. When strain balancing was incomplete, surface reflectivity dropped during the growth of MQWs, indicating lattice relaxation. Such drop in surface reflectivity occurred at a smaller number of stacked quantum wells when the absolute value of an average strain per well/barrier pair was larger. The accumulated strain, i.e., the product between the average strain and the total thickness at the moment of reflectivity dropped, was roughly constant for all the MQWs, indicating a possibility that we can use this value as the measure to predict the maximum number of MQWs for a given value of the average strain. The reflectance anisotropy (RA) was also monitored in the course of the growth. The value of RA showed linear periodic behavior before the lattice relaxation, corresponding to the well/barrier stacks, suggesting that anisotropy of surface atoms reflects accumulated strain of the growth surface. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Initial growth of InAs on P-terminated Si(111) surfaces to promote uniform lateral growth of InGaAs micro-discs on patterned Si

    Yoshiyuki Kondo, Momoko Deura, Yuki Terada, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama

    Journal of Crystal Growth   312 ( 8 ) 1348 - 1352  2010年04月  [査読有り]

     概要を見る

    We have investigated the initial growth of InAs on Si(1 1 1) substrates produced with metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) and using micro-channel selective area growth (MC-SAG). Treatment of the Si surface prior to InAs growth is essential in order to achieve high-yield nucleation of a single island in each growth area. A breakthrough for successful nucleation was the use of tertiarybutylphosphine (TBP) pre-flow. We have analyzed the effect of such surface pretreatment in terms of the shape of InAs islands at the initial stage of growth and the incubation period between the supply of the indium source and the nucleation, the latter data being obtained by means of in situ surface reflectivity measurement. XPS analyses confirmed that the TBP and tertiarybutylarsine (TBAs) pre-flow introduced, respectively, P and As on the Si surfaces resulting in a change in surface energy. The surface with As exhibited a larger surface energy and shorter incubation period, which are preferable for better nucleation. The coverage of As on the surface, however, appeared less reliable than that of P, i.e., pre-flow with TBP was superior to pre-flow with TBAs in terms of uniformity of surface coverage. This finding is useful for achieving high-yield nucleation in small growth openings in MC-SAG. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Dependences of Initial Nucleation on Growth Conditions of InAs on Si by Micro-Channel Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

    Yoshiyuki Kondo, Momoko Deura, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama

    Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 12 ) 125601  2010年  [査読有り]

     概要を見る

    In order to improve the uniformity of InGaAs lateral islands on Si grown by micro-channel selective area growth, we have investigated the dependences of initial InAs nucleation on the partial pressures of trimethylindium (P(TMIn)) and tertiary butylarsine (P(TBAs)) using the in situ monitoring of surface reflectivity. The high P(TMIn) resulted in a short incubation period, a high density of nuclei, and vertical growth, suggesting that a high P(TMIn) is suitable for obtaining single nuclei in each growth area, which is vital for the growth of single-domain crystals on Si. Laterally grown InAs nuclei, which are preferable for the lateral growth of InGaAs crystals that succeeds the initial nucleation of InAs, were obtained using either a low P(TMIn) or a high P(TBAs), however, the effect of the latter was not significant. P(TBAs) did not affect the incubation period. The density, uniformity, and shape of InAs nuclei can be controlled effectively by adjusting P(TMIn), but the uniformity and lateral shape could not be obtained simultaneously. We, therefore, devised a flow-modulated sequence and obtained InAs islands that grew in the lateral direction and almost filled the growth area with a single-crystal domain. (C) 2010 The Japan Society of Applied Physics

    DOI

  • High Electron Mobility Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated on (111)-Oriented InGaAs Channels

    Hiroyuki Ishii, Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Taro Itatani, Tetsuji Yasuda, Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

    Applied Physics Express   2 ( 12 ) 121201  2009年12月  [査読有り]

     概要を見る

    Metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) were fabricated on the (111)A surface of In(0.53)Ga(0.47)As for the first time. Al(2)O(3) gate dielectrics were formed by atomic layer deposition on sulfur-stabilized InGaAs surfaces. The MISFET on (111)A demonstrated channel mobility higher than that on (100), achieving more than 100% improvement with respect to Si even at a high surface carrier concentration. (C) 2009 The Japan Society of Applied Physics DOI: 10.1143/APEX.2.121101

    DOI

  • In situ passivation of GaAs surface with aluminum oxide with MOVPE

    Yuki Terada, Momoko Deura, Yukihiro Shimogaki, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano

    Journal of Crystal Growth   310 ( 23 ) 4808 - 4812  2008年11月

     概要を見る

    In situ passivation of GaAs surface subsequent to the growth in a metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) reactor has been made possible using trimethylaluminum (TMAl). The adsorption layer on GaAs, presumably consisting of aluminum and the decomposition product of TMAl, was oxidized upon exposure to air to form thin AlO(x) layer. TMAl supply of only 0.5 monolayer completely prevented the oxidation of As on the surface, as confirmed by XPS. The passivation layer mostly prevented the oxidation of As upon O(2) annealing for 5 min at 250 degrees C. For the successful passivation, complete desorption of excess As on the GaAs surface was essential prior to the injection of TMAl Otherwise, AlAs layer was formed and arsenic oxide was inevitably formed. The optimum length of H(2) purge to desorb As was determined to be 2 min with in situ surface monitoring using reflectance anisotropy spectroscopy (RAS). This passivation method, combined with the succeeding deposition of Al(2)O(3) as a gate dielectric in a different reactor, provides the GaAs/gate interface without As-oxide. The method is applicable to the MOVPE growth of electron channel layers containing As for III-V metal-insulator-semiconductor field effect transistors (MISFETs). (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Epitaxial lateral overgrowth of InGaAs on SiO2 from (111) Si micro channel areas

    Takuya Hoshii, Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, Yoshiaki Nakano, Shinichi Takagi

    Physica Status Solidi C   5 ( 9 ) 2733 - +  2008年  [査読有り]

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    In this paper, we demonstrate that micro selective area growth (mu SAG) is effective in improving the crystal quality of InGaAs oil (111) Si through the decrease in the number of the nuclei on a selective growth Si area. It is found that smaller selective areas are better in the morphology of the epitaxial films, while the pitch of selective areas yields a trade-off relationship between the selectivity and the lateral growth length. It is demonstrated that InGaAs films with good morphology and largo lateral growth areas have been obtained by mu SAG on (111) Si dot areas with the diameter of 2 mu m and the pitch of 5 mu m using metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). This result suggests that mu SAG using MOVPE is a promising technique for III-V-On-Insulator structures oil Si substrates. (C) 2008 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

    DOI

  • Impact of atomistic surface structure on macroscopic surface reaction rate in MOVPE of GaAs

    Masakazu Sugiyama, Haizheng Song, Momoko Deura, Yoshiaki Nakano, Yukihiro Shimogaki

    Electrochemical and Solid State Letters   10 ( 4 ) H123 - H126  2007年  [査読有り]

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    In situ reflectance anisotropy spectroscopy was employed to interpret the surface reaction rate constant (k(s)) of a Ga precursor on a GaAs(001) surface in metallorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE), which was extracted by the analysis of selective-area growth. The activation energy of ks significantly decreased above 625-630 degrees C. Correspondingly, the surface anisotropy spectrum changed around 600 degrees C from that of surface reconstruction containing Ga dimers at lower temperatures to that of c(4 x 4)-like reconstruction with As dimers at higher temperatures. These observations suggest a step-flow growth mode at higher temperatures and an island growth mode at lower temperatures. (c) 2007 The Electrochemical Society.

    DOI

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講演・口頭発表等

  • SiC/Si基板上に成長した窒化物半導体層内ボイドの形成メカニズム

    奥友則, 百瀬健, 霜垣幸浩, 出浦桃子

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2022年

    開催年月:
    2022年
     
     
  • Co-ALDプロセスにおける原料の比較検討

    山口潤, 佐藤登, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2022年

    開催年月:
    2022年
     
     
  • MTS/H2を原料としたSiC-CVIにおけるSiCl4添加による微細構造内製膜均一化の原因考察

    大高雄平, 木村俊介, 佐藤登, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2022年

    開催年月:
    2022年
     
     
  • 理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスの表面反応モデル構築

    佐藤登, 古藤雅大, 久保隼人, 杉山貴悟, 出浦桃子, 百瀬健, 谷渕栄仁, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2022年

    開催年月:
    2022年
     
     
  • 超臨界流体薄膜堆積法により作製したTiO2の光触媒活性決定要因

    安治遼祐, 中嶋佑介, 出浦桃子, 下山裕介, 霜垣幸浩, 百瀬健

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2022年

    開催年月:
    2022年
     
     
  • COSMO-SAC法による金属錯体の蒸気圧予測の検討

    佐藤登, 山口潤, 呉宇軒, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2022年

    開催年月:
    2022年
     
     
  • CCTBAを用いたCo-ALDプロセスの検討

    山口潤, 佐藤登, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2022年

    開催年月:
    2022年
     
     
  • 高アスペクト比構造へのCu-SCFDプロセス最適設計に向けたCu(tmhd)2のscCO2への溶解度と拡散係数の測定

    師井滉平, HUANG Yuyuan, 出浦桃子, 下山裕介, 霜垣幸浩, 百瀬健

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2022年

    開催年月:
    2022年
     
     
  • MOVPE of GaN on SiC/Si substrates formed by Si surface carbonization

    M. Deura, Y. Zhu, J. Wang, T. Momose, Y. Shimogaki

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  

    発表年月: 2021年03月

  • MTS/H2を原料としたSiC-CVIにおける擬0次反応と犠牲層を併用したトレンチ内均一製膜

    大高雄平, 根東佳史, 佐藤登, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • 理論的検討に基づいたSiC-CVIプロセスにおける炭素種の表面反応モデル構築

    佐藤登, 根藤佳史, 大高雄平, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • 超臨界流体薄膜堆積法による光触媒TiO2の作製

    安治遼祐, 佐藤将太, 出浦桃子, 霜垣幸浩, 百瀬健

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • 非線形表面反応速度論における化学蒸着のためのマルチスケールシミュレーションフレームワーク【JST・京大機械翻訳】

    ZHANG Jin, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • 多結晶SiC-CVDプロセス設計を目指した総括反応モデルの構築と検証

    師井滉平, 奥友則, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • 超臨界流体薄膜堆積法で作製した酸化チタンの光触媒活性と結晶性への添加物の効果

    安治遼祐, 出浦桃子, 下山裕介, 霜垣幸浩, 百瀬健

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • パルス供給ALDにおける原料気化特性の検討

    山口潤, 出浦桃子, 百瀬健, 松永隆行, 山内昭佳, 岸川洋介, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • SiCf/SiC CMC合成のための排出ガス改質再利用を含むSiC含浸プロセスの提案

    大高雄平, 佐藤登, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • 理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスにおける気相素反応機構構築

    佐藤登, 山口潤, 久保隼人, 杉山貴悟, 出浦桃子, 百瀬健, 谷渕栄仁, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • Si基板上窒化物半導体薄膜の内部応力緩和に向けたボイド設計

    奥友則, 百瀬健, 霜垣幸浩, 出浦桃子

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • Si基板上GaN成長における結晶方位回転成長領域とピット生成の関係

    岡本和也, 出浦桃子, 依田孝, 依田孝, 高橋英志, 宮野清孝, 津久井雅之, 百瀬健, 杉山正和, 杉山正和, 霜垣幸浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • 次世代高信頼性配線形成を目指したCo-ALDプロセスの検討

    山口潤, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • Si基板上の窒化物半導体層の内部応力に対するボイド形状の影響

    奥友則, 百瀬健, 霜垣幸浩, 出浦桃子

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2021年

    開催年月:
    2021年
     
     
  • SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討

    佐藤登, 大高雄平, 安治遼祐, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • MTS/H2を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl4添加効果の検討

    大高雄平, 安治遼祐, 佐藤登, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • CVDマルチスケールシミュレーション中のレベルセット法による膜厚プロファイルの時間発展【JST・京大機械翻訳】

    ZHANG Jin, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2)

    山口潤, 平原智子, 久保隼人, 出浦桃子, 百瀬健, 谷渕栄仁, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2)

    山口潤, 平原智子, 久保隼人, 出浦桃子, 百瀬健, 谷渕栄仁, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • テトラメチルシランを用いた塩素フリーな化学気相含浸法によるSiCf/SiCの製造

    安治遼祐, 大高雄平, 佐藤登, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • MTS/H2を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl4添加効果の検討

    大高雄平, 安治遼祐, 佐藤登, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • SiC-CVIプロセスにおける表面の反応モデル化に向けた反応過程の理論検討

    佐藤登, 大高雄平, 安治遼祐, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • CVDマルチスケールシミュレーションの間のレベルセット法による膜厚分布の時間展開

    JIN Zhang, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • 多結晶SiC-CVDの高速・均一化に向けた反応機構解析

    奥友則, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • 理論的検討に基づいたSiC-CVDプロセスにおける表面反応モデル構築

    佐藤登, 根藤佳史, 大高雄平, 安治遼祐, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • Si基板上GaN成長におけるピットの分類と構造解析

    岡本和也, 曽我拓実, 出浦桃子, 依田孝, 依田孝, 高橋英志, 家近泰, 宮野清孝, 津久井雅之, 百瀬健, 杉山正和, 霜垣幸浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • Si基板上GaN成長におけるピットの方位と出現面の解析

    岡本和也, 出浦桃子, 依田孝, 依田孝, 高橋英志, 宮野清孝, 津久井雅之, 百瀬健, 杉山正和, 杉山正和, 霜垣幸浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2020年

    開催年月:
    2020年
     
     
  • TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析

    山口潤, 平原智子, 久保隼人, 出浦桃子, 百瀬健, 谷渕栄仁, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2019年

    開催年月:
    2019年
     
     
  • SiC-CVDにおける副生成物低減及び原料リサイクル技術の検討

    大高雄平, 小田拓実, 佐藤登, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2019年

    開催年月:
    2019年
     
     
  • 温度駆動の超臨界流体沈着による超薄連続結晶性テトラセン膜の形成

    レイ ゲンショウ, 出浦桃子, 下山裕介, 霜垣幸浩, 百瀬健

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2019年

    開催年月:
    2019年
     
     
  • Si表面炭化により形成したSiC薄膜上への窒化物半導体成長

    出浦桃子, ZHU Yifu, 百瀬健, 霜垣幸浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2019年

    開催年月:
    2019年
     
     
  • Si基板上のGaN成長におけるピット生成・消滅メカニズムの解析

    出浦桃子, 曽我拓実, 岡本和也, 百瀬健, 依田孝, 高橋英志, 家近泰, 宮野清孝, 津久井雅之, 杉山正和, 霜垣幸浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2019年

    開催年月:
    2019年
     
     
  • Impact of AlN interlayer growth temperature on strain of GaN layer during MOVPE on Si substrates

    M. Deura, T. Nakahara, T. Momose, Y. Nakano, M. Sugiyama, Y. Shimogaki

    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy  

    発表年月: 2018年06月

  • SiC-CVIプロセスにおける炭化水素ガス添加効果

    根東佳史, 佐藤登, 中智明, 舩門佑一, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2018年

    開催年月:
    2018年
     
     
  • CVIにおける繊維へのSiC含浸過程シミュレーション

    舩門佑一, 佐藤登, 中智明, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2018年

    開催年月:
    2018年
     
     
  • 熱CVD法による高Al組成fcc-TiAlN膜の合成

    佐藤宏樹, 山口潤, 平原智子, 久保隼人, 出浦桃子, 百瀬健, 谷渕栄仁, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2018年

    開催年月:
    2018年
     
     
  • SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討(2)

    中智明, 佐藤登, 舩門佑一, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2018年

    開催年月:
    2018年
     
     
  • SiC-CVIプロセスにおける表面反応過程の理論検討

    佐藤登, 中智明, 根藤佳史, 舩門佑一, 福島康之, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2018年

    開催年月:
    2018年
     
     
  • 熱CVD法による高Al組成fcc-TiAlN膜の合成(2)

    山口潤, 平原智子, 久保隼人, 出浦桃子, 百瀬健, 谷渕栄仁, 霜垣幸浩

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2018年

    開催年月:
    2018年
     
     
  • 超臨界流体薄膜堆積による高アスペスト比構造への銅の均一製膜指針

    藤田翔太郎, 出浦桃子, 下山裕介, 霜垣幸浩, 百瀬健

    化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM)  

    発表年月: 2018年

    開催年月:
    2018年
     
     
  • Si基板上GaN層の応力に対するAlN中間層の成長温度依存性

    有井知良, 中原拓也, 出浦桃子, 百瀬健, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2018年

    開催年月:
    2018年
     
     
  • Si基板上GaN成長の応力に対するAlGaN中間層の組成・膜厚の影響

    中原拓也, 出浦桃子, 百瀬健, 中野義昭, 杉山正和, 霜垣幸浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2018年

    開催年月:
    2018年
     
     
  • Mechanical properties of cubic-BN bulk single crystal evaluated by nanoindentation

    M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Taniguchi

    12th International Conference on Nitride Semiconductors  

    発表年月: 2017年07月

  • Si基板上GaN成長におけるAlN中間層を用いた応力制御メカニズム

    中原拓也, 鈴木道洋, 出浦桃子, 百瀬健, 杉山正和, 中野義昭, 霜垣幸浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  

    発表年月: 2017年

    開催年月:
    2017年
     
     
  • Evaluation of mechanical properties for w-BN using nanoindentation

    M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Taniguchi

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  

    発表年月: 2016年08月

  • ナノインデンテーションを用いたInNの弾性特性の解明

    出浦 桃子, 沓掛 健太朗, 大野 裕, 米永 一郎, 王 新強  [招待有り]

    第8回窒化物半導体結晶成長講演会  

    発表年月: 2016年05月

  • 22aAQ-7 シリコン中の小角粒界における銅の偏折機構

    大野 裕, 井上 海平, 沓掛 健太郎, 出浦 桃子, 米永 一郎, 海老澤 直樹, 清水 康雄, 井上 耕治, 永井 康介, 吉田 秀人, 竹田 精治, 谷口 僚, 大坪 秀礎, 西谷 滋人, Kutsukake K.

    日本物理学会講演概要集   一般社団法人日本物理学会  

    発表年月: 2016年

    開催年月:
    2016年
     
     
  • Correlation between crystal quality and mechanical properties of InN

    M. Deura, Y. Ohkubo, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides  

    発表年月: 2015年11月

  • 化合物半導体を中心とした混晶薄膜ヘテロ構造の結晶成長

    出浦 桃子  [招待有り]

    第62回応用物理学会春季学術講演会  

    発表年月: 2015年03月

  • 21aCJ-2 窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係

    大久保 泰, 徳本 有紀, 出浦 桃子, 後藤 頼良, 沓掛 健太朗, 大野 裕, 米永 一郎

    日本物理学会講演概要集   一般社団法人日本物理学会  

    発表年月: 2015年

    開催年月:
    2015年
     
     
  • 21aCJ-1 Ge中のサーマルドナー形成の固溶酸素濃度依存性

    井上 海平, 村尾 優, 太子 敏則, 沓掛 健太朗, 出浦 桃子, 大野 裕, 米永 一郎

    日本物理学会講演概要集   一般社団法人日本物理学会  

    発表年月: 2015年

    開催年月:
    2015年
     
     
  • 17aAB-2 シリコン中の小角粒界における酸素の偏析機構

    大野 裕, 井上 海平, 藤原 航三, 出浦 桃子, 沓掛 健太郎, 米永 一郎, 清水 康雄, 井上 耕治, 海老澤 直樹, 永井 康介

    日本物理学会講演概要集   一般社団法人日本物理学会  

    発表年月: 2015年

    開催年月:
    2015年
     
     
  • 21aCJ-13 シリコン中のΣ9{114}粒界における不純物集積能とひずみの相関

    大野 裕, 井上 海平, 出浦 桃子, 沓掛 健太郎, 米永 一郎, 海老澤 直樹, 清水 康雄, 井上 耕治, 永井 康介, 吉田 秀人, 竹田 精治, 田中 真悟, 香山 正憲

    日本物理学会講演概要集   一般社団法人日本物理学会  

    発表年月: 2015年

    開催年月:
    2015年
     
     
  • 17pAB-4 ゲルマニウム結晶中のサーマルドナー形成に対するスズ不純物濃度依存性

    井上 海平, 村尾 優, 太子 敏則, 沓掛 健太朗, 出浦 桃子, 大野 裕, 米永 一郎

    日本物理学会講演概要集   一般社団法人日本物理学会  

    発表年月: 2015年

    開催年月:
    2015年
     
     
  • 21aCJ-11 顕微PLイメージング法によるシリコン結晶中粒界でのキャリア再結合速度の定量評価

    沓掛 健太朗, 二宮 駿也, 出浦 桃子, 大野 裕, 宇佐美 徳隆, 米永 一郎

    日本物理学会講演概要集   一般社団法人日本物理学会  

    発表年月: 2015年

    開催年月:
    2015年
     
     
  • 結晶成長の基礎-気相成長を中心に-

    出浦 桃子  [招待有り]

    第38回結晶成長討論会  

    発表年月: 2014年09月

  • Investigation of growth mechanism for InGaN by MOVPE using computational reactor simulation

    M. Deura, A. Hirako, F. Ichinohe, Y. Arai, K. Shiohama, K. Ohkawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012  

    発表年月: 2012年10月

  • Growth and Characterization of High-In Content InGaN for Red LEDs by MOVPE

    M. Deura, K. Ohkawa  [招待有り]

    International Workshop on Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics  

    発表年月: 2012年05月

  • High-temperature phosphorus passivation of Si surface for improved heteroepitaxial growth of InAs as an initial step of III-As MOVPE on Si

    M. Deura, Y. Kondo, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Shimogaki, Y. Nakano, M. Sugiyama

    42nd Solid State Devices and Materials  

    発表年月: 2010年09月

  • 成長領域狭窄化選択MOVPEによるSi上InGaAsの高横/縦比成長

    近藤 佳幸, 出浦 桃子, 竹中 充, 高木 信一, 中野 義昭, 杉山 正和

    化学工学会 研究発表講演要旨集   公益社団法人 化学工学会  

    発表年月: 2010年

    開催年月:
    2010年
     
     
  • 微小領域選択MOVPEを用いたSi上InGaAsの形状均一化に向けたSi表面状態とInAs成長の関係

    出浦 桃子, 近藤 佳幸, 竹中 充, 高木 信一, 霜垣 幸浩, 中野 義昭, 杉山 正和

    化学工学会 研究発表講演要旨集   公益社団法人 化学工学会  

    発表年月: 2010年

    開催年月:
    2010年
     
     
  • In Situ monitoring of the initial nucleation for the formation of uniform InGaAs micro-discs on Si

    M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama

    EuroCVD-17  

    発表年月: 2009年10月

  • III‐V MISFET on Siを目指したSi(111)上InGaAsの選択ヘテロエピタキシャル成長

    杉山正和, 出浦桃子, 竹中充, 中野義昭, 高木信一

    電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集(CD-ROM)  

    発表年月: 2009年09月

    開催年月:
    2009年09月
     
     
  • Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step micro-channel selective-area MOVPE

    M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama

    14th US-OMVPE  

    発表年月: 2009年08月

  • Uniform InGaAs Micro-Discs on Si by Micro-Channel Selective-Area MOVPE

    M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama

    21st IEEE LEOS Indium Phosphide Related Materials  

    発表年月: 2009年05月

  • MOVPE微小領域選択成長におけるSi上InAs核発生の成長条件依存性

    近藤 佳幸, 出浦 桃子, 竹中 充, 高木 信一, 中野 義昭, 杉山 正和

    化学工学会 研究発表講演要旨集   公益社団法人 化学工学会  

    発表年月: 2009年

    開催年月:
    2009年
     
     
  • AlPおよびH2Sを用いたGaAs表面のMOVPE反応炉内in situパッシベーション

    寺田 雄紀, 出浦 桃子, 霜垣 幸浩, 杉山 正和, 中野 義昭

    化学工学会 研究発表講演要旨集   公益社団法人 化学工学会  

    発表年月: 2009年

    開催年月:
    2009年
     
     
  • Si上InGaAsの微小領域選択MOVPEにおける横方向成長促進と均一性向上

    出浦 桃子, 星井 拓也, 竹中 充, 高木 信一, 中野 義昭, 杉山 正和

    化学工学会 研究発表講演要旨集   公益社団法人 化学工学会  

    発表年月: 2009年

    開催年月:
    2009年
     
     
  • 微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの原子構造と光学特性解析

    出浦 桃子, 近藤 佳幸, 星井 拓也, 竹中 充, 高木 信一, 中野 義昭, 杉山 正和

    化学工学会 研究発表講演要旨集   公益社団法人 化学工学会  

    発表年月: 2009年

    開催年月:
    2009年
     
     
  • 量子井戸太陽電池用InGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸成長のin situモニタリング

    杉山正和, WANG Yunpeng, 出浦桃子, 杉田憲一, 中野義昭

    結晶成長国内会議予稿集  

    発表年月: 2009年

    開催年月:
    2009年
     
     
  • 微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長過程

    出浦 桃子, 星井 拓也, 竹中 充, 高木 信一, 中野 義昭, 杉山 正和  [招待有り]

    第69回応用物理学会学術講演会  

    発表年月: 2008年09月

  • Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary and ternary systems using in situ RAS

    M. Deura, M. Sugiyama, Y. Shimogaki, Y. Nakano

    14th IC-MOVPE  

    発表年月: 2008年06月

  • Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si

    M. Deura, T. Hoshii, M. Sugiyama, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara, S. Takagi, Y. Nakano

    14th IC-MOVPE  

    発表年月: 2008年06月

  • InGaAsP系MOVPEにおける表面吸着層速度過程のin situ観察とモデル化

    出浦 桃子, 霜垣 幸浩, 中野 義昭, 杉山 正和

    化学工学会 研究発表講演要旨集   公益社団法人 化学工学会  

    発表年月: 2008年

    開催年月:
    2008年
     
     
  • MOVPEにおける酸化アルミニウムによるGaAs(001)面のin situ パッシベーション

    寺田 雄紀, 出浦 桃子, 霜垣 幸浩, 中野 義昭, 杉山 正和

    化学工学会 研究発表講演要旨集   公益社団法人 化学工学会  

    発表年月: 2008年

    開催年月:
    2008年
     
     
  • 微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成

    出浦 桃子, 星井 拓也, 杉山 正和, 中根 了昌, 菅原 聡, 竹中 充, 高木 信一, 中野 義昭

    化学工学会 研究発表講演要旨集   The Society of Chemical Engineers, Japan  

    発表年月: 2008年

    開催年月:
    2008年
     
     
  • Kinetics of surface adsorption layer on GaAs and InP studied with in situ RAS

    M. Deura, M. Sugiyama, Y. Shimogaki, Y. Nakano

    12th EW-MOVPE  

    発表年月: 2007年06月

  • GaAs-MOVPEにおける表面吸着層のin situ観察および解析

    出浦 桃子, 杉山 正和, 中野 貴之, 中野 義昭, 霜垣 幸浩

    化学工学会 研究発表講演要旨集   公益社団法人 化学工学会  

    発表年月: 2007年

    開催年月:
    2007年
     
     

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 自己形成ボイドを用いた応力緩和による異種基板上への高品質結晶成長技術の実現

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 新学術領域研究(研究領域提案型)

    研究期間:

    2019年04月
    -
    2021年03月
     

    出浦 桃子

     概要を見る

    本研究では,従来の薄膜成長で常識であった「欠陥や表面凹凸のない高品質基板を用いる」という概念の打破に挑戦する.すなわち,基板表面近傍に存在するボイド(特異構造)を用いた内部応力緩和により,異種基板上への高品質結晶成長技術を実現することを最終目標とし,Si基板上の窒化物半導体成長で解析・実証する.
    2020年度は,低温Al原料先行供給を用いた,ボイドあり表面凹凸SiC/Si基板上の表面平坦・単一配向のGaN連続層(試料A)の有効性を検証した.高温Al原料先行供給を用いた,ボイドなし表面平坦SiC/Si基板上のGaN層(試料B)と比較したところ,表面平坦性・結晶性ともに試料Bより良好であった.試料Bでは観察されなかったGaN層表面の原子ステップが試料Aでは明瞭に観察されており,転位密度も1桁低かった.以上より,濡れ性・付着確率が低く,凹凸が大きなSiC薄膜上に,良好なGaN成長が可能であることが実証された.
    一方,ボイドによる内部応力緩和の影響を評価し,ボイドのサイズや密度などを設計するため,汎用解析ソフトを用いて有限要素法シミュレーションを行った.準備として,Si基板・SiC薄膜・GaN層を同時に精度よく計算するための最適なメッシュを構築した.また,結晶構造・面方位を考慮して,弾性定数などの物性値を設定した.Si基板内およびGaN層内にボイドを設定して計算したところ,GaN層内のボイドの方が応力緩和の影響が大きいことが分かった.また,ボイド近傍で面内方向の応力が大幅に緩和されること,ボイドの形成する応力場の広がりはボイドサイズの数倍程度であること,ボイドの形成する応力場どうしの重ね合わせで緩和されることが分かった.設計したボイドを実現するための成長技術についても検討した.

  • 自己形成ボイドを用いた応力緩和による異種基板上への高品質結晶成長技術の開発

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 新学術領域研究(研究領域提案型)

    研究期間:

    2017年04月
    -
    2019年03月
     

    出浦 桃子

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    本研究では,従来の薄膜成長で常識であった「欠陥や表面凹凸のない高品質基板を用いる」という概念の打破に挑戦する.すなわち,基板表面近傍に存在するボイド(特異構造)を用いた内部応力緩和により,異種基板上への高品質結晶成長技術を実現することを最終目標とし,Si基板上の窒化物半導体成長で解析・実証する.そのために,1) Si基板表面炭化によりSiC薄膜直下に自己形成される空隙(ボイド)を積極的に利用し,「表面平坦な自己形成ボイドSiC/Si基板」を作製する,2) 基板との物性値差により生じる内部応力をボイドで緩和させること,表面平坦なSiC薄膜を成長下地とすること,の2点により,SiC/Si基板上に高品質窒化物半導体層を成長する,3) ボイドの存在による内部応力緩和と窒化物半導体層の結晶性との相関を定量的に解析することにより,さまざまな異種材料成長系に適用可能な普遍的な学理を構築する,を行う.
    平成30年度は,Si表面炭化実験は学外の研究協力研究室に設置の装置を利用して行った.基板表面の原子ステップを変化させるため,Si基板のオフ角依存性を検討した.異なる面方位のSi基板についてオフ角がついたものとないものを同時に炭化した.いくつかの条件で炭化したが,いずれもオフ角の有無の影響は見られなかった.炭化前または炭化中に明瞭なステップが現れなかった可能性や,オフ角および方向が適切でなかった可能性がある.
    一方,得られたSiC/Si基板上にGaNを成長した.ここで,SiCに対するGaNの濡れ性が低いことが知られており,濡れ性の向上にAl原料先行供給が有効である.Al原料分圧・供給時間を変化させたところ,最適なAl先行供給条件を用いて,表面平坦なSiC/Si基板上に表面平坦かつ単一配向の連続GaN膜を得ることに成功した.

  • COガスを用いたSi表面炭化における平衡反応のメカニズム解明

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究(B)

    研究期間:

    2016年04月
    -
    2019年03月
     

    出浦 桃子

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    本研究では,Si基板上への高品質な窒化物半導体結晶の成長に向けて,平衡反応を用いたSi表面炭化により得られたSiC薄膜をバッファ層とすることを提案している.そのために炭化メカニズムを解明し,高品質なSiC薄膜および窒化物半導体層を得ることを目的とした.目的達成のため,炉内ガス分析を行うための小型反応装置を製作し,赤外吸収分光装置を接続して,分析実験環境を整備した.一方,Si表面炭化実験には学外協力研究室設置の反応炉を利用した.さまざまなSi基板を複数の条件で炭化し,その上にGaNを成長した.成長シーケンスを工夫することにより,表面平坦かつ単一配向の連続GaN膜を得ることに成功した.

  • 化合物半導体の結晶成長における表面吸着層モデルの構築とヘテロ構造界面急峻化の実現

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 特別研究員奨励費

    研究期間:

    2008年
    -
    2010年
     

    出浦 桃子

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    平成20年度の結果から,現行の観察装置では表面吸着層の速度過程解析に限界があることが明らかになったため,表面吸着層の積極的利用として,有機金属気相成長における微小領域選択成長を用いたSi基板上InGaAsの横方向成長に取り組んでいる.成長前の基板加熱条件としてキャリアガスのH_2のみの供給,As原料供給,P原料供給のそれぞれについて,成長温度までの加熱または高温加熱を比較した.H_2供給下加熱では多種多量の不純物が吸着しており,特にCの吸着によりそれらを核として各成長領域に多数のInAs核が発生していた,As原料供給下加熱では0が多量に吸着しており,InAs核発生が阻害されていた.P原料供給下では特に高温加熱の場合にC・Oの吸着がともに抑制されており,InAs核発生も良好であった.そこで成長前の基板加熱にはP原料供給下高温加熱を用いることとし,その後の多段階成長の条件を最適化することで,InGaAs結晶の幅/高さ比が通常成長の11.4±10.6から18.2±7.2に向上し,横方向成長を促進するとともに均一性を向上させることに成功した.
    また,核発生および連続成長におけるGa組成の影響を考察した.成長初期の核密度および核形状はInAsとGaAsの違いに起因するものであり,GaAsの方がSiとの界面エネルギーおよび核発生の臨界エネルギーが小さいために,より接触角の小さい液滴状の核が多数発生しやすい,ただし,InGaAs成長では最初に凝集したGaAsを核としてInAsが凝集して核発生するため,核の組成はInAsに近くなる.連続成長では,InAsは等方的に,GaAsは異方的に成長することが知られており,本研究におけるInGaAsの横方向成長はGaAsの成長速度の異方性が発現したものである.しかし,低V/III比の条件下ではGaAs表面のAs被覆率の低下から成長速度の異方性が見られなくなるとともに積層欠陥の一種である回転双晶が消滅することも知られており,高Ga組成InGaAsで見られた幅/高さ比の低下および双晶消滅はInGaAs表面のAs被覆率の低下が原因である.

  • mono-like Si結晶におけるシード境界からの転位発生メカニズムの解明

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究(A)

    研究期間:

    2013年04月
    -
    2016年03月
     

    沓掛 健太朗, 米永 一郎, 大野 裕, 出浦 桃子, 二宮 駿也, 杉岡 翔太

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    モノライク法は、複数の単結晶Siを種結晶に用いて、ルツボ内で低コストに擬似単結晶Siを製造する、太陽電池用Si結晶の新しい育成法である。本研究では、モノライクSiの転位密度低減に向けて、結晶成長中に種結晶境界(粒界)から転位が発生する機構の解明を目指した。(1)様々な種結晶境界でのモノライクSiの成長と評価、(2)PLイメージングによる転位・粒界特性の定量評価、(3)有限要素法による応力解析を行ない、粒界構造と転位に働く応力および転位発生との関係を明らかにした。

  • ワイドギャップ半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(A)

    研究期間:

    2012年04月
    -
    2015年03月
     

    米永 一郎, 大野 裕, 徳本 有紀, 沓掛 健太朗, 出浦 桃子, 沓掛 健太朗

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    III-V窒化物、II-VI亜鉛化物、IV族化合物のワイドギャップ半導体結晶について、その性能向上の阻害点となっている転位欠陥の制御を目的として、これらワイドギャップ半導体における転位の発生と運動を調べ、その支配機構を体系的に解明するとともに、転位に起因する電気・光学物性を評価することで、原子構造と電子構造を解明した。さらに転位欠陥を利用した新規デバイスの可能性を見出した。

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Misc

  • Physical model for evaluating propagation loss of metal-coated dielectric terahertz waveguides

    Yuyuan Huang, Kuniaki Konishi, Momoko Deura, Yusuke Shimoyama, Junji Yumoto, Makoto Kuwata-Gonokami, Yukihiro Shimogaki, Takeshi Momose

    International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz   2021-August  2021年

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    Propagation loss of Au-coated parallel-plate waveguides was studied. A physical model to evaluate propagation loss was derived and experimentally validated. It revealed that the electrical conductivity of the coating metal, which differs from the bulk conductivity and depends on film thickness due to the thin-film effect, is the dominant factor determining the loss in addition to film thickness. Our model enables us to anticipate the propagation loss in the metal-coated dielectric waveguides with various film thickness, frequency, coating metal, and waveguide geometry using experimentally obtained film thickness and its thickness-dependent conductivity.

    DOI

  • Supercritical fluid deposition technique enabling metallic coating onto 3D-printed polymer for fabrication of high-aspect-ratio THz devices

    Takeshi Momose, Kuniaki Konishi, Yu Zhao, Hirotaka Morishita, Tetsuya Tsuchida, Yuyuan Huang, Hiroyuki Yasukochi, Kentaro Soeda, Momoko Deura, Yusuke Shimoyama, Junji Yumoto, Makoto Kuwata-Gonokami, Yukihiro Shimogaki

    International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz   2020-November   644 - 645  2020年11月

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    Three-dimensional (3D) terahertz devices often have difficulty of fabrication due to smaller feature size and complexity of architecture. We herein propose the new fabrication method by combining two techniques; building 3D polymer architecture using high-resolution 3D printing, followed by coating its surface with metal film using high-step-coverage deposition technique, supercritical fluid deposition (SCFD). Difficulty of metal film formation by SCFD onto the polymer is the largest obstacle, but was overcome by a facile surface modification technique to anneal the polymer in oxygen ambient. We thereby demonstrated the fabrication of THz high-pass filter. Our developed method enables the monolithic integration of necessary components for THz devices, for instance passive components together with waveguides. It obviates assembly of individually fabricated components that leads to potential signal loss caused by misalignment, which is more critical with increasing frequency of THz waves.

    DOI

  • Material evaluation for inner metallic coating of hollow dielectric THz waveguides

    Yuyuan Huang, Kuniaki Konishi, Momoko Deura, Yusuke Shimoyama, Junji Yumoto, Makoto Kuwata-Gonokami, Yukihiro Shimogaki, Takeshi Momose

    International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz   2020-November   420 - 421  2020年11月

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    Metallic materials to be coated on hollow dielectric THz waveguides were experimentally evaluated. Among six materials examined herein, Cu and Au exhibited highest transmittance for 2.5-mm-long parallel-plate waveguides, whose thicknesses necessary to compete bulk perfect electric conductor were also equivalent, 65 and 75 nm, respectively. The oxide layer natively formed on Cu surface did not impact the transmittance. Therefore, Cu had equal potential with Au, and would be the principal material considering its cost and availability.

    DOI

  • InNの硬度とヤング率

    大久保泰, 出浦桃子, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎

    信学技報(IEICE Technical Report)   114 ( 336 ) 45 - 448  2014年

  • Hydrogen generation for 500 hours by photoelectrolysis of water using GaN

    W. Ohara, D. Uchida, T. Hayashi, M. Deura, K. Ohkawa

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1446   1 - 5  2012年

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    We confirmed that GaN photocatalyst with NiO cocatalyst (GaN-NiO) continuously produced hydrogen from water for 500 hours without any extra bias. The GaN-NiO photocatalyst was hardly etched and 184-mL hydrogen gas was produced from the electric charge of 1612 coulombs, the Faradic efficiency of which was 89.2%. The conversion efficiency from incident light energy to hydrogen chemical energy was 0.98% in average for 500 h. The incident photon-to-current conversion efficiency (IPCE) was 50% at 300 nm and 35% at 350 nm after the experiment, which was much higher than those of other semiconductor-based photocatalysts. © 2012 Materials Research Society.

    DOI

  • Post and In Situ Characterization of Strain Control and Crystal Quality in Quantum Well Solar Cell Structure

    Y. P. Wang, M. Deura, M. Sugiyama, Y. Nakano

    Materials Science Forum   655-677   73 - 76  2011年

  • Relationships between interface structures and electrical properties in the high-κ/III-V system

    Tetsuji Yasuda, Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Hiroyuki Ishii, Taro Itatani, Hideki Takagi, Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Akihiro Ohtake, Masafumi Yokoyama, Takuya Hoshii, Takashi Haimoto, Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1194   53 - 64  2010年10月

     概要を見る

    Integration of III-V channel MISFETs on the Si platform expectedly improves the performance and reduces the power consumption of CMOS devices with sub-10 nm gate lengths. Issues relating to the dielectrics/III-V interfaces are explored in this paper. A wide variety of interface structures were prepared by employing MOCVD-grown epitaxial wafers, surface reconstruction control in MBE, wet/dry surface pretreatments, and deposition of dielectrics (Al2O3, HfO2) by ALD or electron-beam evaporation. Relationships between the structures of the interfaces and the MIS properties are discussed, with particular attention to the effects of the cation composition (Al, Ga, In) in the semiconductor bulk and at the interface, anion control at the interface (sulfidation, nitridation), and the surface orientation [(100) versus (111)]. Recent developments in III-V-on-insulator wafer technology are also reported. © 2010 Materials Research Society.

    CiNii

  • UNIFORM InGaAs MICRO-DISCS ON Si BY MICRO-CHANNEL SELECTIVE-AREA MOVPE

    M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama

    2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM)     48 - 51  2009年

     概要を見る

    We have improved in-plane uniformity of crystal shape for InGaAs micro-discs using a multi-step growth in micro-channel selective-area metal-organic vapor phase epitaxy on Si(111) substrates. The multi-step growth employs a gas flow sequence in which the partial pressure of a Ga source is modulated to control the initial nucleation and the growth mode. At the initial stage of growth, we grew InAs in order to obtain a single nucleus in each growth area. After the growth area was almost buried by InAs, Ga-rich InGaAs was grown to switch to a lateral growth mode. The Ga partial pressure was then reduced to continue lateral growth while avoiding 3-dimensional growth. This novel growth sequence suppressed unintended vertical growth of InGaAs islands and enhanced lateral growth; the averaged diameter was increased by 25%, the averaged height was reduced by 50% and the standard deviation of the height was reduced by 75%.

    DOI

  • In situ growth monitoring of strain-balanced quantum-well solar cells by metal-organic vapor phase epitaxy

    M. Sugiyama, Y. P. Wang, M. Deura, R. Onitsuka, Y. Nakano

    Proceedings of 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference     001879-001882  2009年

    DOI

  • In Situ Monitoring of the Initial Nucleation for the Formation of Uniform InGaAs Micro-discs on Si

    M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama

    EUROCVD 17 / CVD 17   25 ( 8 ) 521 - 524  2009年

     概要を見る

    InAs is desirable for a single nucleus in every selected growth area in micro-channel selective-area MOVPE on Si(111) substrates. In order to obtain the uniformity in the crystal shape of InGaAs micro-discs, we have devised a multi-step growth which starts from the InAs nucleation step. In this study, we have investigated the dependence of InAs nucleation on the partial pressure of an In source (P-TMIn) with in situ monitoring to cover the Si surfaces by the flat InAs crystals. Since the initial nucleation of InAs is governed by the supersaturation of an In precursor on the Si surface, higher P-TMIn is necessary. On the other hand, smaller P-TMIn is suitable for burying the growth area by lateral growth. Therefore, we should modulate P-TMIn during the InAs growth: P-TMIn should be decreased as soon as the initial nucleation occurs.

    DOI

  • Formation of InGaAs-On-Insulator Structures by Epitaxial Lateral Over Growth from (111) Si

    HOSHII T., DEURA M., SHICHIJO M., SUGIYAMA M., SUGAHARA S., TAKENAKA M., NAKANO Y., TAKAGI S.

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials   2007   132 - 133  2007年09月

    CiNii

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産業財産権

  • 有機薄膜の製造方法

    特許権

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    特許公開2008-300781

その他

  • 電子材料若手交流会(ISYSE) 代表

 

現在担当している科目

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社会貢献活動

  • Personal Experience as a Young Faculty

    Asian Dean’s Forum 2019 The Rising Stars Women in Engineering Workshop 

    2019年10月
    -
     

他学部・他研究科等兼任情報

  • 理工学術院   大学院基幹理工学研究科