Updated on 2022/05/25

写真a

 
KATO, Isamu
 
Affiliation
Faculty of Science and Engineering
Job title
Professor Emeritus

Education

  •  
    -
    1972

    Waseda University  

  •  
    -
    1972

    Waseda University   Graduate School, Division of Science and Engineering   Electronic Engineering  

  •  
    -
    1967

    Waseda University   School of Science and Engineering  

  •  
    -
    1967

    Waseda University   Faculty of Science and Engineering   Elctronics and Telecommunication  

Degree

  • Waseda University (Japan)   Doctor(Engineering)

Professional Memberships

  •  
     
     

    IEEE(The Institute of Electrical and Electronics Engineers)

  •  
     
     

    日本真空協会

  •  
     
     

    テレビジョン学会

  •  
     
     

    応用物理学会

  •  
     
     

    電気学会

  •  
     
     

    電子情報通信学会

  •  
     
     

    The Vacuum Society of Japan

  •  
     
     

    The Japan Society of Applied Physics

  •  
     
     

    The Institute of Electrical Engineers

  •  
     
     

    Information and Comunication Engineers

  •  
     
     

    The Institute of Electronics

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Research Areas

  • Electric and electronic materials

Research Interests

  • プラズマエレクトロニクス

  • プラズマ理工学

  • 光子材料

  • 光子工学

  • Plasma Electronics

  • Photonic Materials

  • Photonics

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Misc

  • 空気を用いた空間的アフターグロープラズマによる低温高速減菌

    田端究, 神山貴洋, 加藤勇

    第59回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   17a-A7-20   040-040  2012

  • a-SiN薄膜の製膜条件を変化させる事によるPL発光強度への影響

    梶山裕, 船津友希, 加藤勇

    第59回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   16a-A6-10   010-010  2012

  • TEOSで作製したa-Si:H/SiN多層膜光導波路の消光比特性

    大野拓, 杉山裕太, 田丸直幸, 加藤勇

    第59回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   18a-GP4-17   126 - 126  2012

  • Photoluminescence Characteristics of Amorphous Si Film Fabricated from TEOS Gas and Nitrogen Plasma

    Tomoki Funatsu, Yutaka Kajiyama, Isamu Kato

    ADVANCES IN APPLIED PLASMA SCIENCE   Vol.8 ( 11 ) 173 - 174  2011

  • マイクロ波プラズマCVD法によりTEOSで作製したSi薄膜からの発光特性

    船津友希, 梶山裕, 加藤勇

    第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集   31p-P6-5 ( 14 ) 177 - 177  2011

  • TEOSを用いて作成した膜のPL発光特性の酸化温度依存性

    長谷川裕也, 東山晃平, 加藤勇

    第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   1a-ZC-4 ( 8 ) 44 - 44  2011

  • a-Si:H/SiN多層膜の膜厚比変化による光導波路の消光比特性

    千葉弘明, 大野拓, 田丸直幸, 加藤勇

    第58回春季応用物理学会学術講演会講演予稿集   24a-KB-13 ( 05 ) 079  2011

  • a-Si:Hナノボール膜からのPL発光特性の放電時間依存性

    斉藤裕介, 長谷川裕也, 加藤勇

    第58回春季応用物理学会学術講演会講演予稿集   26a-BW-4 ( 14 ) 210  2011

  • 大気中での酸化を防いだa-SiNHナノボール膜からの発光特性

    須藤邦海, 船津友希, 加藤勇

    第58回春季応用物理学会学術講演会講演予稿集   26a-BW-5 ( 14 ) 211  2011

  • Photoluminescence Characteristics of Amorphous Si Film Fabricated from TEOS Gas and Nitrogen Plasma

    Tomoki Funatsu, Yutaka Kajiyama, Isamu Kato

    ADVANCES IN APPLIED PLASMA SCIENCE   Vol.8 ( 11 ) 173 - 174  2011

  • a-Si:H/SiN多層膜光導波路のコア部膜厚比依存性

    千葉弘明, 大野拓, 田丸直幸, 加藤勇

    第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集   16p-G-19 ( 05 ) 108  2010

  • a-Si:Hナノボール膜からのPL発光特性の製膜時基板位置依存性

    斉藤裕介, 長谷川裕也, 加藤勇

    第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集   17a-NB-5 ( 14 ) 247  2010

  • a-Si:H/SiN多層膜光導波路のa-Si:H幕厚依存性

    千葉弘明, 田丸直幸, 加藤勇

    第57回春季応用物理学会学術講演会講演予稿集   17p-P3-4 ( 05 ) 57  2010

  • a-SiNHナノボール膜からのPL発光の製膜時基板温度依存性

    吉田樹, 須藤邦海, 加藤勇

    第57回春季応用物理学会学術講演会講演予稿集   20a-TE-10 ( 14 ) 246  2010

  • a-Si:Hナノボール膜からのPL発光特性のアニール温度依存性

    斉藤裕介, 加藤

    第57回春季応用物理学会学術講演会講演予稿集   20a-TE-9 ( 14 ) 245  2010

  • The Characteristics of Mode Filtering of a-Si:H/SiN Multilayer film Optical Waveguide

    Hiroaki Chiba, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    第27回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-52   327 - 328  2010

  • Photoluminescence of Si nanocrystals fabricated by N2 gas plasma

    Tarsuki Yosida, Kunimi Suto, Isamu Kato

    第27回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-51   325 - 326  2010

  • a-Si:Hナノボール膜からのPL発光特性の製膜時基板位置依存性

    斉藤裕介, 長谷川裕也, 加藤勇

    第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集   17a-NB-5 ( 14 ) 247  2010

  • The Characteristics of Mode Filtering of a-Si:H/SiN Multilayer film Optical Waveguide

    Hiroaki Chiba, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    第27回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-52   327 - 328  2010

  • Photoluminescence of Si nanocrystals fabricated by N2 gas plasma

    Tarsuki Yosida, Kunimi Suto, Isamu Kato

    第27回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-51   325 - 326  2010

  • a-si:Hナノボール膜からのPL発光特性におけるアニール処理効果

    斉藤裕介, 坂本元, 加藤勇

    プラズマ応用科学学会誌   vol.17   67 - 72  2009

  • 光ポンピングによるa-Si:H/SiN多層膜を応用した光導波路の偏光特性

    千葉弘明, 坂本元, 田丸直幸, 加藤勇

    第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集   10a-ZN-1  2009

  • 窒素プラズマで作製したa-SiNHナノボール膜の熱窒化後のフォトルミネッセンス (Ⅱ)

    吉田樹, 吉田慎吾, 坂本元, 加藤勇

    第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   30a-P4-3  2009

  • Photoluminescence Characteristics of Annealed a-Si:H Nanoball-Films by N2 Gas

    冨海勝, 斉藤裕介, 坂本元, 加藤勇

    第26回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P3-15  2009

  • Photoluminescence of a-SiNH nanoball films fabricated by N2 gas plasma after thermal nitridation

    吉田慎吾, 吉田樹, 坂本元, 加藤勇

    第26回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-27  2009

  • 窒素プラズマで作製したa-SiNHナノボール膜の熱窒化後のフォトルミネッセンス特性

    吉田慎吾, 吉田樹, 坂本元, 加藤勇

    第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集   4a-S-2  2008

  • a-Si:Hナノボール膜からのPL発光スペクトルにおけるアニール処理効果[Ⅱ]

    冨海勝, 斉藤裕介, 坂本元, 加藤勇

    第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集   4p-ZF-11  2008

  • Annealing Effect on PL Characteristics of the Oxidized a-si:H Nanoball-Films

    Makoto Onodera, Masaru Tonomi, Hajime Sakamoto, Isamu Kato

    Frontier of Applied Plasma Technology   vol.1   87 - 88  2008

  • 窒素プラズマを用いて作製したa-SiNHナノボール膜の熱窒化処理

    吉田慎吾, 坂本元, 加藤勇

    第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   27p-S-8  2008

  • a-Si:Hナノボール膜からのPL発光スペクトルにおけるアニール処理効果

    小野寺誠, 冨海勝, 坂本元, 加藤勇

    第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   29p-ZD-12  2008

  • Annealing Effect on PL Characteristics of the Oxidized a-Si:H Nanoball-Films

    Makoto ONODERA, Masaru TONOMI, Hajime SAKAMOTO, Isamu KAto

    IAPS Frontier of Applied Plasma Technology   p87-88  2008

  • Photoluminescence characteristics of a-SiNH nanoball films fabricated by N2 gas plasma using MPCVD System

    中村元彦, 吉田慎吾, 坂本元, 加藤勇

    第25回プラズマプロセシング研究会プロシーディングス   p59-60  2008

  • Photoluminescence Characteristics of a-Ai:H Nanoball-films Fabricated Using H2 Plasma by Annealing Treatment

    小野寺誠, 冨海勝, 坂本元, 加藤勇

    第25回プラズマプロセシング研究会プロシーディングス   p61-62  2008

  • Characteristics of photoluminescence from a-Si:H nanoball-films fabricated in spatial after glow plasmas

    立花大志, 坂本元, 加藤勇

    第25回プラズマプロセシング研究会プロシーディングス   p263-264  2008

  • Annealing Effect on PL Characteristics of the Oxidized a-si:H Nanoball-Films

    Makoto Onodera, Masaru Tonomi, Hajime Sakamoto, Isamu Kato

    Frontier of Applied Plasma Technology   vol.1   87 - 88  2008

  • Annealing Effect on PL Characteristics of the Oxidized a-Si:H Nanoball-Films

    Makoto ONODERA, Masaru TONOMI, Hajime SAKAMOTO, Isamu KAto

    IAPS Frontier of Applied Plasma Technology   p87-88  2008

  • a-Si:H/SiN Mutilayer Waveguide Polarization Characteristics By Applying Pumping Light

    Mohd Saiful Dzukefly Bin, Zan,Mohammad, Syuhaimi Ab-Rahman, Huda Abdullah, Isamu Kato

    RSM 2007 Proc.2007    2007

  • 窒素プラズマを用いて作製したa-SiNHナノボール膜のPL発光特性

    中村元彦, 坂本元, 加藤勇

    第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集   6a-L-7  2007

  • 空間的アフターグロープラズマにおけるa-Si:Hナノボール膜のPL発光特性

    立花大志, 坂本元, 加藤勇

    第68回応用物理学会学術講演講演予稿集   6a-L-8  2007

  • Photoluminescence from Si Nanocrystals in a-Si:H Nanoball-Films Fabricated in Spatial After Glow Plasmas

    Taishi TACHIBANA, Hajime SAKAMOTO, Isamu KATO

    ADVANCES IN APPLIED PLASMA SCIENCE,Vol.6   p1-2  2007

  • A Change in Intensity of Photoluminescence from a-Si:H Nanoball-Films Fabricated Using Hydrogen Plasma

    Makoto Onodera, Keisuke Miyakawa, Hajime Sakamoto, Isamu Kato

    ADVANCES IN APPLIED PLASMA SCIENCE.Vol.6   p263-264  2007

  • 水素プラズマを用いて作製したa-Si:Hナノボール膜からのPL発光波長の長波長化

    真田宏, 宮川圭介, 小野寺誠, 坂本元, 加藤勇

    第54回応用物理学会学術講演会講演予稿集   28p-ZK-6  2007

  • 光ポンピングによるa-Si:H/SiN多層膜スラブ型光導波路の消光比の変化

    服部元洋, 村越謙一, 坂本元, 田丸直幸, 加藤勇

    第54回応用物理学会学術講演会講演予稿集   28a-ZS-6  2007

  • イオン衝撃エネルギーの増加によるa-Si:Hナノボール膜への影響

    真田宏, 小野寺誠, 宮川圭介, 坂本元, 加藤勇

    第54回応用物理学会学術講演会講演予稿集   27p-G-10  2007

  • Wavekength changing of Photoluminescence from a-Si:H nanoball films fabricated using Hydrogen Plasma

    真田宏, 小野寺誠, 宮川圭介, 坂本元, 加藤勇

    第24回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P1-35  2007

  • The Characteristics of Polarization of a-Si:H/SiN Multilayers Optical Waveguide by Optical Pumping

    服部元洋, 村越謙一, 坂本元, 田丸直幸, 加藤勇

    第24回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-65  2007

  • a-Si:H/SiN Mutilayer Waveguide Polarization Characteristics By Applying Pumping Light

    Mohd Saiful Dzukefly Bin, Zan,Mohammad, Syuhaimi Ab-Rahman, Huda Abdullah, Isamu Kato

    RSM 2007 Proc.2007    2007

  • 水素プラズマを用いて作成したa-Si:Hナノボール膜からのPL発光強度の増加

    真田宏, 宮川圭介, 坂本元, 加藤勇

    第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集   la-P15-25  2006

  • a-Si:Hナノボール膜からのPhotoluminescenceのブルーシフト

    金本悠平, 坂本元, 加藤勇

    日本真空協会論文誌   49 ( 9 ) 557 - 561  2006

    DOI CiNii

  • 水素プラズマを用いて作成したa-Si:Hナノボール膜からのPL発光のブルーシフト

    西本泰, 真田宏, 坂本元, 加藤勇

    第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   25p-ZH-11  2006

  • N2プラズマによって作成されたa-Si:Hナノボール膜からのPL発光

    金本悠平, 小柴吉雄, 坂本元, 加藤勇

    第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   26p-ZC-4  2006

  • Photoluminescence from a-Si:H nanoball film fabricated by Hydrogen Plasma

    西本泰, 真田宏, 金本悠平, 小柴吉雄, 坂本元, 加藤勇

    第23回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P-2B-03  2006

  • Blue Shift of Photoluminescence from Si Nanocrystal

    金本悠平, 小柴吉雄, 西本泰, 真田宏, 坂本元, 加藤勇

    第23回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P-3A-23  2006

  • 放電ガスをH2として作製したa-Si:Hナノボール膜からのPL発光ブルーシフト

    西本泰, 真田宏, 加藤勇

    第66回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   10a-ZH-5  2005

  • マイクロ波CVDにより作製したa-Si:Hナノボール膜のPL発光波長の短波長化

    金本悠平, 小柴吉雄, 加藤

    第66回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   9p-K-7  2005

  • a-Si:Hナノボール膜のPL発光波長とSiナノクリスタルサイズの関係

    西本泰, 真田宏, 加藤勇

    第66回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   10a-ZH-6  2005

  • Arプラズマを用いて作製したSiナノクリスタルからの発光特性

    金本悠平, 小柴吉雄, 加藤

    第66回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   9p-K-8  2005

  • 導波型TE/TMモードフィルタの特性

    佐藤史門, 相川亮桂, 加藤勇

    第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   29a-ZQ-4  2005

  • a-Si:Hナノボール膜の膜質および発光特性の研究

    鈴木文明, 金本悠平, 小柴吉雄, 加藤勇

    第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   31a-YH-6  2005

  • SiナノクリスタルからのPL発光のスペクトル特性

    金本悠平, 鈴木文明, 吉田周平, 加藤勇

    第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   31a-YH-5  2005

  • ArプラズマおよびH2プラズマを用いて作成したa-Si:Hナノボール膜の膜質と発光特性Ⅱ

    吉田周平, 加藤聖史, 真田宏, 加藤勇

    第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   30a-D-4  2005

  • The Characteristic of TE/TM mode filter with Optical Waveguide

    Shimon Sato, Ryokei Aikawa, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 52th Spring Meeting, 2005) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   29a-ZQ-4  2005

  • Research of Properties and photoluminescence characteristics of a-Si:H nanoball films

    Fumiaki Suzuki, Yuhei Kanemoto, Yoshio Koshiba and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 52th Spring Meeting, 2005) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YH-6  2005

  • Film properties and PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films by using Ar or H2 plasma 2

    Syuhei Yoshida, Masashi Kato, Hiroshi Sanada, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 52th Spring Meeting, 2005) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30a-D-4  2005

  • Characteristic of photoluminescence spectra from Si Nanocrystals

    Yuhei Kanemoto, Fumiaki Suzuki, Syuhei Yoshida and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 52th Spring Meeting, 2005) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YH-5  2005

  • High-intensity Photoluminescence from Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films Fabricated using Hydrogen-plasma

    吉田周平, 加藤聖史, 加藤勇

    第22回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P1-065  2005

  • Film properties and Photolumines Characteristics Of Double-layered a-Si:H Nanoball Films

    鈴木文明, 金本悠平, 加藤勇

    第22回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P1-59  2005

  • High-intensity Photoluminescence from Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films Fabricated using Hydrogen-plasma

    Syuhei Yoshida, Masashi Kato, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing   P1-065  2005

  • Film properties and Photolumines Characteristics Of Double-layered a-Si:H Nanoball Films

    Fumiaki Suzuki, Yuhei Kanemoto, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing   P1-59  2005

  • The Characteristic of TE/TM mode filter with Optical Waveguide

    Shimon Sato, Ryokei Aikawa, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 52th Spring Meeting, 2005) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   29a-ZQ-4  2005

  • Research of Properties and photoluminescence characteristics of a-Si:H nanoball films

    Fumiaki Suzuki, Yuhei Kanemoto, Yoshio Koshiba and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 52th Spring Meeting, 2005) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YH-6  2005

  • Film properties and PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films by using Ar or H2 plasma 2

    Syuhei Yoshida, Masashi Kato, Hiroshi Sanada, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 52th Spring Meeting, 2005) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30a-D-4  2005

  • Characteristic of photoluminescence spectra from Si Nanocrystals

    Yuhei Kanemoto, Fumiaki Suzuki, Syuhei Yoshida and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 52th Spring Meeting, 2005) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YH-5  2005

  • High-intensity Photoluminescence from Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films Fabricated using Hydrogen-plasma

    Syuhei Yoshida, Masashi Kato, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing   P1-065  2005

  • Film properties and Photolumines Characteristics Of Double-layered a-Si:H Nanoball Films

    Fumiaki Suzuki, Yuhei Kanemoto, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing   P1-59  2005

  • Effect of HF treatment on photoluminescence characteristics of a-Si : H nanoball films

    Y Motoyama, F Suzuki, Kato, I

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 11A ) 7542 - 7543  2004.11

     View Summary

    We perform HF treatment to a-Si:H nanoball films fabricated by the double-tubed coaxial-line-type microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system. By 4 treatment, Photoluminescence wavelength shifted from 760nm to 590nm. We have determined the diameter of Si nanocrystals by X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). It is found that the diameter of Si nanocrystals decreases from 5nm to 3.7nm, by HF treatment.

    DOI

  • Effect of HF treatment on photoluminescence characteristics of a-Si : H nanoball films

    Y Motoyama, F Suzuki, Kato, I

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 11A ) 7542 - 7543  2004.11

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    We perform HF treatment to a-Si:H nanoball films fabricated by the double-tubed coaxial-line-type microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system. By 4 treatment, Photoluminescence wavelength shifted from 760nm to 590nm. We have determined the diameter of Si nanocrystals by X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). It is found that the diameter of Si nanocrystals decreases from 5nm to 3.7nm, by HF treatment.

    DOI

  • Effect of HF treatment on photoluminescence characteristics of a-Si : H nanoball films

    Y Motoyama, F Suzuki, Kato, I

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 11A ) 7542 - 7543  2004.11

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    We perform HF treatment to a-Si:H nanoball films fabricated by the double-tubed coaxial-line-type microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system. By 4 treatment, Photoluminescence wavelength shifted from 760nm to 590nm. We have determined the diameter of Si nanocrystals by X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). It is found that the diameter of Si nanocrystals decreases from 5nm to 3.7nm, by HF treatment.

    DOI

  • DTCL-MPCVD装置を用いて作成したa-Si:Hナノボール膜の構造および成長機構のモデル化

    鈴木文明, 金本悠平, 加藤勇

    第65回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   1p-ZL-12  2004

  • DTCL-MPCVD装置を用いたSi基板上のカーボンナノチューブにおける間隔の制御

    中村尚裕, 千綿理人, 加藤勇, 宇高勝之, 中野孝俊

    第65回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   2p-Q-5  2004

  • ArプラズマおよびH2プラズマを用いて作成したa-Si:Hナノボール膜の膜質と発光特性

    吉田周平, 加藤聖史, 加藤勇

    第65回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   3a-S-1  2004

  • The control of rhe distance about carbon nanotubes on the Si substrate fabricated by DTCL-MPCVD system

    Naohiro Nakamura, Masato Chiwata, Isamu Kato, Katsuyuki Utaka, Takatoshi Nakano

    Extended Abstracts(The 65th Autumn Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics   2p-Q-5  2004

  • Modeling of structure and growing mechanism of a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD system

    Fumiaki Suzuki, Yuhei Kanemoto and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 65th Autumn Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics   1p-ZL-12  2004

  • Film properties and PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon nanoball dilms using by Ar orH2 Plasma

    Syuhei Yoshida, Masashi Kato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 65th Autumn Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics   3a-S-1  2004

  • Film properties and photoluminescence characteristics of hydrogenated amorphous silicon nanoball films fabricated using Ar/H2 mixture gas plasma

    Yosuke Motoyama, Isamu Kato, Ryouhei Saito

    Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   47 ( 8 ) 644 - 651  2004

     View Summary

    Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) nanoball films which include the Si nanocrystals, can be fabricated by the double tubed coaxial line type microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system. We fabricate the a-Si:H nanoball films using pure Ar gas and Ar/H2 mixture gas as discharge gas with varying gas flow rate in order to change the Si nanocrystal size. And, the substrate table position is changed in order to change the effect of the hydrogen plasma and the diameter of the Si nanocrystal in the a-Si:H nanoball films. As a result, the photoluminescence wavelength decreases, as the H 2 gas flow rate increases. Furthermore, when the substrate table position is approached to the discharge tube end, the photoluminescence wavelength more decreases (from about 764 to about 715 nm). The diameter of the Si nanocrystal is observed by the Transmission Electron Microscope (TEM) and the X-ray diffraction (XRD). From the observation result, it is found that the diameter of the Si nanocrystal become small (from 5.1 to 4.3 nm), as the effect of the hydrogen plasma increases.

    DOI

  • Film properties and photoluminescence characteristics of hydrogenated amorphous silicon nanoball films fabricated using Ar/H2 mixture gas plasma

    Yosuke Motoyama, Isamu Kato, Ryouhei Saito

    Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   47 ( 8 ) 644 - 651  2004

     View Summary

    Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) nanoball films which include the Si nanocrystals, can be fabricated by the double tubed coaxial line type microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system. We fabricate the a-Si:H nanoball films using pure Ar gas and Ar/H2 mixture gas as discharge gas with varying gas flow rate in order to change the Si nanocrystal size. And, the substrate table position is changed in order to change the effect of the hydrogen plasma and the diameter of the Si nanocrystal in the a-Si:H nanoball films. As a result, the photoluminescence wavelength decreases, as the H 2 gas flow rate increases. Furthermore, when the substrate table position is approached to the discharge tube end, the photoluminescence wavelength more decreases (from about 764 to about 715 nm). The diameter of the Si nanocrystal is observed by the Transmission Electron Microscope (TEM) and the X-ray diffraction (XRD). From the observation result, it is found that the diameter of the Si nanocrystal become small (from 5.1 to 4.3 nm), as the effect of the hydrogen plasma increases.

    DOI

  • 水素プラズマを用いて作成したa-Si:Hナノボール膜の膜質と発光特性

    吉田周平, 加藤勇

    第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   28p-P6-5  2004

  • DTCL-MPCVD装置を用いて石英基板上に作成したa-Si:Hナノボール膜のPL発光特性

    鈴木文明, 元山陽介, 加藤勇

    第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   28p-P6-6  2004

  • DTCL-MPCVD装置によるナノ周期でパターニング処理を行ったSi基板上でのカーボンナノチューブの作製

    千綿理人, 会田太, 加藤勇, 宇高勝之, 中岡宏

    第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   30a-ZX-1  2004

  • PL charaxteristic of a-Si:H nanoball dilms on SiO2 substrates fabricated by DTCL-MPCVD system

    Fumiaki Suzuki, Yosuke Motoyama and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 51th Spring Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28p-P6-6  2004

  • Film properties and PL characteristies of Hydrogenated Amorphous Silicon nanoball films fabricated using hydrogen plasma

    Syuhei Yoshida, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 51th Spring Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28p-P6-5  2004

  • Fabrication of carbon nanotubes by DTCL-MPCVD on Si nano-pariodically patterned substrate

    Masato Chiwata, Futoshi Aida, Isamu Kato, Katsuyuki Utaka, Hiroshi Nakaoka

    Extended Abstracts(The 51th Spring Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30a-ZX-1  2004

  • PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films performed high temperature Oxidation processing in pure oxygen

    元山陽介, 鈴木文明, 加藤勇, 鈴木恒則, 小栗和也

    第21回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-15  2004

  • Film properties and PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films Fabricated using Hydrogen-plasma

    吉田周平, 元山陽介, 加藤勇

    第21回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-14  2004

  • Fabrication of carbon nanotubes by DTCL-MPCVD with Pt Catalyst on Si nano-pariodically patterned substrate

    会田太, 千綿理人, 加藤勇, 宇高勝之, 中岡宏

    第21回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-21  2004

  • Effect of HF treatment on Photoluminescence Characteristics of a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD system

    鈴木文明, 元山陽介, 加藤勇, 鈴木恒則, 小栗和也

    第21回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   P2-16  2004

  • PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films performed high temperature Oxidation processing in pure oxygen

    Fumiaki Suzuki, Yosuke Motoyama, Isamu Kato, Tsunenori Suzuki, Kazuya Oguri

    Plasma Science Symposium 2004/The 21nd Symposium on Plasma Processing   P2-15  2004

  • Film properties and PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films Fabricated using Hydrogen-plasma

    Syuhei Yoshida, Yosuke Motoyama, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2004/The 21nd Symposium on Plasma Processing   P2-14  2004

  • Fabrication of carbon nanotubes by DTCL-MPCVD with Pt Catalyst on Si nano-pariodically patterned substrate

    Masato Chiwata, Futoshi Aida, Isamu Kato, Katsuyuki Utaka, Hiroshi Nakaoka

    Plasma Science Symposium 2004/The 21nd Symposium on Plasma Processing   P2-21  2004

  • Effect of HF treatment on Photoluminescence Characteristics of a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD system

    Fumiaki Suzuki, Yosuke Motoyama, Isamu Kato, Tsunenori Suzuki, Kazuya Oguri

    Plasma Science Symposium 2004/The 21nd Symposium on Plasma Processing   P2-16  2004

  • The control of rhe distance about carbon nanotubes on the Si substrate fabricated by DTCL-MPCVD system

    Naohiro Nakamura, Masato Chiwata, Isamu Kato, Katsuyuki Utaka, Takatoshi Nakano

    Extended Abstracts(The 65th Autumn Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics   2p-Q-5  2004

  • Modeling of structure and growing mechanism of a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD system

    Fumiaki Suzuki, Yuhei Kanemoto and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 65th Autumn Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics   1p-ZL-12  2004

  • Film properties and PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon nanoball dilms using by Ar orH2 Plasma

    Syuhei Yoshida, Masashi Kato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 65th Autumn Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics   3a-S-1  2004

  • Film properties and photoluminescence characteristics of hydrogenated amorphous silicon nanoball films fabricated using Ar/H2 mixture gas plasma

    Yosuke Motoyama, Isamu Kato, Ryouhei Saito

    Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   47 ( 8 ) 644 - 651  2004

     View Summary

    Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) nanoball films which include the Si nanocrystals, can be fabricated by the double tubed coaxial line type microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system. We fabricate the a-Si:H nanoball films using pure Ar gas and Ar/H2 mixture gas as discharge gas with varying gas flow rate in order to change the Si nanocrystal size. And, the substrate table position is changed in order to change the effect of the hydrogen plasma and the diameter of the Si nanocrystal in the a-Si:H nanoball films. As a result, the photoluminescence wavelength decreases, as the H 2 gas flow rate increases. Furthermore, when the substrate table position is approached to the discharge tube end, the photoluminescence wavelength more decreases (from about 764 to about 715 nm). The diameter of the Si nanocrystal is observed by the Transmission Electron Microscope (TEM) and the X-ray diffraction (XRD). From the observation result, it is found that the diameter of the Si nanocrystal become small (from 5.1 to 4.3 nm), as the effect of the hydrogen plasma increases.

    DOI

  • PL charaxteristic of a-Si:H nanoball dilms on SiO2 substrates fabricated by DTCL-MPCVD system

    Fumiaki Suzuki, Yosuke Motoyama and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 51th Spring Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28p-P6-6  2004

  • Film properties and PL characteristies of Hydrogenated Amorphous Silicon nanoball films fabricated using hydrogen plasma

    Syuhei Yoshida, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 51th Spring Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28p-P6-5  2004

  • Fabrication of carbon nanotubes by DTCL-MPCVD on Si nano-pariodically patterned substrate

    Masato Chiwata, Futoshi Aida, Isamu Kato, Katsuyuki Utaka, Hiroshi Nakaoka

    Extended Abstracts(The 51th Spring Meeting, 2004) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30a-ZX-1  2004

  • PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films performed high temperature Oxidation processing in pure oxygen

    Fumiaki Suzuki, Yosuke Motoyama, Isamu Kato, Tsunenori Suzuki, Kazuya Oguri

    Plasma Science Symposium 2004/The 21nd Symposium on Plasma Processing   P2-15  2004

  • Film properties and PL characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films Fabricated using Hydrogen-plasma

    Syuhei Yoshida, Yosuke Motoyama, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2004/The 21nd Symposium on Plasma Processing   P2-14  2004

  • Fabrication of carbon nanotubes by DTCL-MPCVD with Pt Catalyst on Si nano-pariodically patterned substrate

    Masato Chiwata, Futoshi Aida, Isamu Kato, Katsuyuki Utaka, Hiroshi Nakaoka

    Plasma Science Symposium 2004/The 21nd Symposium on Plasma Processing   P2-21  2004

  • Effect of HF treatment on Photoluminescence Characteristics of a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD system

    Fumiaki Suzuki, Yosuke Motoyama, Isamu Kato, Tsunenori Suzuki, Kazuya Oguri

    Plasma Science Symposium 2004/The 21nd Symposium on Plasma Processing   P2-16  2004

  • PDCL-MPCVD法により作製したa-Si:Hナノボール膜からのPL発光のブルーシフト(Ⅱ)

    元山陽介, 鈴木文明, 加藤勇, 鈴木恒則, 小栗和也

    第64回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   30p/ZE, 5  2003

  • PDCL-MPCVD法により作製したa-Si:Hナノボール膜からのPL発光のブルーシフト(Ⅰ)

    鈴木文明, 元山陽介, 加藤勇, 鈴木恒則, 小栗和也

    第64回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   30p/ZE, 2  2003

  • DTCL-MPCVD装置によるSiNナノボール膜の作製とPL発光特性

    吉田周平, 加藤勇

    第64回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   1a/ZG, 3  2003

  • DTCL-MPCVD装置により水素プラズマを用いて作成したa-Si:Hナノボール膜からのPL発光特性

    吉田周平, 加藤勇

    第64回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   30p/ZE, 3  2003

  • PL characteristics from a-Si:H nanoball films fabricated using Hydrogen Plasma by DTCL-MPVD

    Syuhei Yoshida, Isamu Kato

    Extended Abstracts (The 64th Autumn Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   30p/ZE, 3  2003

  • Fabrication of SiN nanoball films by DTCL-MPVD System and their PL Characteristics

    Syuhei Yoshida, Isamu Kato

    Extended Abstracts (The 64th Autumn Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   1a/ZG, 3  2003

  • Blueshift of Photo luminescense from a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD(Ⅱ)

    Fumiaki Suzuki, Yosuke Motoyama, Isamu Kato, Tsunenori Suzuki, Kazuya Oguri

    Extended Abstracts (The 64th Autumn Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   30p/ZE, 5  2003

  • Blueshift of Photo luminescense from a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD(Ⅰ)

    Yosuke Motoyama, Fumiaki Suzuki, Isamu Kato, Tsunenori Suzuki, Kazuya Oguri

    Extended Abstracts (The 64th Autumn Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   30p/ZE, 4  2003

  • Charactarization of New Driving Systems for a Electromagnetic Tuning Fork Using a Wave Generator

    Hiroshi Kezuka, Mitsuhiro Kudo, Norimasa Honda, Tsunenori Suzuki, Isamu Kato

    International Conference on Electrical Engineering 2004    2003

  • PDCL-MPCVD法により作製したa-Si:Hナノボール膜からのPL発光特性(2)

    元山陽介, 斉藤良平, 加藤勇, 毛塚博史, 鈴木恒則

    第50回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   28p/ZF, 2  2003

  • EVATUATION METHOD OF FLUORESCENCE MULTI-PHOTON COUNTING

    Hiroshi ASAI, Toru ASAHI, Isamu KATO

    The 47th Annual Meeting Of Biophysical society    2003

  • DTCL-MPCVD法を用いたナノ構造を持つ光導波路の作製とその特性(Ⅱ)

    大島正資, 篠原正仁, 田丸直幸, 加藤勇

    第50回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   28a/Zk, 4  2003

  • DTCL-MPCVD装置によるカーボン系薄膜の作製とそのプラズマパラメータの測定(Ⅱ)

    会田太, 重村昌人, 加藤勇

    第50回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   27a/E, 8  2003

  • PL characteristics from a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPVD(2)

    Yosuke Motoyama, Ryouhei Saito, Isamu Kato, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    Extended Abstracts (The 50th Spring Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   28p/ZF, 2  2003

  • Fabrication of the Optical Waveguide with Nano-Structure by DTLC-MPCVD method and the Characteristics (Ⅱ)

    Masatsugu Oshima, Masato Shinohara, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts (The 50th Spring Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   28a/Zk, 4  2003

  • Fabrication of Carbon Thin Films and Measurment of Plasma Parameter by DTLC-MPCVD System(Ⅱ)

    Futoshi Aida, Shigemura Masato, Isamu Kato

    Extended Abstracts (The 50th Spring Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   27a/E, 8  2003

  • Film properties and PL Characteristics of Hydrogenafed Amorphous Silicon Nanoball Film using Ar-H2 mixture Gas plasma

    斉藤良平, 元山陽介, 加藤勇, 毛塚博史, 鈴木恒則

    第20回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   1/1-34  2003

  • Fabrication of the Optical Waveguide with Nano-Structure by DTLC-MPCVD method and the Characteristics

    大島正資, 篠原正仁, 浦野真理, 田丸直幸, 加藤勇

    第20回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   1/1-34  2003

  • Film properties and PL Characteristics of Hydrogenafed Amorphous Silicon Nanoball Film using Ar-H2 mixture Gas plasma

    Ryouhei Saito, Yousuke Motoyama, Isamu Kato, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    Plasma Science Symposium 2003/The 20nd Symposium on Plasma Processing   1/1-34  2003

  • Fabrication of the Optical Waveguide with Nano-Structure by DTLC-MPCVD method and the Characteristics

    Masanori Oshima, Syoji Shinohara, Makoto Urano, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2003/The 20nd Symposium on Plasma Processing   1/1-34  2003

  • PL characteristics from a-Si:H nanoball films fabricated using Hydrogen Plasma by DTCL-MPVD

    Syuhei Yoshida, Isamu Kato

    Extended Abstracts (The 64th Autumn Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   30p/ZE, 3  2003

  • Fabrication of SiN nanoball films by DTCL-MPVD System and their PL Characteristics

    Syuhei Yoshida, Isamu Kato

    Extended Abstracts (The 64th Autumn Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   1a/ZG, 3  2003

  • Blueshift of Photo luminescense from a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD(Ⅱ)

    Fumiaki Suzuki, Yosuke Motoyama, Isamu Kato, Tsunenori Suzuki, Kazuya Oguri

    Extended Abstracts (The 64th Autumn Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   30p/ZE, 5  2003

  • Blueshift of Photo luminescense from a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD(Ⅰ)

    Yosuke Motoyama, Fumiaki Suzuki, Isamu Kato, Tsunenori Suzuki, Kazuya Oguri

    Extended Abstracts (The 64th Autumn Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   30p/ZE, 4  2003

  • PL characteristics from a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPVD(2)

    Yosuke Motoyama, Ryouhei Saito, Isamu Kato, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    Extended Abstracts (The 50th Spring Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   28p/ZF, 2  2003

  • Fabrication of the Optical Waveguide with Nano-Structure by DTLC-MPCVD method and the Characteristics (Ⅱ)

    Masatsugu Oshima, Masato Shinohara, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts (The 50th Spring Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   28a/Zk, 4  2003

  • Fabrication of Carbon Thin Films and Measurment of Plasma Parameter by DTLC-MPCVD System(Ⅱ)

    Futoshi Aida, Shigemura Masato, Isamu Kato

    Extended Abstracts (The 50th Spring Meeting 2003): The Japan Society of Applied Physics   27a/E, 8  2003

  • Film properties and PL Characteristics of Hydrogenafed Amorphous Silicon Nanoball Film using Ar-H2 mixture Gas plasma

    Ryouhei Saito, Yousuke Motoyama, Isamu Kato, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    Plasma Science Symposium 2003/The 20nd Symposium on Plasma Processing   1/1-34  2003

  • Fabrication of the Optical Waveguide with Nano-Structure by DTLC-MPCVD method and the Characteristics

    Masanori Oshima, Syoji Shinohara, Makoto Urano, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2003/The 20nd Symposium on Plasma Processing   1/1-34  2003

  • Ultraviolet photon induced bulk, surface and interface modifications in n-Hg0.8Cd0.2Te in hydrogen environment

    OP Agnihotri, R Pal, KD Yang, SH Bae, SJ Lee, MY Lee, WS Choi, JH Choi, HC Lee, Kato, I

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 7A ) 4500 - 4502  2002.07

     View Summary

    Ultraviolet photon induced bulk, surface and interface modifications in n-Hg0.8Cd0.2Te (MCT) and metal insulator semiconductor (MIS) structures fabricated from CdTe/n-Hg0.8Cd0.2Te have been investigated in a hydrogen environment. The shift of the absorption edge towards the short wavelength side and the enhancement of the IR transmission in n-Hg0.8Cd0.2Te are thought to be due to the reduction in the density of gap states due to residual impurities or defects. A pre-CdTe deposition surface treatment prevents the surface inversion of n-MCT during CdTe deposition and MIS devices after UV photon excitation show a considerable lowering of the interface charges. X-ray photoelectron spectroscopy profiles of annealed CdTe/n-Hg0.8Cd0.2Te show evidence of interface grading which accounts for the stability of CdTe passivation.

    DOI CiNii

  • Ultraviolet photon induced bulk, surface and interface modifications in n-Hg0.8Cd0.2Te in hydrogen environment

    OP Agnihotri, R Pal, KD Yang, SH Bae, SJ Lee, MY Lee, WS Choi, JH Choi, HC Lee, Kato, I

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 7A ) 4500 - 4502  2002.07

     View Summary

    Ultraviolet photon induced bulk, surface and interface modifications in n-Hg0.8Cd0.2Te (MCT) and metal insulator semiconductor (MIS) structures fabricated from CdTe/n-Hg0.8Cd0.2Te have been investigated in a hydrogen environment. The shift of the absorption edge towards the short wavelength side and the enhancement of the IR transmission in n-Hg0.8Cd0.2Te are thought to be due to the reduction in the density of gap states due to residual impurities or defects. A pre-CdTe deposition surface treatment prevents the surface inversion of n-MCT during CdTe deposition and MIS devices after UV photon excitation show a considerable lowering of the interface charges. X-ray photoelectron spectroscopy profiles of annealed CdTe/n-Hg0.8Cd0.2Te show evidence of interface grading which accounts for the stability of CdTe passivation.

    DOI CiNii

  • Ultraviolet photon induced bulk, surface and interface modifications in n-Hg0.8Cd0.2Te in hydrogen environment

    OP Agnihotri, R Pal, KD Yang, SH Bae, SJ Lee, MY Lee, WS Choi, JH Choi, HC Lee, Kato, I

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 7A ) 4500 - 4502  2002.07

     View Summary

    Ultraviolet photon induced bulk, surface and interface modifications in n-Hg0.8Cd0.2Te (MCT) and metal insulator semiconductor (MIS) structures fabricated from CdTe/n-Hg0.8Cd0.2Te have been investigated in a hydrogen environment. The shift of the absorption edge towards the short wavelength side and the enhancement of the IR transmission in n-Hg0.8Cd0.2Te are thought to be due to the reduction in the density of gap states due to residual impurities or defects. A pre-CdTe deposition surface treatment prevents the surface inversion of n-MCT during CdTe deposition and MIS devices after UV photon excitation show a considerable lowering of the interface charges. X-ray photoelectron spectroscopy profiles of annealed CdTe/n-Hg0.8Cd0.2Te show evidence of interface grading which accounts for the stability of CdTe passivation.

    DOI CiNii

  • Characterization of photoluminescence of a-Si : H nanoball films fabricated by microwave plasma CVD

    Kato, I, H Kezuka, T Matsumoto, R Saito, T Suzuki

    VACUUM   65 ( 3-4 ) 439 - 442  2002.05

     View Summary

    The double-tubed coaxial line-type microwave plasma CVD (MPCVD) system was developed to obtain a stable plasma with a low and high gas pressure for fabrication of electronic devices and photonic devices. The a-Si:H nanoball films were fabricated by MPCVD system. In the deposition chamber, the Ar gas was fed to the outer discharge tube and the SiH4 gas was fed to the inner tube. The Ar gas was ionized in the cylindrical cavity region by the microwave power. The SiH4 gas flowed into the Ar plasma at the discharge tube end through the inner tube, and then the SiH4 was dissociated. After heat treatments for 72h in air for as-deposited a-Si:H nanoball films, SiO2 nanoballs included Si nanocrystal characterized from XPS spectrum of the silicon 2p region. Also, from SEM and AFM observations of the oxidized surface of a-Si:H nanoball films, the size of a-Si:H nanoball was about 20-30 nm in diameter. (C) 2002 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

    DOI CiNii

  • Characterization of photoluminescence of a-Si : H nanoball films fabricated by microwave plasma CVD

    Kato, I, H Kezuka, T Matsumoto, R Saito, T Suzuki

    VACUUM   65 ( 3-4 ) 439 - 442  2002.05

     View Summary

    The double-tubed coaxial line-type microwave plasma CVD (MPCVD) system was developed to obtain a stable plasma with a low and high gas pressure for fabrication of electronic devices and photonic devices. The a-Si:H nanoball films were fabricated by MPCVD system. In the deposition chamber, the Ar gas was fed to the outer discharge tube and the SiH4 gas was fed to the inner tube. The Ar gas was ionized in the cylindrical cavity region by the microwave power. The SiH4 gas flowed into the Ar plasma at the discharge tube end through the inner tube, and then the SiH4 was dissociated. After heat treatments for 72h in air for as-deposited a-Si:H nanoball films, SiO2 nanoballs included Si nanocrystal characterized from XPS spectrum of the silicon 2p region. Also, from SEM and AFM observations of the oxidized surface of a-Si:H nanoball films, the size of a-Si:H nanoball was about 20-30 nm in diameter. (C) 2002 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

    DOI CiNii

  • Characterization of photoluminescence of a-Si:H nanoball films fabricated by microwave plasma CVD

    加藤勇, 毛塚博史, 松本貴之, 斉藤良平, 鈴木恒則

    Vacuum   Vol65 PAGE 439-442  2002

    DOI

  • a-Si:H/Si3N4超薄膜多層膜の作製とPL発光特性

    浦野真理, 小山慎一, 加藤勇

    第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集   26p-ZM-18  2002

  • a-Si:H/Si3N4多層膜光導波路の偏光特性(Ⅵ)

    篠原正仁, 大島正資, 田丸直幸, 加藤勇

    第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集   24a-A-11  2002

  • DTCL-MPCVD法により作製したa-Si:Hナノボール膜からのPL発光特性

    斉藤良平, 加藤勇, 毛塚博史, 鈴木恒則

    第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集   25a-ZD-1  2002

  • DTCL-MPCVD装置によるカーボン系薄膜の作製とそのプラズマパラメータの測定

    重村昌人, 会田太, 加藤勇

    第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集   24a-ZM-19  2002

  • polarization properties of a-Si:H/SiN multilayer optical waveguide

    Syoji Shinohara, Makoto Urano, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   24a-A-11  2002

  • PL characteristics from a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD

    Ryouhei Saito, Isamu Kato, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   25a-ZD-1  2002

  • Fabrication of carbon thin films and measurement of plasma parameter By DTCL-MPCVD system

    Masato Shigemura, Futoshi Aida, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   24a-ZM-19  2002

  • Fabrication of a-Si:H/SiN ultra multilayer films nad its photoluminescence properties

    Makoto Urano, Shinichi Koyama, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   26p-ZM-18  2002

  • Dependence of Photoluminescence Characteristics of Thermally Oxidized Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films on Ion Bombardment Ener

    加藤勇, 松本貴之

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 41. pp5205-5209  2002

    DOI

  • Dependence of Photoluminescence Characteristics of Thermally Oxidized Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films on Ion Bombardment Ener

    Takayuki Matsumoto, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 ( 8 ) 5205 - 5209  2002

    DOI CiNii

  • TEM-ovservations of the surface of a-Si:H nanoball films prepared by micro-plasma CVD System

    H.Kezuka, I.Kato, T.Matsumoto, R.Saito, T.Suzuki

    Sixteenth SixteenthEuropean Conference on Atomic&Molecular Physics of Ionized Gases Fifth International Conference on Reactive Plasmas(Joint    2002

  • Dependence of PL characteristics of a-Si:H nanoball films Fabricated by double tubed coaxial line type MPCVD System

    R.Saito, I.Kato, H.Kezuka

    Sixteenth SixteenthEuropean Conference on Atomic&Molecular Physics of Ionized Gases Fifth International Conference on Reactive Plasmas(Joint    2002

  • TEM-ovservations of the surface of a-Si:H nanoball films prepared by micro-plasma CVD System

    H.Kezuka, I.Kato, T.Matsumoto, R.Saito, T.Suzuki

    Sixteenth SixteenthEuropean Conference on Atomic&Molecular Physics of Ionized Gases Fifth International Conference on Reactive Plasmas(Joint    2002

  • Dependence of PL characteristics of a-Si:H nanoball films Fabricated by double tubed coaxial line type MPCVD System

    R.Saito, I.Kato, H.Kezuka

    Sixteenth SixteenthEuropean Conference on Atomic&Molecular Physics of Ionized Gases Fifth International Conference on Reactive Plasmas(Joint    2002

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料の研究(10)

    斉藤良平, 松本貴之, 加藤勇, 毛塚博史, 鈴木恒則

    第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   29a-YG-2  2002

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料の研究(10)

    斉藤良平, 松本貴之, 加藤勇, 毛塚博史, 鈴木恒則

    第63回応用物理学会学術講演会   29a-Y6-2  2002

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置をによるカーボン系薄膜の作製とそのプラズマパラメータの測定

    重村昌人, 野田俊成, 加藤勇

    第63回応用物理学会学術講演会   27a-B-10  2002

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置によるカーボン系薄膜の作製とそのプラズマパラメータの測定

    重村昌人, 野田俊成, 加藤勇

    第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   27a-B-10  2002

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置によるa-Si:H/Si3N4多層膜の作製(Ⅴ)

    小山慎一, 浦野真理, 菅井貴義, 加藤勇

    第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   27p-K-1  2002

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置によるa-Si:H /Si3N4多層膜の作製とプラズマ測定

    浦野真理, 小山慎一, 菅井貴義, 加藤勇

    第63回応用物理学会学術講演会   28a-D-4  2002

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置によるa-Si:H /Si3N4多層膜の作製(Ⅴ)

    小山慎一, 浦野真理, 菅井貴義, 加藤勇

    第63回応用物理学会学術講演会   27P-K-1  2002

  • 同軸線路型MPCVD装置によるa-Si:H/Si3N4多層膜の作製とプラズマ測定

    浦野真理, 小山慎一, 菅井貴義, 加藤勇

    第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   28a-D-4  2002

  • The study of Si luminescence material fabricated using DTCL-MPCVD

    Ryouhei Saito, Takayuki Matsumoto, Isamu Kato, Hiroshi Kezuka and, Tsunenori Suzuki

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   29a-Y6-2  2002

  • Pabrication of carbon thin films and measurement of plasma parameter by DTCL-MPCVD system

    Masato Shigemura, Toshinari Noda, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 49th Spring Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   27a-B-10  2002

  • Fabrication of a-Si:H/SiN multilayer films by DTCL-MPCVD system and its plasma measurement

    Makoto Urano, Shinichi Koyama, Takayoshi Sugai and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   28a-D-4  2002

  • Fabrication of a-Si:H/SiN multilayer films by DTCL-MPCVD system (5)

    Makoto Urano, Shinichi Koyama, Takayoshi Sugai and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   27P-K-1  2002

  • polarization properties of a-Si:H/SiN multilayer optical waveguide

    Syoji Shinohara, Makoto Urano, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   24a-A-11  2002

  • PL characteristics from a-Si:H nanoball films fabricated by DTCL-MPCVD

    Ryouhei Saito, Isamu Kato, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   25a-ZD-1  2002

  • Fabrication of carbon thin films and measurement of plasma parameter By DTCL-MPCVD system

    Masato Shigemura, Futoshi Aida, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   24a-ZM-19  2002

  • Fabrication of a-Si:H/SiN ultra multilayer films nad its photoluminescence properties

    Makoto Urano, Shinichi Koyama, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   26p-ZM-18  2002

  • Dependence of Photoluminescence Characteristics of Thermally Oxidized Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films on Ion Bombardment Ener

    Takayuki Matsumoto, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 ( 8 ) 5205 - 5209  2002

    DOI CiNii

  • TEM-ovservations of the surface of a-Si:H nanoball films prepared by micro-plasma CVD System

    H.Kezuka, I.Kato, T.Matsumoto, R.Saito, T.Suzuki

    Sixteenth SixteenthEuropean Conference on Atomic&Molecular Physics of Ionized Gases Fifth International Conference on Reactive Plasmas(Joint    2002

  • Dependence of PL characteristics of a-Si:H nanoball films Fabricated by double tubed coaxial line type MPCVD System

    R.Saito, I.Kato, H.Kezuka

    Sixteenth SixteenthEuropean Conference on Atomic&Molecular Physics of Ionized Gases Fifth International Conference on Reactive Plasmas(Joint    2002

  • The study of Si luminescence material fabricated using DTCL-MPCVD

    Ryouhei Saito, Takayuki Matsumoto, Isamu Kato, Hiroshi Kezuka and, Tsunenori Suzuki

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   29a-Y6-2  2002

  • Pabrication of carbon thin films and measurement of plasma parameter by DTCL-MPCVD system

    Masato Shigemura, Toshinari Noda, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 49th Spring Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   27a-B-10  2002

  • Fabrication of a-Si:H/SiN multilayer films by DTCL-MPCVD system and its plasma measurement

    Makoto Urano, Shinichi Koyama, Takayoshi Sugai and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   28a-D-4  2002

  • Fabrication of a-Si:H/SiN multilayer films by DTCL-MPCVD system (5)

    Makoto Urano, Shinichi Koyama, Takayoshi Sugai and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 63th Autumn Meeting, 2002) ; The Japan Society of Applied Physics   27P-K-1  2002

  • Photoluminescence from Thermally Oxidized Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films Fablicated by Double-Tubed-Coaxial-Line-Type Microwave Plasma Chemical Vapor Deposi

    加藤勇, 松本貴之, O.P.AGNIHOTRI

    Jpn J Appl Phys Part1   VOL. 40, NO. 12 PAGE 6862-6867  2001

    DOI

  • Photoluminescence from Thermally Oxidized Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films Fablicated by Double-Tubed-Coaxial-Line-Type Microwave Plasma Chemical Vapor Deposi

    Takayuki Matsumoto, Isamu Kato, O.P.AGNIHOTRI

    Jpn J Appl Phys Part1   40 ( 12 ) 6862 - 6867  2001

    DOI CiNii

  • Nanostructures of Si Luminescence Materials Fablicated by Microwave Plasma CVD

    H.Kezuka, I.Kato, R.Saito, T.Suzuki

    IUVSTA 15<SUP>th</SUP> International Vacuum Congress(IVC-15), AVS 48th International Symposium(AVS-48)International Conference on Solid Surface(ICSS-11)    2001

  • Nanostructures of Si Luminescence Materials Fablicated by Microwave Plasma CVD

    H.Kezuka, I.Kato, R.Saito, T.Suzuki

    IUVSTA 15<SUP>th</SUP> International Vacuum Congress(IVC-15), AVS 48th International Symposium(AVS-48)International Conference on Solid Surface(ICSS-11)    2001

  • Si Luminescence Materials Fablicated Using the Double-Tubed Coaxial Line-Type Microwave Plasma CVD

    加藤勇, 毛塚博史, 松本貴之, 斉藤良平, 鈴木恒則

    ADVANCE IN APPLIED PLASMA SCIENCE    2001

  • Si Luminescence Materials Fablicated Using the Double-Tubed Coaxial Line-Type Microwave Plasma CVD

    Isamu Kato.Takayuki Matsumoto, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    ADVANCE IN APPLIED PLASMA SCIENCE    2001

  • Si Luminescence Materials Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line-Type Microwave Plasma CVD

    加藤勇, 毛塚博史, 松本貴之, 斉藤良平, 鈴木恒則

    Institute of Applied Plasma Science   Vol. 13, 2001 PAGE162-172  2001

  • Si Luminescence Materials Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line-Type Microwave Plasma CVD

    Isamu Kato.Takayuki Matsumoto, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    Institute of Applied Plasma Science   Vol. 13, 2001 PAGE162-172  2001

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したa-Si:H/Si3N4多層膜の膜質とその光回路素子への応用

    加藤勇, 匂坂雅彦, 菅井貴義, 上垣内岳司

    電子情報通信学会論文誌   VOL. J84-C, NO. 4 PAGE. 245-2  2001

  • Quality of a-Si:H/Si3N4 Multilayer Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System and Application of the Films to Optical Circuit Element

    加藤勇, 匂坂雅彦, 菅井貴義, 上垣内岳司

    Electronics and Communications in Japan    2001

  • Quality of a-Si:H/Si3N4 Multilayer Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System and Application of the Films to Optical C

    Isamu Kato, Takayoshi Sugai, Syoji kamigaichi, Masahiko Sagisaka

    Electronics and Communication in Japan, Part2.   Vol. 84 No. 12  2001

    DOI

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料の研究(Ⅷ)

    松本貴之, 加藤勇, 毛塚博史, 鈴木恒則

    第48回応用物理学関係連合講演会   28p-YL-4  2001

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置におけるa-Si:H/Si3N4多層膜の作製(Ⅲ)

    菅井貴義, 加藤勇

    第48回応用物理学関係連合講演会   30a-ZT-1  2001

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置におけるH2-Ar混合プラズマの空間分布、およびカーボン形薄膜の作成

    野田俊成, 加藤勇

    第48回応用物理学関係連合講演会   28a-N-9  2001

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置において基板温度がa-Si:H膜に与える影響(Ⅲ)

    山口誠彦, 中野有喜, 加藤勇

    第48回応用物理学関係連合講演会   31p-ZQ-5  2001

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料の研究(9)

    松本貴之, 加藤勇, 毛塚博史, 鈴木恒則

    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集   28p-YL-4  2001

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置の改造と、そのH2プラズマの空間分布の予測、およびカーボン系薄膜の作製

    野田俊成, 加藤勇

    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集   28a-N-9  2001

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置によるa-Si:H/Si3N4多層膜の作製(Ⅳ)

    松本貴之, 斉藤良平, 加藤勇, 毛塚博史, 鈴木恒則

    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集   11p-P3-1  2001

  • a-Si:H/Si3N4多層膜光導波路の偏光特性(Ⅲ)

    匂坂雅彦, 小山慎一, 篠原正仁, 田丸直幸, 加藤勇

    第48回応用物理学関係連合講演会   31p-H-3  2001

  • Quality of a-Si:H/Si3N4 Multilayer Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System and Application of the Films to Optical C

    加藤勇, 匂坂雅彦, 菅井貴義, 上垣内岳司

    Electronics and Communication in Japan, Part2.   Vol. 84 No. 12  2001

    DOI

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0008[))

    Takayuki Matsumoto, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28p-YL-4  2001

  • Spatial Distribution of Ar-H_2 Mixtured Plasma and Fabrication of Carbon Thin Films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD

    Toshinari Noda, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-N-9  2001

  • Polarization properties of a-Si : H/Si_3N_4 multilayer optical waveguides((]G0003[))

    Masahiko Sagisaka, Shinichi Koyama, Masato Shinohara, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31p-H-3  2001

  • Influence of Substrate Temperature on a a-Si : H Film Fabricated in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD

    Seihiko Yamaguchi, Yuki Nakano, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31p-ZQ-5  2001

  • Fabrication of a-Si : H/Si_3N_4 multilayer films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System.((]G0003[))

    Takayoshi Sugai, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30a-ZT-1  2001

  • 二重式同軸線路型MPCVD装置の改造とそのH2プラズマの空間分布、およびカーボン系薄膜の作製

    松本貴之, 加藤勇

    第18回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   11P-ZG-14  2001

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料の研究(9)

    菅井貴義, 加藤勇

    第18回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   11P-P3-1  2001

  • 二重管式同軸線路型MPCVD装置によるa-Si:H/ Si3N4多層膜の作製(Ⅳ)

    匂坂雅彦, 菅井貴義, 田丸直幸, 加藤勇

    第18回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス   12P-ZA-3  2001

  • QUORITY OF a-SiH/Si3N4 MULTILAYER FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCND SYSTEM(Ⅱ)

    菅井貴義, 加藤勇

    第18回プラズマプロセッシング研究会 プロシ-ディングス   Vol. P2-75, PP. 427-428  2001

  • FILM QUALITY OF A a-Si:H/Si3N4 MULTILAYAR FILMS AND PROPAGATE PROPERTIES OF OPTICAL WAVEGUIDES USING THE MULTILAYER FILMS

    匂坂雅彦, 菅井貴義, 田丸直幸, 加藤勇

    第18回プラズマプロセッシング研究会 プロシ-ディングス   Vol. P2-76, PP. 429-430  2001

  • DEPENDENCE OF PL CHARACTERISTICS OF a-Si:H NANOBALL FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM ON SUBSTRATE POSITION

    松本貴之, 加藤勇

    第18回プラズマプロセッシング研究会 プロシ-ディングス   Vol. P2-74, PP. 425-426  2001

  • QUORITY OF a-SiH/Si3N4 MULTILAYER FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCND SYSTEM(Ⅱ)

    Takayoshi Sugai, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2001/The 18nd Symposium on Plasma Processing   Vol. P2-75, PP. 427-428  2001

  • FILM QUALITY OF A a-Si:H/Si3N4 MULTILAYAR FILMS AND PROPAGATE PROPERTIES OF OPTICAL WAVEGUIDES USING THE MULTILAYER FILMS

    Masahiko Sagisaka, Takayoshi Sugai, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2001/The 18nd Symposium on Plasma Processing   Vol. P2-76, PP. 429-430  2001

  • DEPENDENCE OF PL CHARACTERISTICS OF a-Si:H NANOBALL FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM ON SUBSTRATE POSITION

    Takayuki Matsumoto, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2001/The 18nd Symposium on Plasma Processing   Vol. P2-74, PP. 425-426  2001

  • Photoluminescence from Thermally Oxidized Hydrogenated Amorphous Silicon Nanoball Films Fablicated by Double-Tubed-Coaxial-Line-Type Microwave Plasma Chemical Vapor Deposi

    Takayuki Matsumoto, Isamu Kato, O.P.AGNIHOTRI

    Jpn J Appl Phys Part1   40 ( 12 ) 6862 - 6867  2001

    DOI CiNii

  • Nanostructures of Si Luminescence Materials Fablicated by Microwave Plasma CVD

    H.Kezuka, I.Kato, R.Saito, T.Suzuki

    IUVSTA 15<SUP>th</SUP> International Vacuum Congress(IVC-15), AVS 48th International Symposium(AVS-48)International Conference on Solid Surface(ICSS-11)    2001

  • Si Luminescence Materials Fablicated Using the Double-Tubed Coaxial Line-Type Microwave Plasma CVD

    Isamu Kato.Takayuki Matsumoto, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    ADVANCE IN APPLIED PLASMA SCIENCE    2001

  • Si Luminescence Materials Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line-Type Microwave Plasma CVD

    Isamu Kato.Takayuki Matsumoto, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki

    Institute of Applied Plasma Science   Vol. 13, 2001 PAGE162-172  2001

  • Quality of a-Si:H/Si3N4 Multilayer Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System and Application of the Films to Optical C

    Isamu Kato, Takayoshi Sugai, Syoji kamigaichi, Masahiko Sagisaka

    Electronics and Communication in Japan, Part2.   Vol. 84 No. 12  2001

    DOI

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0008[))

    Takayuki Matsumoto, Hiroshi Kezuka, Tsunenori Suzuki, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28p-YL-4  2001

  • Spatial Distribution of Ar-H_2 Mixtured Plasma and Fabrication of Carbon Thin Films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD

    Toshinari Noda, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-N-9  2001

  • Polarization properties of a-Si : H/Si_3N_4 multilayer optical waveguides((]G0003[))

    Masahiko Sagisaka, Shinichi Koyama, Masato Shinohara, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31p-H-3  2001

  • Influence of Substrate Temperature on a a-Si : H Film Fabricated in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD

    Seihiko Yamaguchi, Yuki Nakano, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31p-ZQ-5  2001

  • Fabrication of a-Si : H/Si_3N_4 multilayer films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System.((]G0003[))

    Takayoshi Sugai, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 48th Spring Meeting, 2001) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30a-ZT-1  2001

  • QUORITY OF a-SiH/Si3N4 MULTILAYER FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCND SYSTEM(Ⅱ)

    Takayoshi Sugai, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2001/The 18nd Symposium on Plasma Processing   Vol. P2-75, PP. 427-428  2001

  • FILM QUALITY OF A a-Si:H/Si3N4 MULTILAYAR FILMS AND PROPAGATE PROPERTIES OF OPTICAL WAVEGUIDES USING THE MULTILAYER FILMS

    Masahiko Sagisaka, Takayoshi Sugai, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2001/The 18nd Symposium on Plasma Processing   Vol. P2-76, PP. 429-430  2001

  • DEPENDENCE OF PL CHARACTERISTICS OF a-Si:H NANOBALL FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM ON SUBSTRATE POSITION

    Takayuki Matsumoto, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2001/The 18nd Symposium on Plasma Processing   Vol. P2-74, PP. 425-426  2001

  • Effect of Ar+ ion bombardment during hydrogenated amorphous silicon film growth in plasma chemical vapor deposition system

    Kato, I, Y Nakano, N Yamaguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 11 ) 6404 - 6409  2000.11

     View Summary

    We have developed the double tubed coaxial line type microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system to fabricate hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films.' We have studied the influence of Ar+ ion bombardment during a-Si:H film growth and clarified that the ion bombardment causes film surface heating effect and ion implanting effect, It is not sufficient to discuss only whether films are of good quality or not, when the ion bombardment energy is increased. In this Study, we show that the effect of ion bombardment can be separated into the film surface heating effect and the ion implanting effect and discuss the influence of each effect on the film properties. We also show that the film surface temperature can be expressed as a function of the sheath voltage. It is clarified that a film with low dangling bond density can be fabricated at low temperatures if there is no ion bombardment.

    DOI CiNii

  • New particles technology for (RE)BCO-superconductoor(RE-Y) using jet mill.

    H.Kezuka, I.Kato

    Pacifichem 2000 Meeting    2000

  • New particles technology for(RE)BCO-superconductoor(RE-Y)using jet mill.

    H.Kezuka, I.Kato

    Pacifichem 2001 Meeting    2000

  • Effect of Ar+ Ion Bombardment During Hydrogenated Amorphous Silicon FilmGrowth in Plasma Chemical Vapor Deposition System.

    加藤勇, 中野有喜, 山口誠彦

    Jpn J Appl Phys Part1   VOL. 39, NO. 11 PAGE 6404-6409  2000

    DOI

  • Effect of Ar+ Ion Bombardment During Hydrogenated Amorphous Silicon Film Growth in Plasma Chemical Vapor Deposition System

    加藤勇, 中野有喜, 山口誠彦

    Jpn.J.Appl.Phys. Vol.39(2000)   Vol.39(2000) ( Part1,No.11 ) 6404  2000

    DOI

  • Effect of Ar+ Ion Bombardment During Hydrogenated Amorphous Silicon Film Growth in Plasma Chemical Vapor Deposition

    Yuki Nakano, Seihiko Yamaguchi, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.(2000)   39 ( 11 ) 6404 - 6409  2000

    DOI CiNii

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置におけるシース電圧の制御(Ⅱ)

    中野有喜, 山口誠彦, 加藤勇

    第61回応用物理学会学術講演会   3p-ZR-14  2000

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料の研究(Ⅶ)

    松本貴之, 加藤勇

    第61回応用物理学会学術講演会   6a-ZK-5  2000

  • 同軸線路形MPCVD装置において放電ガスとしてNeガスを用いたa-Si:H膜の作製(Ⅱ)

    菅井貴義, 加藤勇

    第61回応用物理学会学術講演会   3p-ZR-15  2000

  • 三次元光導波路を用いた半導体極薄膜の光学定数の測定(Ⅱ)

    坂井典生, 田丸直幸, 加藤勇

    第61回応用物理学会学術講演会   6a-D-9  2000

  • a-Si:H/Si3N4多層膜光導波路の偏光特性(Ⅱ)

    匂坂雅彦, 田丸直幸, 加藤勇

    第61回応用物理学会学術講演会   3a-Q-31  2000

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0007[))

    Takayuki Matsumoto, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   6a-ZK-5  2000

  • Polarization properties of a-Si : H/Si_3N_4 multilayer optical waveguides((]G0002[))

    Masahiko Sagisaka, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   3a-Q-31  2000

  • Optical Constant Measurement Ultra Thin Films Using a Three Dimensional Waveguide((]G0002[))

    Masahiko Sagisaka, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   3a-Q-31  2000

  • Fabrication of a-Si : H films using Ne gas as discharge gas by coaxial line type MPCVD

    Yoshiaki Sugai, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   3p-ZR-15  2000

  • Control of Sheath Voltage in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Seihiko Yamaguchi, Yuki Nakano, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   3p-ZR-14  2000

  • New Particles Technology for Oxide-Superconductor Using Dry and Wet-Type Jet Mill

    H.Kezuka, I.Kato, T.Shirane, M.Ikeda

    Proceedings of The 6th International Conference on Properties andApplications of Dielectric Materials   Vol.3(2001)   167 - 172  2000

  • New Particles Technology for Oxide-Superconductor Using Dry and Wet-Type Jet Mill

    H.Kezuka, I.Kato, T.Suzuki, M.Ikeda

    Proceedings of The 7th International Conference on Properties and Applications of Dielectric Materials   3(2001)/,167-172  2000

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料の研究(Ⅵ)

    松本貴之, 河原吉男, 加藤勇

    第47回応用物理学関係連合講演会   31a-YC-Ⅱ  2000

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いたカーボン系薄膜の作製(Ⅱ)

    野田俊成, 大塚崇, 加藤勇

    第47回応用物理学関係連合講演会   28a-YE-Ⅰ  2000

  • 同軸線路形MPCVD装置において放電ガスとしてNeガスを用いたa-Si:H膜の作製

    菅井貴義, 上垣内岳司, 加藤勇

    第47回応用物理学関係連合講演会   30p-C-Ⅰ  2000

  • 縦磁界印加同軸線路形MPCVD装置において基板温度がa-Si:H膜に与える影響(Ⅱ)

    中野有喜, 山口誠彦, 加藤勇

    第47回応用物理学関係連合講演会   30p-ZF-Ⅱ  2000

  • 三次元光導波路を用いた半導体極薄膜の光学定数の測定

    坂井典生, 加藤勇

    第47回応用物理学関係連合講演会   30a-B-Ⅲ  2000

  • Si:H/Si3N4多層膜光導波路の偏光特性

    匂坂雅彦, 加藤勇

    第47回応用物理学関係連合講演会   30p-B-Ⅲ  2000

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0006[))

    Takayuki Matsumoto, Yoshio Kawara, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YC-Ⅱ  2000

  • Polarization properties of a-Si : H/Si_3N_4 multilayer optical waveguides

    Masahiko Sagisaka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-B-Ⅲ  2000

  • Optical Constant Measurement Ultra Thin Films Using a Three Dimensional Waveguide

    Norio Sakai, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30a-B-Ⅲ  2000

  • Influence of substrate temperature on a a-Si : H Film in Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type

    Yuki Nakano, Seihiko Yamaguchi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-ZF-Ⅱ  2000

  • Fabrication of a-Si : H films using Ne gas as discharge gas by coaxial line type MPCVD system

    Takayoshi Sugai, Syoji kamigaichi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-C-Ⅰ  2000

  • Fabrication of Carbon thin films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Toshinari Noda, Takashi Otsuka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-YE-Ⅰ  2000

  • QUORITY OF a-Si:H/Si3N4 MULTILAYER FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINEFABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM

    上垣内岳司, 加藤勇

    第17回プラズマプロセッシング研究会 プロシーディングス   Vol.A2-5, PP.239-242  2000

  • POLARIZATION PROPERTIES OF a-Si:H/Si3N4 MULTILAYERS OPTICAL WAVEGUIDES

    匂坂雅彦, 加藤勇

    第17回プラズマプロセッシング研究会 プロシーディングス   Vol.A2-6, PP.243-246  2000

  • Influence of hydrogen on losses in silicon oxynitride planar optical waveguides.

    B S Sahu, O, P Agnihotri, S C Jain, R, Mertens and, Isamu Kato

    Semicond Sci Technol   15 ( 3 ) L11 - L14  2000

    DOI CiNii

  • FABRICATION OF POLYMER-LIKE a-C:H FILMS BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM

    大塚崇, 加藤勇

    第17回プラズマプロセッシング研究会 プロシーディングス   Vol.A2-1, PP.223-226  2000

  • DEPENDENCE OF PL CHARACTERISTICS OF a-Si:H NANOBALL FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM ON ION BOMBARDMENT ENERGY

    河原吉男, 加藤勇

    第17回プラズマプロセッシング研究会 プロシーディングス   Vol.B6-7, PP.641-644  2000

  • QUORITY OF a-Si:H/Si3N4 MULTILAYER FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINEFABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM

    Syouji Kamigaichi, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2000/The 18nd Symposium on Plasma Processing   Vol.A2-5, PP.239-242  2000

  • POLARIZATION PROPERTIES OF a-Si:H/Si3N4 MULTILAYERS OPTICAL WAVEGUIDES

    Masahiko Sagisaka, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2000/The 19nd Symposium on Plasma Processing   Vol.A2-6, PP.243-246  2000

  • Influence of hydrogen on losses in silicon oxynitride planar optical waveguides.

    B S Sahu, O, P Agnihotri, S C Jain, R, Mertens and, Isamu Kato

    Semicond Sci Technol   15 ( 3 ) L11 - L14  2000

    DOI CiNii

  • Influence of Hydrogen on Losses in Silicon Oxynitride Planar Optical Wavaguides

    B S Sahu, O, P Agnihotri, S C Jain, R, Mertens and, Isamu Kato

    Semicord, Sci, Technol   15 ( 3 ) L11 - L14  2000

    DOI CiNii

  • FABRICATION OF POLYMER-LIKE a-C:H FILMS BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM

    Takashi Otsuka, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2000/The 17nd Symposium on Plasma Processing   Vol.A2-1, PP.223-226  2000

  • DEPENDENCE OF PL CHARACTERISTICS OF a-Si:H NANOBALL FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM ON ION BOMBARDMENT ENERGY

    Yoshio Kawara, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2000/The 20nd Symposium on Plasma Processing   Vol.B6-7, PP.641-644  2000

  • New particles technology for(RE)BCO-superconductoor(RE-Y)using jet mill.

    H.Kezuka, I.Kato

    Pacifichem 2001 Meeting    2000

  • Effect of Ar+ Ion Bombardment During Hydrogenated Amorphous Silicon FilmGrowth in Plasma Chemical Vapor Deposition System.

    Yuki Nakano, Seihiko Yamaguchi, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys Part1   39 ( 11 ) 6404 - 6409  2000

    DOI CiNii

  • Effect of Ar+ Ion Bombardment During Hydrogenated Amorphous Silicon Film Growth in Plasma Chemical Vapor Deposition

    Yuki Nakano, Seihiko Yamaguchi, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.(2000)   39 ( 11 ) 6404 - 6409  2000

    DOI CiNii

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0007[))

    Takayuki Matsumoto, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   6a-ZK-5  2000

  • Polarization properties of a-Si : H/Si_3N_4 multilayer optical waveguides((]G0002[))

    Masahiko Sagisaka, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   3a-Q-31  2000

  • Optical Constant Measurement Ultra Thin Films Using a Three Dimensional Waveguide((]G0002[))

    Masahiko Sagisaka, Naoyuki Tamaru, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   3a-Q-31  2000

  • Fabrication of a-Si : H films using Ne gas as discharge gas by coaxial line type MPCVD

    Yoshiaki Sugai, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   3p-ZR-15  2000

  • Control of Sheath Voltage in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Seihiko Yamaguchi, Yuki Nakano, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 61th Autumn Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics   3p-ZR-14  2000

  • New Particles Technology for Oxide-Superconductor Using Dry and Wet-Type Jet Mill

    H.Kezuka, I.Kato, T.Suzuki, M.Ikeda

    Proceedings of The 7th International Conference on Properties and Applications of Dielectric Materials   3(2001)/,167-172  2000

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0006[))

    Takayuki Matsumoto, Yoshio Kawara, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YC-Ⅱ  2000

  • Polarization properties of a-Si : H/Si_3N_4 multilayer optical waveguides

    Masahiko Sagisaka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-B-Ⅲ  2000

  • Optical Constant Measurement Ultra Thin Films Using a Three Dimensional Waveguide

    Norio Sakai, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30a-B-Ⅲ  2000

  • Influence of substrate temperature on a a-Si : H Film in Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type

    Yuki Nakano, Seihiko Yamaguchi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-ZF-Ⅱ  2000

  • Fabrication of a-Si : H films using Ne gas as discharge gas by coaxial line type MPCVD system

    Takayoshi Sugai, Syoji kamigaichi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-C-Ⅰ  2000

  • Fabrication of Carbon thin films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Toshinari Noda, Takashi Otsuka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 47th Spring Meeting, 2000) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-YE-Ⅰ  2000

  • QUORITY OF a-Si:H/Si3N4 MULTILAYER FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINEFABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM

    Syouji Kamigaichi, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2000/The 18nd Symposium on Plasma Processing   Vol.A2-5, PP.239-242  2000

  • POLARIZATION PROPERTIES OF a-Si:H/Si3N4 MULTILAYERS OPTICAL WAVEGUIDES

    Masahiko Sagisaka, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2000/The 19nd Symposium on Plasma Processing   Vol.A2-6, PP.243-246  2000

  • Influence of hydrogen on losses in silicon oxynitride planar optical waveguides.

    B S Sahu, O, P Agnihotri, S C Jain, R, Mertens and, Isamu Kato

    Semicond Sci Technol   15 ( 3 ) L11 - L14  2000

    DOI CiNii

  • Influence of Hydrogen on Losses in Silicon Oxynitride Planar Optical Wavaguides

    B S Sahu, O, P Agnihotri, S C Jain, R, Mertens and, Isamu Kato

    Semicord, Sci, Technol   15 ( 3 ) L11 - L14  2000

    DOI CiNii

  • FABRICATION OF POLYMER-LIKE a-C:H FILMS BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM

    Takashi Otsuka, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2000/The 17nd Symposium on Plasma Processing   Vol.A2-1, PP.223-226  2000

  • DEPENDENCE OF PL CHARACTERISTICS OF a-Si:H NANOBALL FILMS FABRICATED BY DOUBLE TUBED COAXIAL LINE TYPE MPCVD SYSTEM ON ION BOMBARDMENT ENERGY

    Yoshio Kawara, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 2000/The 20nd Symposium on Plasma Processing   Vol.B6-7, PP.641-644  2000

  • Photoluminescence from a-Si:H Nanoball Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Tipe Microwave Plasma CVD system

    加藤 勇, 河原 吉男, O.P.Agnihotri

    Proceedings of the Tenth International Workshop on the Phisics of Semiconductor Devices   Ⅱ; PP.1107  1999

  • Influence of Hydrogen on Losses in Silicon Oxynitride Planar Optical Wavaguides

    B.S.Sabu, O.P.Agnihotri, S.C.Jain, R.Mertens, 加藤 勇

    Proceedings of the Tenth International Workshop on the Phisics of Semiconductor Devices   Ⅰ; PP.438  1999

  • Photoluminescence from a-Si : H Nanoball Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Tipe Microwave Plasma CVD system

    Isamu Kato, yoshio Kawara, O.P.Agnihotri

    Proceedings of the Tenth International Workshop on the Phisics of Semiconductor Devices   Ⅱ; PP.1107  1999

  • Influence of Hydrogen on Losses in Silicon Oxynitride Planar Optical Wavaguides

    B.S.Sabu, O.P.Agnihotri, S.C.Jain, R.Mertens, 加藤 勇

    Proceedings of the Tenth International Workshop on the Phisics of Semiconductor Devices   Ⅰ; PP.438  1999

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したSi発光材料の研究(Ⅴ)

    河原吉男, 加藤勇

    第60回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   3p-ZN-17  1999

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いたa-C:H膜の作製

    大塚崇, 加藤勇

    第60回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   4a-L-11  1999

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置によるa-Si:H/Si3N4多層膜の作製と応用

    上垣内岳司, 匂坂雅彦, 加藤勇

    第60回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   1p-ZS-9  1999

  • a-SimaluH/Si3N4 multilayer films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System and its Application

    Masahiko Sagisaka, Syoji Kamigaichi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 60th Autumn Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics   30p-D-7  1999

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD (V)

    Yoshio Kawara, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 60th Autumn Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics   3p-ZN-17  1999

  • Fabrication of a-C : H films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Takashi Otsuka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 60th Autumn Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics   4a-L-11  1999

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料の研究(Ⅳ)

    河原吉男, 加藤勇

    第46回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   28a-P2-8  1999

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いたカーボン系薄膜の作製

    大塚崇, 加藤勇

    第46回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   30p-D-1  1999

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置によるa-Si:H/SiN多層膜の作製(Ⅱ)

    上垣岳司内, 匂坂雅彦, 加藤勇

    第46回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   29a-YD-4  1999

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置によるa-Si:H/Si3N4多層膜の作製法の検討

    匂坂雅彦, 上垣岳司内, 加藤勇

    第46回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   30p-D-7  1999

  • 縦磁界印加同軸線路形MPCVD装置において基板温度がa-Si:H膜に与える影響

    臼田雅之, 中野有喜, 加藤勇

    第46回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   31a-YB-3  1999

  • 縦磁界印加同軸線路形MPCVD装置においてシース電圧がa-Si:H膜に与える影響

    中野有喜, 臼田雅之, 加藤勇

    第46回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   31a-YB-5  1999

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using The Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD((]G0004[))

    Yoshio Kawara, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-P2-8  1999

  • Study on fabrication method of a-Si : H/Si3N4 multilayer films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Masahiko Sagisaka, Syoji Kamigaichi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-D-7  1999

  • Influence of Substrate Temperature on a-Si : H Film in Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type MPCVD System

    Masayuki Usuta, Yuki Nakano, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YB-3  1999

  • Influence of Sheath Voltage on a-Si : H Film Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type MPCVD System.

    Yuki Nakano, Masayuki Usuta, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YB-5  1999

  • Fabrication of a-Si : H/Si3N4 multilayer by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Syoji Kamigaichi, Masahiko Sagisaka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   29a-YD-4  1999

  • Fabrication of Carbon thin films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Takashi Otsuka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-D-1  1999

  • Photoluminescence from a-Si : H Nanoball Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Tipe Microwave Plasma CVD system

    Isamu Kato, yoshio Kawara, O.P.Agnihotri

    Proceedings of the Tenth International Workshop on the Phisics of Semiconductor Devices   Ⅱ; PP.1107  1999

  • Influence of Hydrogen on Losses in Silicon Oxynitride Planar Optical Wavaguides

    B.S.Sabu, O.P.Agnihotri, S.C.Jain, R.Mertens, 加藤 勇

    Proceedings of the Tenth International Workshop on the Phisics of Semiconductor Devices   Ⅰ; PP.438  1999

  • a-SimaluH/Si3N4 multilayer films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System and its Application

    Masahiko Sagisaka, Syoji Kamigaichi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 60th Autumn Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics   30p-D-7  1999

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD (V)

    Yoshio Kawara, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 60th Autumn Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics   3p-ZN-17  1999

  • Fabrication of a-C : H films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Takashi Otsuka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 60th Autumn Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics   4a-L-11  1999

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using The Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD((]G0004[))

    Yoshio Kawara, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-P2-8  1999

  • Study on fabrication method of a-Si : H/Si3N4 multilayer films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Masahiko Sagisaka, Syoji Kamigaichi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-D-7  1999

  • Influence of Substrate Temperature on a-Si : H Film in Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type MPCVD System

    Masayuki Usuta, Yuki Nakano, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YB-3  1999

  • Influence of Sheath Voltage on a-Si : H Film Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type MPCVD System.

    Yuki Nakano, Masayuki Usuta, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-YB-5  1999

  • Fabrication of a-Si : H/Si3N4 multilayer by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Syoji Kamigaichi, Masahiko Sagisaka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   29a-YD-4  1999

  • Fabrication of Carbon thin films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Takashi Otsuka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-D-1  1999

  • Photo Luminescence from Si Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD Apparatus

    加藤 勇, 河原 吉男

    4th International Conference on Reactive Plasmas,16th Symposium on Plasma Processing and 51st Annual Gaseous Electronics Conference   EMP4.17  1998

  • Photo Luminescence from Si Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD Apparatus

    Isamu Kato, Yoshio Kawara

    4TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON REACTIVE PLASMAS AND 16TH SYMPOSIUM ON PLASMA PROCESSING Extended Abstracts   EMP4.17  1998

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料の研究(Ⅲ)

    河原吉男, 渡辺一博, 加藤勇

    第59回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   16p-ZE-16  1998

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置によるa-Si:H/SiN多層膜の作製

    上垣内岳司, 岩田直之, 加藤勇

    第59回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   15p-Z-6  1998

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置におけるシース電圧の制御

    岩田直之, 加藤勇

    第59回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   18a-ZC-8  1998

  • 縦磁界印加同軸線路形MPCVD装置において水素ガス流量がa-Si:H膜に与える影響

    臼田雅之, 加藤勇

    第59回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   15a-Q-3  1998

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したSi発光材料の研究((]G0003[))

    河原吉男, 渡辺一博, 加藤勇

    第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集   16p-ZE-16  1998

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置によるa-Si:H/SiN多層膜の作製

    上垣内岳司, 岩田直之, 加藤勇

    第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集   15a-Q-3  1998

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置におけるシース電圧の制御

    岩田直之, 加藤勇

    第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集   18a-ZC-8  1998

  • 縦磁界印加同軸線路形MPCVD装置においてH2ガス流量がa-Si:H膜に与える影響

    臼田雅之, 飯塚英孝, 森和彦, 加藤勇

    第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集   18a-ZC-8  1998

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD((]G0003[))

    Kawara Yoshio, Kazuhiko Iwata, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 59th Autumn Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics   16p-ZE-16  1998

  • Influence of H2 Flow Rate on a-Si : H Film in Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type MPCVD System

    Masayuki Usuta, Hidenori Izuka, Kazuhiko Mori, Isamu Kato

    Exterded Abstracts (The 59th Autumn Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics   18a-ZC-8  1998

  • Fabrication of a-Si : H/SiN multilayer films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Syoji Kamigaichi, Naoyuki Iwata, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 59th Autumn Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics   15p-Z-6  1998

  • Control of Sheath Voltage in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Masayuki Usuta, Hidenori Izuka, Kazuhiko Mori, Isamu Kato

    Extended Abstracts(the 59th Autumn Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics   18a-ZC-8  1998

  • Stabilization of Ar Plasma by Applying Longitudinal Magnetic Field

    加藤勇, 山岸俊浩, 森田義則, 神子太郎

    Electronics and Communications in Japan   81;3  1998

  • 磁界印可型同軸線路形MPCVD装置におけるH2/SiH4プラズマを用いたa-Si:H膜の作製

    臼田雅之, 飯塚英孝, 森和彦, 加藤勇

    第45回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   30-p-H-13  1998

  • 磁界印加型同軸線路形MPCVD装置におけるH2/SiH4プラズマを用いたa-Si:H膜の作製

    臼田雅之, 飯塚英孝, 森和彦, 加藤勇

    第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   30p-H-13  1998

  • a-Si:H膜成長中のイオン衝撃効果について(Ⅱ)

    岩田直之, 荻原博隆, 上垣内岳司, 加藤勇

    第45回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   30a-SYK-5  1998

  • a-Si:H膜成長中のイオン衝撃効果について(3)

    岩田直之, 荻原博隆, 上垣内岳司, 加藤勇

    第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   30a-SKY-5  1998

  • Si Luminescence Material Fabricated Using MPCVD Coaxial Line Type

    Nobuyuki Koshiji, Kazuhiro Watanabe, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1998/The 15nd Symposium on Plasma Processing   2B1-1  1998

  • Fabrication of a-Si : H film Using H2/SiH4 Plasma in Magnetic Field Applied Coaxial Line Type MPCVD System

    Masayuki Usui, Hidenori Izuka, Kazuhiko Mori, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 45th Spring Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-H-13  1998

  • Fabrication of a-Si : H Film Using H2/SiH4 Plasma by Longitudinal Magnetic Field Applied MPCVD System

    Masayuki Usui, Hidenori Izuka, Kazuhiko Mori, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 45th Spring Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30-p-H-13  1998

  • Effect of Bombardment During a-Si : H Film Growth

    Naoyuki Iwata, Hirotaka Ogiwara, Syoji Kamigaichi, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1998/The 14nd Symposium on Plasma Processing   1A3-1  1998

  • Si Luminescence Material Fabricated Using Coaxial Line Type MPCVD

    越路信行, 渡部一博, 加藤勇

    第15回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス/応用物理学会   2B1-1  1998

  • Fabrication of a-Si:H Film Using H2/SiH4 Plasma by Longitudinal Magnetic Field Applied MPCVD System

    飯塚英孝, 臼田雅之, 加藤勇

    第15回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス/応用物理学会   2C-42  1998

  • Effect of Ion Bombardment during a-si:H Film Growth

    荻原博隆, 岩田直之, 加藤勇

    第15回プラズマプロセッシング研究会プロシーディングス/応用物理学会   1A3-1  1998

  • Photo Luminescence from Si Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD Apparatus

    Isamu Kato, Yoshio Kawara

    4TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON REACTIVE PLASMAS AND 16TH SYMPOSIUM ON PLASMA PROCESSING Extended Abstracts   EMP4.17  1998

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD((]G0003[))

    Kawara Yoshio, Kazuhiko Iwata, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 59th Autumn Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics   16p-ZE-16  1998

  • Influence of H2 Flow Rate on a-Si : H Film in Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type MPCVD System

    Masayuki Usuta, Hidenori Izuka, Kazuhiko Mori, Isamu Kato

    Exterded Abstracts (The 59th Autumn Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics   18a-ZC-8  1998

  • Fabrication of a-Si : H/SiN multilayer films by Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Syoji Kamigaichi, Naoyuki Iwata, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 59th Autumn Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics   15p-Z-6  1998

  • Control of Sheath Voltage in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Masayuki Usuta, Hidenori Izuka, Kazuhiko Mori, Isamu Kato

    Extended Abstracts(the 59th Autumn Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics   18a-ZC-8  1998

  • Si Luminescence Material Fabricated Using MPCVD Coaxial Line Type

    Nobuyuki Koshiji, Kazuhiro Watanabe, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1998/The 15nd Symposium on Plasma Processing   2B1-1  1998

  • Fabrication of a-Si : H film Using H2/SiH4 Plasma in Magnetic Field Applied Coaxial Line Type MPCVD System

    Masayuki Usui, Hidenori Izuka, Kazuhiko Mori, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 45th Spring Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-H-13  1998

  • Fabrication of a-Si : H Film Using H2/SiH4 Plasma by Longitudinal Magnetic Field Applied MPCVD System

    Masayuki Usui, Hidenori Izuka, Kazuhiko Mori, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 45th Spring Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30-p-H-13  1998

  • Effect of Bombardment During a-Si : H Film Growth

    Naoyuki Iwata, Hirotaka Ogiwara, Syoji Kamigaichi, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1998/The 14nd Symposium on Plasma Processing   1A3-1  1998

  • 早大ハイテクリサーチセンター 第4プロジェクトフォトニクスと先端光子材料開発

    加藤勇

    科学新聞    1997

  • 縦磁界印加によるArプラズマの安定化

    加藤勇, 山岸俊浩, 森田義則, 神子太郎

    電子情報通信学会論文誌/電子情報通信学会   J80-C-Ⅱ;11  1997

  • Silicon Oxynitride Waveguides for Optoelectronic Integrated Circuits

    O.P.AGNIHOTRI, R.TYAGI, 加藤勇

    応用物理学会論文誌/応用物理学会   36;11  1997

    DOI

  • Stabilization of Ar Plasma by Applying Longitudinal Magnetic Field

    Isamu Kato, Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Motita, Taro Kamiko

    Jpn. J. Appl. Phys   J80-C-II/11,378-383  1997

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置における水素プラズマへの磁界印加の効果(Ⅱ)

    飯塚英孝, 臼田雅之, 加藤勇

    第58回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   4a-B-1  1997

  • a-Si:H膜成長中のイオン衝撃効果について(Ⅱ)

    荻原博隆, 岩田直之, 加藤勇

    第58回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   3p-YD-8  1997

  • 2重管式同軸線路型MPCVDを用いて作製したSi系発光材料の研究(Ⅱ)

    越路信行, 加藤勇

    第58回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   2P-A-10  1997

  • The STudy of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD((]G0002[))

    Nobuyuki Koshiji, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 58th Autumn Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics   2P-A-10  1997

  • Effect of Ion Bombardment during a-Si : H Film Growth((]G0002[))

    Hirotaka Ogiwara, Naoyuki Iwata, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 58th Autumn Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics   3p-YD-8  1997

  • Effect of Applying Magnetic Field to H2 Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Hidenori Izuka, Masayuki Usui, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 58th Autumn Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics   4a-B-1  1997

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置における水素プラズマへの磁界の効果

    飯塚英孝, 臼田雅之, 小柴博貫, 神子太郎, 加藤勇

    第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   29a-R-5  1997

  • 二重管式同軸線路形MPCVDを用いて作製したSi系発光材料の研究

    越路信行, 加藤勇

    第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   30p-B-15  1997

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がNプラズマに及ぼす効果(IV)

    神子太郎, 榎本貴幸, 加藤勇

    第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   29a-R-6  1997

  • 縦磁界印加によるArプラズマの安定化

    加藤勇, 山岸俊浩, 森田義則, 神子太郎

    電子情報通信学会論文誌   J80-C-II ( 11 ) 378 - 383  1997

  • エバネッセント波を用いた放電停止後の半導体極薄膜表面変化のその場観測

    竹沢永訓, 越路信行, 石田知則, 佐藤甲癸, 加藤勇

    第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   28a-ZG-4  1997

  • a-Si:H膜成長中のイオン衝撃効果について

    荻原博隆, 岩田直之, 加藤勇

    第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   30p-ZE-17  1997

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD

    Hirotaka Ogiwara, Naoyuki Iwata, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-B-15  1997

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0004[))

    Taro Kamiko, Takayuki Enomoto, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   29a-R-6  1997

  • Effects of Applying Magnetic Field to H2 Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Hideyuki Izuka, Masayuki Usui, Hironuki Koshiba, Taro Kamiko, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   29a-R-5  1997

  • Effect of Ion Bombardment during a-Si : H Film Growth

    Koshiji Nobuyuki, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-ZE-17  1997

  • Refractive Index Measurement of Silicon Thin Films Using Optical Waveguides

    竹沢永訓, 加藤勇, 野島信二

    応用物理学会論文誌/応用物理学会   36;2  1997

  • In-situ Measurement of Optical Constant of Ultra Thin Films Using Optical Fiber Sensor

    竹沢永訓, 加藤勇

    The International Society for Optical Engineering/The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers   2997-50  1997

  • Refractive Index Measurement of Silicon Thin Films Using Slab Optical Waveguides

    Naganori Takezawa, Isamu Kato, Shinji Nojiima

    Jpn. J. Appl. Phys   36/2,920-925  1997

    DOI

  • In situ Measurement of the Surface Change of Semiconductor Ultra Thin Films after Discharge Stop Using Evanescent Wave

    E.Takezawa, Isamu Kato

    The International Society for Optical Engineering/The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers   2997-50  1997

  • In situ Measurement of the Optical Constant of Ultra Thin Films Using Optical Fiber Sensor

    Naganori Takezawa, Isamu Kato

    SPIE Proceedings   2997/,355-361  1997

    DOI

  • Separation of Film Surface Heating Effect and Ion Implanting Effect

    荻原博隆, 飯塚英孝, 越路信行, 加藤勇

    3rd International Conference on Reactive Plasmas. 14th Symposium on Plasma Processing   IV-a-6  1997

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type of Micro Wave Plasma(IV)

    神子太郎, 森田義則, 安藤維彦, 加藤勇

    3rd International Conference on Reactive Plasmas,14th Symposium on Plasma Processing   P3-12  1997

  • In situ Measurement of Change of Ultra Thin Films in Elapsed Time Using Optical Fiber sensors

    竹沢永訓, 越路信行

    3rd International Conference on Reactive Plasmas,14th Symposium on Plasma Processing   P1-33  1997

  • Fabrication of SiN Film by Using Coaxal Line Type MPCVD System with Longitudinal Magnetic Field

    応萱同, 森田義則, 神子太郎, 加藤勇

    3rd International Conference on Reactive Plasmas,14th Symposium on Plasma Processing   P1-31  1997

  • Silicon Oxynitride Waveguides for Optoelectronic Integrated Circuits

    O.P.AGNIHOTRI, R.TYAGI, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys   36 ( 11 ) 6711 - 6713  1997

    DOI

  • Stabilization of Ar Plasma by Applying Longitudinal Magnetic Field

    Isamu Kato, Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Motita, Taro Kamiko

    Jpn. J. Appl. Phys   J80-C-II/11,378-383  1997

  • The STudy of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD((]G0002[))

    Nobuyuki Koshiji, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 58th Autumn Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics   2P-A-10  1997

  • Effect of Ion Bombardment during a-Si : H Film Growth((]G0002[))

    Hirotaka Ogiwara, Naoyuki Iwata, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 58th Autumn Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics   3p-YD-8  1997

  • Effect of Applying Magnetic Field to H2 Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Hidenori Izuka, Masayuki Usui, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 58th Autumn Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics   4a-B-1  1997

  • The Study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD

    Hirotaka Ogiwara, Naoyuki Iwata, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-B-15  1997

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0004[))

    Taro Kamiko, Takayuki Enomoto, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   29a-R-6  1997

  • Effects of Applying Magnetic Field to H2 Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    Hideyuki Izuka, Masayuki Usui, Hironuki Koshiba, Taro Kamiko, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   29a-R-5  1997

  • Effect of Ion Bombardment during a-Si : H Film Growth

    Koshiji Nobuyuki, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-ZE-17  1997

  • Refractive Index Measurement of Silicon Thin Films Using Slab Optical Waveguides

    Naganori Takezawa, Isamu Kato, Shinji Nojiima

    Jpn. J. Appl. Phys   36/2,920-925  1997

    DOI

  • In situ Measurement of the Surface Change of Semiconductor Ultra Thin Films after Discharge Stop Using Evanescent Wave

    E.Takezawa, Isamu Kato

    The International Society for Optical Engineering/The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers   2997-50  1997

  • In-situ measurement of the optical constant of ultrathin films using optical fiber sensor

    Naganori Takezawa, Isamu Kato

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering   2997   355 - 361  1997

     View Summary

    We use an optical fiber sensor whose part of clad is removed for the optical constants of ultra thin film measurement. The sensitivity of the sensor is increased by decreasing the diameter of the optical fiber and/or increasing the length of the film deposited part. The result of the in situ measurement method of change of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) ultra thin films by oxidation with passage of time by leaking from vacuum to atmospheric air is shown. We use an optical fiber sensor whose length of the film deposited part is 100 mm, diameter of the core is 110 μm and the core material is silica. a-Si:H film with approximately 10 nm in thickness is deposited on the core of the optical fiber sensor. The oxidation saturates in approximately 600 s. The larger attenuation of transmitted light at the long wavelengths from 685 to 800 nm is observed. This phenomenon is maybe due to the change of defects by relaxation. ©2004 Copyright SPIE - The International Society for Optical Engineering.

    DOI

  • Silicon Oxynitride Waveguides for Optoelectronic Integrated Circuits

    O.P.AGNIHOTRI, R.TYAGI, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys   36 ( 11 ) 6711 - 6713  1997

    DOI

  • Simulation of Coaxial Line Type Microwave Plasma((]G0003[))

    Hidenori Izuka, Taro Kamiko, Yoshinori Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   7p-KE-8  1996

  • Photoluminescence of a-Si-H films in MPCVD((]G0002[))

    Nobuyuki Koshiji, Hirotaka Ogiwara, K.Sato, Katsuyuki Utaka,and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   8p-ZR-17  1996

  • In situ Measurement of the Surface Change of Semiconductor Ultra Thin Films after Leak Using Evanescent Wave

    Naganori Takezawa, Nobuyuki Koshiji, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   7a-A-1  1996

  • Fabrication of SiN Films by Using Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System with Longitudinal Magnetic Field

    Yoshinori Morita, Taro Kamiko, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   9a-ZQ-11  1996

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0003[))

    Taro Kamiko, Yoshinori Morita, Tsuguhiko Ando, Naganori Takezawa, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   7p-C-15  1996

  • Effect of Ion Bombardment on Film Properties of a-Si : H in MPCVD

    Hirotaka Ogiwara, Nobuyuki Koshiji, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   9a-ZQ-6  1996

  • Characteristics of Coaxial Line type Microwave H2 Plasma

    Hidenori Izuka, Taro Kamiko, Yoshinori Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   7p-C-16  1996

  • 同軸線路形マイクロ波プロズマのシュミレーション(3)

    安藤維彦, 神子太郎, 森田義則, 加藤勇

    第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集   7p-KE-8  1996

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマ発生装置の基礎特性

    飯塚英孝, 神子太郎, 森田義則, 加藤勇

    第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集   7p-C-16  1996

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がN2プラズマに及ぼす効果(3)

    神子太郎, 森田義則, 安藤維彦, 竹沢永訓, 加藤勇

    第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集   7p-C-15  1996

  • 縦磁界印加同軸線路形マイクロ波デバイスCVDによるSiN膜の作製

    森田義則, 神子太郎, 加藤勇

    第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集   9a-ZQ-11  1996

  • エバネッセント波を用いたリーク後の半導体極薄膜表面変化のその場観測

    竹沢永訓, 越路信行, 佐藤甲癸, 加藤勇

    第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集   7a-A-1  1996

  • MPCVDにおけるa-Si:H膜質に与えるイオン衝撃の効果

    荻原博隆, 越路信行, 加藤勇

    第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集   9a-ZQ-6  1996

  • MPCVDにおけるa-Si:H膜のフォトルミネッセンス(2)

    越路信行, 荻原博隆, 佐藤甲癸, 宇高勝之, 加藤勇

    第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集   8p-ZR-17  1996

  • 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVDにおけるN2/SiH4プラズマのパラメータの空間分布

    加藤勇, 下田毅, 山岸俊浩

    電気学会論文誌/電気学会   116-A;7  1996

    DOI

  • 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVDにおけるN2/SiH4プラズマのパラメータの空間分布

    加藤勇, 下田毅, 山岸俊浩

    電気学会論文誌   116-A ( 7 ) 617 - 622  1996

    DOI

  • Spatial Distribution of Plasma Paramerter in N2/SiH4 Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System

    Isamu Kato, Tsuyoshi Shimoda, Yamagishi Toshihiro

    The International Society for Optical Engineering   116-A/7,617-622  1996

    DOI

  • RFバイアス印加同軸線路形マイクロ波プラズマCVDによるSiN膜の低温作製

    森田義則, 加藤勇, 中嶋達司

    電子情報通信学会論文誌/電子情報通信学会   J79-C-II;6  1996

  • RFバイアス印加同軸線路形マイクロ波プラズマCVDによるSiN膜の低温作製

    森田義則, 加藤勇, 中嶋達司

    電子情報通信学会論文誌   J79-C-II ( 6 ) 303 - 310  1996

  • Fabrication of SiN Films at Low Temperature Using RF Biased Coaxial-Line Type Microwave Plasma CVD

    Yoshinori Morita, Isamu Kato, Tatsuji Nagajima

      J79-C-II/6,303-310  1996

  • Dependence of Plasma Parameters on Electric Potential of Electrode in Microwave Plasma

    Yoshinori Morita, Isamu Kato, Tatsuji Nagajima

    Electronics and Communications in Japan   79/5,58-65  1996

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Ultrathin Films Using Optical Waveguides

    竹沢永訓, 加藤勇

    応用物理学会論文誌/応用物理学会   35-5A  1996

  • Dependence of Plasma Parameters on Electric Potential of Electrode in Microwave Plasma

    加藤勇, 松下亨, 山下真

    電子情報通信学会論文誌/電子情報通信学会   79;5  1996

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Ultrathin Films Using Optical Waveguide

    Naganori Takezawa, Isamu Kato

    Jpn.J.Appl.Phys.   35 ( 5A ) 2826 - 2832  1996

    DOI

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Ultra Thin Films Using Optical Fibers

    Naganori Takezawa, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   35 ( 5A ) 2826 - 2832  1996

    DOI

  • Dependence of Plasma Parameters on Electric Potential of Electrode in Microwave Plasma

    Isamu Kato, Toshiyuki Yoneda, Toru Matsushita, Makoto Yamashita

    Jpn.J.Appl.Phys.   J79-C-II/1,1-7  1996

  • 無イオン衝撃作製のa-Si:H膜質の基板温度依存性

    荻原博隆, 山下真, 飯塚英孝, 越路信行, 加藤勇

    第43回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   26a-STF-13  1996

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマのシミュレーション(II)

    安藤維彦, 山岸俊浩, 神子太郎, 森田義則, 加藤勇

    第43回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   28p-B-4  1996

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がN2プラズマに及ぼす効果(II)

    神子太郎, 山岸俊浩, 森田義則, 加藤勇

    第43回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   28a-SZM-14  1996

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がArプラズマに及ぼす影響(IV)

    山岸俊浩, 神子太郎, 森田義則, 加藤勇

    第43回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   28a-SZM-15  1996

  • 窒素ガス流量がSiN膜の膜特性に与える影響(II)

    森田義則, 加藤勇

    第43回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   26a-STF-28  1996

  • 光ファイバーを用いた半導体薄膜の光学的エネルギーギャップの測定

    竹沢永訓, 佐藤甲癸, 加藤勇

    第43回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   27a-STF-7  1996

  • MPCVD法によって作製されたa-Si:H膜のフォトルミネッセンス

    野島信二, 山下真, 林錫梹, 加藤勇

    第43回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会   27a-TC-5  1996

  • Simulation of Coaxial Line Type Microwave Plasma((]G0002[))

    Tsuguhiko Ando, Toshihiro Yamagishi, Taro Kamiko, Yoshinori Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28p-B-4  1996

  • Photoluminescence of a-Si : H films fabricated by MPCVD

    Shinji Nojima, Makoto, Yamashita,H.Hayashi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   27a-TC-5  1996

  • Influence of N2 Gas Flow Rate on Film Properties of SiN Film((]G0002[))

    Hirotaka Ogiwara, Makoto Yamashita, Hidenori Izuka, Nobuyuki Tsukaji, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   26a-STF-28  1996

  • Influence of Applying Magnetic Field to Ar Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Taro Kamiko, Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-SZM-14  1996

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD(System((]G0002[))

    Toshihiro Yamagishi, Taro Kamiko, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-SZM-15  1996

  • Dependence of Film Properties of a-Si : H fabricated without Ion Bombardment on Substrate Temperature

    Hirotaka Ogiwara, Nobuyuki Koshiji, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   26a-STF-13  1996

  • マイクロ波プラズマ中に設置した電極の電位がプラズマパラメータに与える影響

    加藤勇, 松下亨, 山下真

    電子情報通信学会論文誌/電子情報通信学会   J79-C-II;1  1996

  • マイクロ波プラズマ中に設置した電極の電位がプラズマパラメータに与える影響

    加藤勇, 松下亨, 山下真

    電子情報通信学会論文誌   J79-C-II ( 1 ) 1 - 7  1996

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type Microwave Plasma(III)

    山岸俊浩, 神子太郎, 森田義則, 加藤勇

    第13回プラズマプロセシング研究会プロシーディングス/応用物理学会   1A1-4  1996

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type Microwave Plasma (II)

    神子太郎, 山岸俊浩, 森田義則, 加藤勇

    第13回プラズマプロセシング研究会プロシーディングス/応用物理学会   2C-C  1996

  • Film Deposition under Control of Sheath Voltage on the Film Surface in MPCVD Apparatus

    山下真, 荻原博隆, 加藤勇

    第13回プラズマプロセシング研究会プロシーディングス/応用物理学会   1B3-3  1996

  • Infuence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coxial Line Type Microwave Prasma((]G0003[))

    Toshihiro Yamagishi, Taro Kamiko, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1996/The 12nd Symposium on Plasma Processing   2C-C/,175-178  1996

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type Microwave Plasma((]G0002[))

    Taro Kamiko, Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1996/The 12nd Symposium on Plasma Processing   1A-4/,13-16  1996

  • Film Deposition under Control of Sheath Voltage on the Film Surface in MPCVD Apparatus

    Makoto Yamashita, Hirotaka Ogiwara, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1996/The 12nd Symposium on Plasma Processing   1B3-3/,109-112  1996

  • Simulation of Coaxial Line Type Microwave Plasma((]G0003[))

    Hidenori Izuka, Taro Kamiko, Yoshinori Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   7p-KE-8  1996

  • Photoluminescence of a-Si-H films in MPCVD((]G0002[))

    Nobuyuki Koshiji, Hirotaka Ogiwara, K.Sato, Katsuyuki Utaka,and, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   8p-ZR-17  1996

  • In situ Measurement of the Surface Change of Semiconductor Ultra Thin Films after Leak Using Evanescent Wave

    Naganori Takezawa, Nobuyuki Koshiji, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   7a-A-1  1996

  • Fabrication of SiN Films by Using Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System with Longitudinal Magnetic Field

    Yoshinori Morita, Taro Kamiko, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   9a-ZQ-11  1996

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0003[))

    Taro Kamiko, Yoshinori Morita, Tsuguhiko Ando, Naganori Takezawa, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   7p-C-15  1996

  • Effect of Ion Bombardment on Film Properties of a-Si : H in MPCVD

    Hirotaka Ogiwara, Nobuyuki Koshiji, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   9a-ZQ-6  1996

  • Characteristics of Coaxial Line type Microwave H2 Plasma

    Hidenori Izuka, Taro Kamiko, Yoshinori Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics   7p-C-16  1996

  • Spatial Distribution of Plasma Paramerter in N2/SiH4 Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System

    Isamu Kato, Tsuyoshi Shimoda, Yamagishi Toshihiro

    The International Society for Optical Engineering   116-A/7,617-622  1996

    DOI

  • Fabrication of SiN Films at Low Temperature Using RF Biased Coaxial-Line Type Microwave Plasma CVD

    Yoshinori Morita, Isamu Kato, Tatsuji Nagajima

      J79-C-II/6,303-310  1996

  • Dependence of Plasma Parameters on Electric Potential of Electrode in Microwave Plasma

    Yoshinori Morita, Isamu Kato, Tatsuji Nagajima

    Electronics and Communications in Japan   79/5,58-65  1996

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Ultrathin Films Using Optical Waveguide

    Naganori Takezawa, Isamu Kato

    Jpn.J.Appl.Phys.   35 ( 5A ) 2826 - 2832  1996

    DOI

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Ultra Thin Films Using Optical Fibers

    Naganori Takezawa, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   35 ( 5A ) 2826 - 2832  1996

    DOI

  • Dependence of Plasma Parameters on Electric Potential of Electrode in Microwave Plasma

    Isamu Kato, Toshiyuki Yoneda, Toru Matsushita, Makoto Yamashita

    Jpn.J.Appl.Phys.   J79-C-II/1,1-7  1996

  • Simulation of Coaxial Line Type Microwave Plasma((]G0002[))

    Tsuguhiko Ando, Toshihiro Yamagishi, Taro Kamiko, Yoshinori Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28p-B-4  1996

  • Photoluminescence of a-Si : H films fabricated by MPCVD

    Shinji Nojima, Makoto, Yamashita,H.Hayashi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   27a-TC-5  1996

  • Influence of N2 Gas Flow Rate on Film Properties of SiN Film((]G0002[))

    Hirotaka Ogiwara, Makoto Yamashita, Hidenori Izuka, Nobuyuki Tsukaji, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   26a-STF-28  1996

  • Influence of Applying Magnetic Field to Ar Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Taro Kamiko, Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-SZM-14  1996

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD(System((]G0002[))

    Toshihiro Yamagishi, Taro Kamiko, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-SZM-15  1996

  • Dependence of Film Properties of a-Si : H fabricated without Ion Bombardment on Substrate Temperature

    Hirotaka Ogiwara, Nobuyuki Koshiji, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 43th Spring Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   26a-STF-13  1996

  • Infuence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coxial Line Type Microwave Prasma((]G0003[))

    Toshihiro Yamagishi, Taro Kamiko, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1996/The 12nd Symposium on Plasma Processing   2C-C/,175-178  1996

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type Microwave Plasma((]G0002[))

    Taro Kamiko, Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1996/The 12nd Symposium on Plasma Processing   1A-4/,13-16  1996

  • Film Deposition under Control of Sheath Voltage on the Film Surface in MPCVD Apparatus

    Makoto Yamashita, Hirotaka Ogiwara, Isamu Kato

    Plasma Science Symposium 1996/The 12nd Symposium on Plasma Processing   1B3-3/,109-112  1996

  • Refractive indices of a-Si : H films by double-tubed coaxial line type MPCVD at Long Wave Length Region

    Shinji Nojima, Makoto Yamashita, Kazushike Horita, Katsuyuki Utaka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   26a-SP-24  1995

  • Measurement of infrared absorption spectrum in thin a-SiH films using an optical waveguide

    Kazushige Horita, Naganori Kakezawa, Shinji Nojima, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   27a-N-3  1995

  • Infuence of Applying Magnetic Field to Ar Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0003[))

    Toshihiro Yamagishi, Taro Kamiko, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   27p-M-9  1995

  • Effects of RF Bias on Microwave Plasma

    Kazuyoshi Morita, Tatsuji Nakajima, Toshihiro Yamagisi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   28a-ZD-8  1995

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System

    Taro Kamiko, Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   27p-M-10  1995

  • Control of Ion Bombardment Energy in MPCVD

    Makoto Yamashita, Hirotaka Ogiwara, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   28a-ZD-7  1995

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマのシミュレーション

    和井田祐一, 山岸俊浩, 森田義則, 神子太郎, 加藤勇

    第56回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   27a-K-3  1995

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がN2プラズマに及ぼす影響

    神子太郎, 山岸俊浩, 森田義則, 加藤勇

    第56回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   27p-M-10  1995

  • 同軸線路形MPCVDにおいて印加磁界がArプラズマに及ぼす影響(III)

    山岸俊浩, 森田義則, 神子太郎, 加藤勇

    第56回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   27p-M-9  1995

  • 光導波路を用いたa-Si:H薄膜の赤外吸収スペクトル測定

    堀田和重, 竹沢永訓, 野島信二, 佐藤甲癸, 加藤勇

    第56回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   27a-N-3  1995

  • マイクロ波プラズマにおけるRFバイアス印加効果

    森田義則, 中嶋達司, 山岸俊浩, 加藤勇

    第56回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   28a-ZD-8  1995

  • MPCVDにおけるイオン衝撃エネルギーの制御

    山下真, 荻原博隆, 加藤勇

    第56回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   28a-ZD-7  1995

  • 2重管式同軸線路形MPCVDによるa-Si:H膜の長波長帯における屈折率測定

    野島信二, 山下真, 堀田和重, 宇高勝之, 加藤勇

    第56回応用物理学会学術講演会/応用物理学会   26a-SP-24  1995

  • マイクロ波プラズマCVDにおけるラジカル種の制御

    加藤勇, 米田俊之, 松下亨, 山下真

    電子情報通信学会論文誌/電子情報通信学会   J78-C-II;4  1995

  • Control of Radical Species in Microwave Plasma CVD

    Isamu Kato, Toshiyuki Yoneda, Toru Matsushita, Makoto Yamashita

    Jpn.J.Appl.Phys.   J78-C-II/4,142-148  1995

  • 半導体膜装荷時の光導波路における透過率の装荷膜厚依存性

    竹沢永訓, 堀田和重, 野島信二, 佐藤甲癸, 加藤勇

    電子情報通信学会   C-269  1995

  • 内管の電位がプラズマパラメータと膜質に与える影響

    山下真, 松下亨, 荻原博隆, 田中幹朗, 加藤勇

    応用物理学会   (]G0001[)B07/,67-70  1995

  • マイクロ波プラズマCVDにおけるラジカル種の制御

    加藤勇, 米田俊之, 松下亨, 山下真

    電子情報通信学会論文誌   J78-C-II ( 4 ) 142 - 148  1995

  • スラブ光導波路を用いた装荷薄膜の屈折率測定

    野島信二, 竹沢永訓, 堀田和重, 加藤勇

    電子情報通信学会   C-270  1995

  • RFバイアス印加同軸線路形MPCVDによるSiN膜の作製

    森田義則, 中嶋達司, 相川満男, 加藤勇

    第42回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   31a-E-7  1995

  • MPCVDにおける内管の電位が膜質に与える影響

    山下真, 松下亨, 荻原博隆, 田中幹朗, 加藤勇

    第42回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   30p-L-9  1995

  • Influence of Applying Magnetic Field to Ar Plama in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Toshihiro Yamajishi, Kazuyoshi Morita, Taro Kamiko, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 42th Spring Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-TE-1  1995

  • Fabrication of SiN Films by Using RF Biased Coaxial Line Type MPCVD

    Kazuyoshi Morita, Tatsuji Nakajima, Mitsuo Aikawa, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 42th Spring Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-E-7  1995

  • Dependence of Film Properties on Electric Potential of Inner Tube in MPCVD

    Toru Matsushita, Makoto Yamashita, Hirotaka Ogiwara, Mikiro Tanaka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 42th Spring Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-L-9  1995

  • Refractive Index Measurement of MPCVD Thin Films Using Slab Wave Guide

    Shinji Nojima, Naganori Takezawa, Kazushige Horita, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   (]G0002[)c35/,325-328  1995

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type Microwave

    Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Motita, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   (]G0001[)A06/,43-46  1995

  • Fabrication of SiN Film By Using MpCVD System with Longitudinal Magnetic Field

    Kenichi Hiraki, Kazuyoshi Morita, Toshihiro Yamagishi, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   (]G0003[)B07/,497-500  1995

  • Dependence of Plasma Parameters and Film Properties on Electric Potential of Inner Tube

    Makoto Yamashita, Toru Matsushita, Hirotaka Ogiwara, Mikiro Tanaka, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   (]G0001[)B07/,67-70  1995

  • Refractive indices of a-Si : H films by double-tubed coaxial line type MPCVD at Long Wave Length Region

    Shinji Nojima, Makoto Yamashita, Kazushike Horita, Katsuyuki Utaka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   26a-SP-24  1995

  • Measurement of infrared absorption spectrum in thin a-SiH films using an optical waveguide

    Kazushige Horita, Naganori Kakezawa, Shinji Nojima, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   27a-N-3  1995

  • Infuence of Applying Magnetic Field to Ar Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0003[))

    Toshihiro Yamagishi, Taro Kamiko, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   27p-M-9  1995

  • Effects of RF Bias on Microwave Plasma

    Kazuyoshi Morita, Tatsuji Nakajima, Toshihiro Yamagisi, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   28a-ZD-8  1995

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System

    Taro Kamiko, Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Morita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   27p-M-10  1995

  • Control of Ion Bombardment Energy in MPCVD

    Makoto Yamashita, Hirotaka Ogiwara, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 56th Autumn Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics   28a-ZD-7  1995

  • Control of Radical Species in Microwave Plasma CVD

    Isamu Kato, Toshiyuki Yoneda, Toru Matsushita, Makoto Yamashita

    Jpn.J.Appl.Phys.   J78-C-II/4,142-148  1995

  • Influence of Applying Magnetic Field to Ar Plama in Coaxial Line Type MPCVD System((]G0002[))

    Toshihiro Yamajishi, Kazuyoshi Morita, Taro Kamiko, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 42th Spring Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   28a-TE-1  1995

  • Fabrication of SiN Films by Using RF Biased Coaxial Line Type MPCVD

    Kazuyoshi Morita, Tatsuji Nakajima, Mitsuo Aikawa, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 42th Spring Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   31a-E-7  1995

  • Dependence of Film Properties on Electric Potential of Inner Tube in MPCVD

    Toru Matsushita, Makoto Yamashita, Hirotaka Ogiwara, Mikiro Tanaka, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 42th Spring Meeting, 1995) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies   30p-L-9  1995

  • Refractive Index Measurement of MPCVD Thin Films Using Slab Wave Guide

    Shinji Nojima, Naganori Takezawa, Kazushige Horita, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   (]G0002[)c35/,325-328  1995

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type Microwave

    Toshihiro Yamagishi, Kazuyoshi Motita, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   (]G0001[)A06/,43-46  1995

  • Fabrication of SiN Film By Using MpCVD System with Longitudinal Magnetic Field

    Kenichi Hiraki, Kazuyoshi Morita, Toshihiro Yamagishi, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   (]G0003[)B07/,497-500  1995

  • Dependence of Plasma Parameters and Film Properties on Electric Potential of Inner Tube

    Makoto Yamashita, Toru Matsushita, Hirotaka Ogiwara, Mikiro Tanaka, Isamu Kato

    Jpn J Appl Phys   (]G0001[)B07/,67-70  1995

  • プラズマCVD法におけるDCバイアスと基板テーブル面積のSiH結合量への影響

    加藤勇, 米田俊之, 松下亨

    電気学会論文誌   114-A ( 10 ) 718 - 722  1994

    DOI

  • Influence of DC Bias and Area of Substrate Table on Concentration of SiH in Plasma CVD Method

    Isamu Kato, Toshiyuki Yoneda, Toru Matsushita

    Jpn. J. Appl. Phys.   114-A/10,718-722  1994

    DOI

  • プラズマCVDによって作製されたa-Si:H膜に与えるイオン衝撃の影響

    加藤勇, 米田俊之, 松下亨

    電子情報通信学会論文誌   J77-C-II ( 9 ) 384 - 391  1994

  • Refractive Index Measurement of Thin Films Using a Slab Waveguide

    Naganori Takezawa, Shinji Nojima, Kazushige Horita, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-A-14  1994

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Ultra Thin Films Using a Slab Waveguide((]G0003[))

    Naganori Takezawa, Kazushige Horita, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-A-12  1994

  • Influence of N2 Gas Flow Rate on Film Properties of Sin Film

    Yoshinori Morita, Tatsuji Nakashima, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-N-13  1994

  • Influence of Ion Bombardment on A-Si : H Films Fabricated by Plasma CVD

    Isamu Kato, Toshiyuki Yoneda, Toru Matsushita

    Jpn. J. Appl. Phys.   J77-C-II/9,384-391  1994

  • Influence of Applying Magnetic Field to Ar Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System

    Toshihiro Yamagiji, Kazunori Morita, Eiji Honma, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   19p-ZV-15  1994

  • Fabrication of a-Si : H Film by MPCVD System with Longitudinal Magnetic Field

    Makoto Yamashita, Toru Matsusita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   20p-ZH-12  1994

  • Dependence on Properties of SiN Films on End Position of Inner Tube in Double Tube Coaxial Line Type MPCVD System

    Isamu Kato, Kazutomi Mori, K.Sato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-N-12  1994

  • Dependence of the Film Properties of a-Si : H on Substrate Temperature in MPCVD

    Toru Matsusita, Makoto Yamashita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   20p-ZH-9  1994

  • Analysis of Oscillation of Transmittance on Slab Waveguide with Semiconductor Thin Films

    Kazushige Horita, Naganori Takezawa, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-A-13  1994

  • Removal Conditions of Films Deposited on Probe Surface

    Isamu Kato, Tsuyoshi Shimoda, Toshihiro Yamagishi

    Jpn. J. Appl. Phys.   33 ( 6A ) 3586 - 3589  1994

    DOI

  • Removal Condition of Films Deposited on Probe Surface

    Isamu Kato, Tsuyoshi Shimoda, Toshihiro Yamagishi

    Jpn. J. Appl. Phys.   33 ( 6A ) 3586 - 3589  1994

    DOI

  • マイクロ波プラズマにおけるDCバイアスと基板テーブル面積のプラズマパラメータへの影響

    加藤勇, 米田俊之

    電気学会論文誌   114-A ( No.5 ) 375 - 380  1994

    DOI

  • 平板光導波路を用いた半導体極薄膜の光学エネルギーギャップの測定(3)

    竹沢永訓, 堀田和重, 佐藤甲癸, 加藤勇

    第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集   21p-A-12  1994

  • 平板光導波路を用いた薄膜の屈折率の測定

    竹沢永訓, 野島信二, 堀田和重, 佐藤甲癸, 加藤勇

    第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集   21p-A-14  1994

  • 半導体薄膜装荷平板光導波路における透過率の振動の解析

    堀田和重, 竹沢永訓, 佐藤甲癸, 加藤勇

    第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集   21p-A-13  1994

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置におけるトiN膜の膜質の内管端位置依存性

    中島達司, 森田義則, 平木健一, 加藤勇

    第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集   21p-N-12  1994

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がArプラズマに及ぼす影響

    山岸俊浩, 森田義則, 本間英二, 加藤勇

    第55回応用物理学会学術講演会予稿集   19p-ZV-15  1994

  • 窒素ガス流量がSiN膜の膜特性に与える影響

    森田義則, 中島達司, 加藤勇

    第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集   21p-N-13  1994

  • 縦方向磁界印加MPCVD装置によるa-Si:H膜の作製

    山下真, 松下亨, 加藤勇

    第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集   20p-ZH-12  1994

  • MPCVDにおけるa-Si:Hの膜質の基板温度依存性

    松下亨, 山下真, 加藤勇

    第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集   20p-ZH-9  1994

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Films using an Optical Waveguide

    Naganori Takezawa, Kazushige Horita, K.Sato, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasmas(ICRP)   Xc-17/,689-692  1994

  • METHOD OF PROBE MEASUREMENT IN N-2/SIH4 MICROWAVE PLASMA

    KATO, I, T SAKAMOTO, T SHIMODA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   33 ( 1A ) 307 - 310  1994.01

     View Summary

    It has been clarified that probe current decreases linearly with increasing deposition time of a SiN film on a probe. From this result, a probe current-voltage characteristic without any deposition of the SiN film can be extrapolated from some probe current-voltage characteristics of different deposition times of the SiN film. It has been clarified that the 450 Angstrom SiN film deposited on the probe can be removed by ion bombardment with -200 V applied to the probe for 220 s in the pure N-2 plasma (T-e is-approximately-equal-to 13,000 K, n(e) is-approximately-equal-to 5.0 x 10(9) cm(-3)). By repeating these two methods, it is clear that repeated ordinary probe measurement is possible in the N-2/SiH4 plasma. By using this method, the spatial distributions of electron temperature and electron density are measured in the N-2/SiH4 plasma in the deposition chamber of a double-tubed coaxial-line type microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system.

    DOI

  • High Rate Deposition of a-Si : H Films by Coaxial Line Type MPCVD System

    Toshihiro Yamagiji, Kazunori Morita, Eiji Honma, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasmas(ICRP)   Xc-3/,633-636  1994

  • Fabrication of SiN Films on Magnetic Tape For Protective Film by Coaxial Line Type MPCVD System

    Yoshinori Morita, Tatsuji Nakashima, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasms(ICRP)   Xc-9/,657-660  1994

  • Influence of DC Bias and Area of Substrate Table on Concentration of SiH in Plasma CVD Method

    Isamu Kato, Toshiyuki Yoneda, Toru Matsushita

    Jpn. J. Appl. Phys.   114-A/10,718-722  1994

    DOI

  • Refractive Index Measurement of Thin Films Using a Slab Waveguide

    Naganori Takezawa, Shinji Nojima, Kazushige Horita, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-A-14  1994

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Ultra Thin Films Using a Slab Waveguide((]G0003[))

    Naganori Takezawa, Kazushige Horita, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-A-12  1994

  • Influence of N2 Gas Flow Rate on Film Properties of Sin Film

    Yoshinori Morita, Tatsuji Nakashima, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-N-13  1994

  • Influence of Ion Bombardment on A-Si : H Films Fabricated by Plasma CVD

    Isamu Kato, Toshiyuki Yoneda, Toru Matsushita

    Jpn. J. Appl. Phys.   J77-C-II/9,384-391  1994

  • Influence of Applying Magnetic Field to Ar Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System

    Toshihiro Yamagiji, Kazunori Morita, Eiji Honma, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   19p-ZV-15  1994

  • Fabrication of a-Si : H Film by MPCVD System with Longitudinal Magnetic Field

    Makoto Yamashita, Toru Matsusita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   20p-ZH-12  1994

  • Dependence on Properties of SiN Films on End Position of Inner Tube in Double Tube Coaxial Line Type MPCVD System

    Isamu Kato, Kazutomi Mori, K.Sato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-N-12  1994

  • Dependence of the Film Properties of a-Si : H on Substrate Temperature in MPCVD

    Toru Matsusita, Makoto Yamashita, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   20p-ZH-9  1994

  • Analysis of Oscillation of Transmittance on Slab Waveguide with Semiconductor Thin Films

    Kazushige Horita, Naganori Takezawa, K.Sato, Isamu Kato

    Extended Abstracts(The 55th Autumn Meeting, 1994) ; The Japan Society of Applied Physics   21p-A-13  1994

  • Removal Conditions of Films Deposited on Probe Surface

    Isamu Kato, Tsuyoshi Shimoda, Toshihiro Yamagishi

    Jpn. J. Appl. Phys.   33 ( 6A ) 3586 - 3589  1994

    DOI

  • Removal Condition of Films Deposited on Probe Surface

    Isamu Kato, Tsuyoshi Shimoda, Toshihiro Yamagishi

    Jpn. J. Appl. Phys.   33 ( 6A ) 3586 - 3589  1994

    DOI

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Films using an Optical Waveguide

    Naganori Takezawa, Kazushige Horita, K.Sato, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasmas(ICRP)   Xc-17/,689-692  1994

  • METHOD OF PROBE MEASUREMENT IN N-2/SIH4 MICROWAVE PLASMA

    KATO, I, T SAKAMOTO, T SHIMODA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   33 ( 1A ) 307 - 310  1994.01

     View Summary

    It has been clarified that probe current decreases linearly with increasing deposition time of a SiN film on a probe. From this result, a probe current-voltage characteristic without any deposition of the SiN film can be extrapolated from some probe current-voltage characteristics of different deposition times of the SiN film. It has been clarified that the 450 Angstrom SiN film deposited on the probe can be removed by ion bombardment with -200 V applied to the probe for 220 s in the pure N-2 plasma (T-e is-approximately-equal-to 13,000 K, n(e) is-approximately-equal-to 5.0 x 10(9) cm(-3)). By repeating these two methods, it is clear that repeated ordinary probe measurement is possible in the N-2/SiH4 plasma. By using this method, the spatial distributions of electron temperature and electron density are measured in the N-2/SiH4 plasma in the deposition chamber of a double-tubed coaxial-line type microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system.

    DOI

  • High Rate Deposition of a-Si : H Films by Coaxial Line Type MPCVD System

    Toshihiro Yamagiji, Kazunori Morita, Eiji Honma, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasmas(ICRP)   Xc-3/,633-636  1994

  • Fabrication of SiN Films on Magnetic Tape For Protective Film by Coaxial Line Type MPCVD System

    Yoshinori Morita, Tatsuji Nakashima, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasms(ICRP)   Xc-9/,657-660  1994

  • Optical Energy Gap Measurement of Plasma chemical Vapor Deposition Very Thin Films Using Evanescent Wave

    Naganori Takezawa, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   32,2/10A,L1474-L1476  1993

  • Removal Conditions of Films Deposited on Probe

    Tadashi Sakamoto, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasmas(ICRP)   VIIb-9/,179-182  1993

  • Ion Bombertment Effects Under MPCVD of a-Si : H Film

    Takashi Go, Masataka Kato, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   V-4/,97-100  1993

  • Optical Energy Gap Measurement of Plasma chemical Vapor Deposition Very Thin Films Using Evanescent Wave

    Naganori Takezawa, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   32,2/10A,L1474-L1476  1993

  • Removal Conditions of Films Deposited on Probe

    Tadashi Sakamoto, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasmas(ICRP)   VIIb-9/,179-182  1993

  • Ion Bombertment Effects Under MPCVD of a-Si : H Film

    Takashi Go, Masataka Kato, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   V-4/,97-100  1993

  • SiN膜装荷による薄膜導波形偏光素子

    加藤勇, 森一富, 佐藤甲癸

    電子情報通信学会論文誌   J75-C-I ( 10 ) 630 - 637  1992

  • マイクロ波プラズマCVDにおけるプラズマパラメータの空間分布

    加藤勇, 臼居隆志, 阪本匡

    電気学会論文誌A   112-A ( 5 ) 355 - 362  1992

    DOI

  • Spatial distribution of plasma parameters in microwave plasma chemical vapor deposition

    Tadashi Sakamoto, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   112/5  1992

  • Spatial Distribution of Space Potential in Chamber of Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD

    Tadashi Sakamoto, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   XI-5/,217-220  1992

  • Probe Measurement in N2/SiH4 Microwave Plasma

    Tadashi Sakamoto, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   XI-4/,213-216  1992

  • Control of Ion Bombardment Energy in Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System

    Masataka Kato, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   V-3/,91-94  1992

  • Spatial distribution of plasma parameters in microwave plasma chemical vapor deposition

    Tadashi Sakamoto, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   112/5  1992

  • Spatial Distribution of Space Potential in Chamber of Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD

    Tadashi Sakamoto, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   XI-5/,217-220  1992

  • Probe Measurement in N2/SiH4 Microwave Plasma

    Tadashi Sakamoto, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   XI-4/,213-216  1992

  • Control of Ion Bombardment Energy in Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System

    Masataka Kato, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   V-3/,91-94  1992

  • マイクロ波放電を用いたプラズマ化学気相堆積法

    加藤勇, 加藤聖隆, 阪本匡

    電気学会   ED-91-60   141 - 150  1991

  • Effects of DC Bias on a-Si : H Films Fabricated by using Double Tubed Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System

    Masataka Kato, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasmas(ICRP)   DA-03/,193-196  1991

  • Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using a Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition Method with DCBias

    Masataka Kato, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   30/6,1245-1247  1991

  • RFバイアス印加マイクロ波プラズマCVD法によるSiN膜の低温作製

    加藤聖隆, 加藤勇, 中島秀文

    国際ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会   /,209-212  1991

  • 同軸線路型マイクロ波プラズマCVDにおけるプラズマパラメータ

    加藤勇, 臼居隆志, 阪本匡

    電気学会   EP-91   11 - 20  1991

  • RPバイアス印加マイクロ波プラズマCVDによるSiN薄膜の作成

    伊藤尚己, 加藤聖隆, 加藤勇

    電子情報通信学会論文誌   J74-C-II ( 1 ) 21 - 25  1991

  • Effects of DC Bias on a-Si : H Films Fabricated by using Double Tubed Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System

    Masataka Kato, Isamu Kato

    Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasmas(ICRP)   DA-03/,193-196  1991

  • Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using a Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition Method with DCBias

    Masataka Kato, Isamu Kato

    Jpn. J. Appl. Phys.   30/6,1245-1247  1991

  • Deposition Mechanism of a-Si : H Films Fabricated by Coaxial-Line-Type Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

    Isamu Kato, Kazuhisa Hatanaka, Tetsuya Takumi

    Bull. Sci. Eng. Res. Lab. Waseda Univ.   123,1-12  1990

  • Deposition Mechanism of a-Si : H Films Fabricated by Coaxial-Line-Type Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

    Isamu Kato, Kazuhisa Hatanaka, Tetsuya Takumi

    Bull. Sci. Eng. Res. Lab. Waseda Univ.   123,1-12  1990

  • New fabrication method of a star coupler by stacking polymer films

    Isamu Kato, Masaaki Doi, Minoru Kawano, K.Sato

    Appl. Optics   27/15  1988

  • a-Si:H膜装荷による高分子薄膜導波路形偏光素子

    加藤勇, 原亮一, 杉山泰之

    電子情報通信学会論文誌C   J71-C/1 ( 1 ) 68 - 73  1988

  • New fabrication method of a star coupler by stacking polymer films

    Isamu Kato, Masaaki Doi, Minoru Kawano, K.Sato

    Appl. Optics   27/15  1988

  • Preparation of silicon nitride films at room temperature using double-tubed coaxial-line-type microwave plasma chemical vapor deposition system

    Isamu Kato, Kazuto Noguchi, Koji Numata

    J. Appl. Phys.   62 ( 2 ) 492 - 497  1987

    DOI CiNii

  • Polymer thin film waveguide polarizar with a-Si : H clad

    Isamu Kato, Yasuyuki Sugiyama, Kotaro Sugita

    J.Appl.Phys   J71-C/1  1987

  • Preparation of silicon nitride films at room temperature using double-tubed coaxial-line-type microwave plasma chemical vapor deposition system

    Isamu Kato, Kazuto Noguchi, Koji Numata

    J. Appl. Phys.   62 ( 2 ) 492 - 497  1987

    DOI CiNii

  • Polymer thin film waveguide polarizar with a-Si : H clad

    Isamu Kato, Yasuyuki Sugiyama, Kotaro Sugita

    J.Appl.Phys   J71-C/1  1987

  • 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD法によるa-Si:H薄膜の基板温度特性

    加藤勇, 上田哲也, 畑中和久

    電気学会論文誌A   106 ( 8 ) 391 - 397  1986

    DOI CiNii

  • Effect of Substrate Temperature on A-Si:H thin Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD

    Isamu Kato, Tetsuya Ueda, Kazuhisa Hatanaka

    IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials   106 ( 8 ) 391 - 397  1986

    DOI

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマCVD法によるプラズマ内外でのa-si:H膜の作成

    加藤勇, 矢野元康

    電子通信学会論文誌   J69-C ( 5 ) 662 - 668  1986

  • Fabrication of a-Si : H thin films in and out of plasma by coaxial line type microwave plasma CVD

    Isamu Kato, Motoyasu Yano

    J. Appl. Phys.   J69-C/5   662 - 668  1986

  • Effect of Substrate Temperature on A-Si:H thin Films Fabricated by Double Tubed Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD

    Isamu Kato, Tetsuya Ueda, Kazuhisa Hatanaka

    IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials   106 ( 8 ) 391 - 397  1986

    DOI

  • Fabrication of a-Si : H thin films in and out of plasma by coaxial line type microwave plasma CVD

    Isamu Kato, Motoyasu Yano

    J. Appl. Phys.   J69-C/5   662 - 668  1986

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置によるSiN膜の作成

    加藤勇, 矢野元康, 幸山裕亮

    電子通信学会論文誌   J68-C ( 10 ) 788 - 795  1985

  • Coaxial-line type microwave plasma CVD system to fabricate SiN films

    Isamu Kato, Y.Sachiyama, Kazuto Noguchi

    J. Appl. Phys.   J68-C/10   788 - 795  1985

  • Coaxial-line type microwave plasma CVD system to fabricate SiN films

    Isamu Kato, Y.Sachiyama, Kazuto Noguchi

    J. Appl. Phys.   J68-C/10   788 - 795  1985

  • Analysis of radial distribution of plasma parameters in a coaxial-line microwave discharge tube

    Isamu Kato, Shinji Hara, Shinichi Wakana

    J. Appl. Phys.   54 ( 9 ) 4883 - 4888  1983

    DOI CiNii

  • Analysis of radial distribution of plasma parameters in a coaxial-line microwave discharge tube

    Isamu Kato, Shinji Hara, Shinichi Wakana

    J. Appl. Phys.   54 ( 9 ) 4883 - 4888  1983

    DOI CiNii

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Works

  • a-Si:H膜成長中のイオン衝撃効果について(III)

    1998
    -
     

  • 磁界印加型同軸線路形MPCVD装置におけるH2/SiH4プラズマを用いたa-Si:H膜の作製

    1998
    -
     

  • Effect of Ion Bombardment during a-Si : H Film Growth(III)

    1998
    -
     

  • Fabrication of a-Si : H film Using H2-SiH4 Plasma in Magnetic Field Applied Coaxial Line Type MPCVD System

    1998
    -
     

  • Fabrication of a-Si : H Film Using H2-SiH4 Plasma by Longitubinal Magnetic Field Applied MPCVD System

    1998
    -
     

  • Si Luminescence Material Fabricated Using MDCVD Coaxial Line Type

    1998
    -
     

  • Effect of Bombardment During a-Si : H Film Growth

    1998
    -
     

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置における水素プラズマへの磁界印加の効果(II)

    1997
    -
     

  • a-Si:H膜成長中のイオン衝撃効果について(II)

    1997
    -
     

  • 2重管式同軸線路型MPCVDを用いて作製したSi系発光材料の研究(II)

    1997
    -
     

  • エバネッセント波を用いた放電停止後の半導体極薄膜表面変化のその場観測

    1997
    -
     

  • 二重管式同軸線路形MPCVD装置における水素プラズマの磁界印加の効果

    1997
    -
     

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がN2プラズマに及ぼす効果(IV)

    1997
    -
     

  • 2重管式同軸線路型MPCVDを用いて作製したSi系発生材料の研究

    1997
    -
     

  • a-Si:H膜成長中のイオン衡撃効果について

    1997
    -
     

  • Effect of Applying Magnetic Field to H2 Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System(II)

    1997
    -
     

  • Effect of Ion Bombardment during a-Si : H Film Growth(II)

    1997
    -
     

  • The study of Si luminescence material fabricated using the double tubed coaxial line type MPCVD(II)

    1997
    -
     

  • Effects of Applying Magnetic Field to H2 Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System

    1997
    -
     

  • The study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD

    1997
    -
     

  • In situ Measurement of the Surface Change of Semiconductor Ultra Thin Films after Discharge Stop Using Evane cent Wave

    1997
    -
     

  • Effect of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System(IV)

    1997
    -
     

  • Effect of Ion Bombardment during a-Si : H Film Growth

    1997
    -
     

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がN2プラズマに及ぼす効果(III)

    1996
    -
     

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマ発生装置の基礎特性

    1996
    -
     

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマのシュミレーション(III)

    1996
    -
     

  • MPCVDにおけるa-Si:H膜質に与えるイオン衡撃の効果

    1996
    -
     

  • 縦磁界印加同軸線路形マイクロ波プラズマCVDによるSiN膜の作製

    1996
    -
     

  • MPCVDにおけるa-Si:H膜のフォトルミネッセンス(II)

    1996
    -
     

  • エバネッセント波を用いたリーク後の半導体極薄膜表面変化のその場観測

    1996
    -
     

  • 窒素ガス流量がSiN膜の膜特性に与える影響(II)

    1996
    -
     

  • MPCVD法によって作製されたa-Si:H膜のフォトルミネッセンス

    1996
    -
     

  • 光ファイバーを用いた半導体極薄膜の光学的エネルギーギャップの測定

    1996
    -
     

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマのシミュレーション(II)

    1996
    -
     

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がArプラズマに及ぼす影響(IV)

    1996
    -
     

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がN2プラズマに及ぼす効果(II)

    1996
    -
     

  • 無イオン衝撃作製のa-SI:H膜質の基板温度依存性

    1996
    -
     

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマへの縦磁界印加の影響(II)

    1996
    -
     

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマへの縦磁界印加の影響(III)

    1996
    -
     

  • MPCVDにおける膜前面のシース電圧の制御と成膜

    1996
    -
     

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System(III)

    1996
    -
     

  • Characteristics of Coaxial Line Type Microwave H2 Plasma

    1996
    -
     

  • Simulation of Coaxial Line Type Microwave Plasma(III)

    1996
    -
     

  • Effect of Ion Bombardment on Film Properties of a-Si : H in MPCVD

    1996
    -
     

  • Fabrication of SiN Film by Using Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System with Longitudinal Magnetic Field

    1996
    -
     

  • Photoluminescence of a-Si : H films fabricated by MPCVD

    1996
    -
     

  • In situ Measurement of the Surface Change of Semiconductor Ultra Thin Films after Leak Using Evanescent Wave

    1996
    -
     

  • Influence of N2Gas Flow Rate on Film Properties of SiN Film(II)

    1996
    -
     

  • Photoluminescence of a-Si : H films in MPCVD(II)

    1996
    -
     

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Ultra Thin Films Using Optical Fibers

    1996
    -
     

  • Simulation of Coaxial-line type microwave plasma(II)

    1996
    -
     

  • Influence of Applying Magnetic Field to Ar plasma in Coaxial Line Type MPCVD System

    1996
    -
     

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System(II)

    1996
    -
     

  • Dependence of Film Properties of a-Si : H fabricated without Ion Bombardment on Substrate Temperature

    1996
    -
     

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type microwave Plasma(II)

    1996
    -
     

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type microwave Plasma(III)

    1996
    -
     

  • Film Deposition under Control of Sheath Voltage on the Film Surface in MPCVD Apparatus

    1996
    -
     

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマのシミュレーション

    1995
    -
     

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がN2プラズマに及ぼす効果

    1995
    -
     

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がArプラズマに及ぼす影響(III)

    1995
    -
     

  • MPCVDにおけるイオン衝撃エネルギーの制御

    1995
    -
     

  • マイクロ波プラズマにおけるRFバイアス印加効果

    1995
    -
     

  • 2重管式同軸線路型MPCVDによるa-Si:H膜の長波長帯における屈折率測定

    1995
    -
     

  • 光導波路を用いたa-Si:H薄膜の赤外吸収スペクトル測定

    1995
    -
     

  • 縦方向磁界印加MPCVD装置によるSiN膜の作製

    1995
    -
     

  • 平板光導波路を用いたMPCVD薄膜の屈折率測定

    1995
    -
     

  • 内管の電位がプラズマパラメータと膜質に与える影響

    1995
    -
     

  • 同軸線路形マイクロ波プラズマへの縦磁界印加の影響

    1995
    -
     

  • RFバイアス印加同軸線路形MPCVDによるSiN膜の作製

    1995
    -
     

  • MPCVDにおける内管の電位が膜質に与える影響

    1995
    -
     

  • スラブ光導波路を用いた装荷薄膜の屈折率測定

    1995
    -
     

  • 半導体膜装荷時の光導波路における透過率の装荷膜厚依存性

    1995
    -
     

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がArプラズマに及ぼす影響

    1995
    -
     

  • Simulation of Coaxial-line type microwave plasma

    1995
    -
     

  • Effects of Applying Magnetic Field to N2 Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System

    1995
    -
     

  • Influence of Applying Magnetic Field to Ar plasma in Coaxial Line Type MPCVD System (III)

    1995
    -
     

  • Control of Ion Bombardment Energy in Mpcvd

    1995
    -
     

  • Effects of Rf Bias on Microwave Plasma

    1995
    -
     

  • Refractive indices of a-Si : H films by double-tubed coaxial-line type MPCVD at long wave length region

    1995
    -
     

  • Measurement of infrared absorption spectrum in thin a-SiH films using an optical waveguide

    1995
    -
     

  • Fabrication of SiN Film by Using MPCVD System with Longitudinal Magnetic Field

    1995
    -
     

  • Refractive Index Measurement of MPCVD Thin Films Using Slab Wave Guide

    1995
    -
     

  • Dependence of Plasma Parameters and Film Properties on Electric Potential of Inner Tube

    1995
    -
     

  • Influence of Longitudinal Magnetic Field Applied to Coaxial Line Type Microwave Plasma

    1995
    -
     

  • Fabrication of SiN Films by Using RF Biased Coaxial Line Type MPCVD

    1995
    -
     

  • Dependence of Film Properties on Electric Potential of Inner Tube in MPCVD

    1995
    -
     

  • Refrective Index Measurement of Fabricated Thin Films Using Slab Waveguide

    1995
    -
     

  • Dependence of Transmittance of Waveguids on Fabricated Films during Fabrication of Semiconductor Films

    1995
    -
     

  • Influences of Applying Magnetic Field to Ar Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System (II)

    1995
    -
     

  • 平板光導波路を用いた薄膜の屈折率の測定

    1994
    -
     

  • 半導体薄膜装荷平板光導波路における透過率の振動の解析

    1994
    -
     

  • 平板光導波路を用いた半導体極薄膜の光学エネルギーギャップの測定(III)

    1994
    -
     

  • 縦方向磁界印加MPCVD装置によるα-SiH膜の作製

    1994
    -
     

  • MPCVDにおけるα-Si:H膜の膜質の基板温度依存性

    1994
    -
     

  • 窒素ガス流量がSiN膜の膜特性に与える影響

    1994
    -
     

  • 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVDにおけるSiN膜の膜質の内管端位置依存性

    1994
    -
     

  • 同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がArプラズマに及ぼす影響

    1994
    -
     

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Ultra Thin Films Using a Slab Waveguide (III)

    1994
    -
     

  • Fabrication of a-Si : H Film by MPCVD System with Longitudinal Magnetic Field

    1994
    -
     

  • Dependence of the Film Properties of A-Si : H on Substrate Temperature in MPCVD

    1994
    -
     

  • Removal Condition of Films Deposited on Probe

    1994
    -
     

  • Refractive Index Measurement of Thin Films Using a Slab Waveguide

    1994
    -
     

  • Analysys of Oscillation of Transmittance on Slab Waveguide with Semiconductor Thin Films

    1994
    -
     

  • Optical Energy Gap Measurement of Semiconductor Films using an Optical Waveguide

    1994
    -
     

  • Fabrication of SiN Films on Magnetic Tape For Protective Film by Coaxial Line Type MPCVD System

    1994
    -
     

  • High Rate Deposition of a-SiiH Films by Coaxial Line Type MPCVD System

    1994
    -
     

  • Ingluence of N2 Gas Flow Rate on Film Properties of SiN Film

    1994
    -
     

  • Dependence of Properties of SiN Film on End Position of Inner Tube in Double Tube Coaxial Line Type MPCVD System

    1994
    -
     

  • Influences of Applying Magnetic Field to Ar Plasma in Coaxial Line Type MPCVD System

    1994
    -
     

  • Ion Bomberement Effect Under MPCVD of a-SiiH Film

    1993
    -
     

  • Optical Energy Gap Measurement of Plasma CVD Thin Films Using The Evanescent Wave

    1993
    -
     

  • Control of Ion Bombardment Energy in Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System

    1992
    -
     

  • Spatial Distribution of Space Potential in Chamber of Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD

    1992
    -
     

  • Probe Measurement in N2/SiH4 Microwave Plasma

    1992
    -
     

  • マイクロ波プラズマCVDにおけるプラズマパラメータ

    1991
    -
     

  • RRバイアス法によるイオン衝撃の制御

    1991
    -
     

  • RRバイアス印加マイクロ波プラズマCVD法によるSiN膜の低温作製

    1991
    -
     

  • マイクロ波放電を用いたプラズマ化学気相推積法

    1991
    -
     

  • 同軸線路型マイクロ波プラズマCVDにおけるプラズマパラメータ

    1991
    -
     

  • Effect of DC Bias on a-si : H Films Fabricated by using Double Coaxial Line Type Microwave Plasma CVD System

    1991
    -
     

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Awards

  • 橘記念論文賞

    1989  

  • 倉田奨励金

    1985  

Research Projects

  • 光計測

  • 光子材料の作製

  • プラズマエレクトロニクス

  • 光導波路を用いた極薄膜の計測法

  • マイクロ波プラズマCVD

  • Plasma Electronics

  • Measurement Method of Super thin Film by Light Wave Guide

  • Microwave Plasma CVD

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Presentations

  • TEOSガスを用いて作製したSi系薄膜のPL発光強度とその組成依存性

    第60回応用物理学会関係連合講演会 

    Presentation date: 2013

  • 空気を用いた空間的アフターグロープラズマ滅菌におけるラジカル種と紫外線の殺菌効果の比較

    第60回応用物理学会関係連合講演会 

    Presentation date: 2013

  • TEOSで作製したa-Si膜のPL発光特性のマイクロ波電力依存性

    第73回応用物理学会学術講演会講演 

    Presentation date: 2012

Specific Research

  • シリコン発光ディバイスの研究

    2013  

     View Summary

    1. Double Tubed Coaxial Line-MPCVD (DTCL-MPCVD) System We have developed DTCL-MPCVD system. The microwave frequency is 2.45GHz. If one uses the cylindrical tube as a circular wave guide to create a microwave plasma in a discharge tube, the inside cylindrical tube diameter is to be larger than about 8cm. In this case, microwave power density is low. However there is a plasma column in the discharge tube. The plasma column in the discharge tube has large conductivity. Then we consider that the metal cylindrical tube and the plasma column construct a coaxial-line. The coaxial-line does not have the cut off frequency. One can use thinner cylindrical tube to get higher microwave energy density. In this system, the inside cylindrical tube diameter is 3cm. In the case of smaller than about 3cm, only the fundamental mode of the coaxial-line can propagate. Then this discharge system is named the “coaxial-line-type”. Two kinds of gas are separately fed through an outer discharge tube which is the fused quartz and is 1.3cm inside diameter and an inner tube which is 0.6cm outside diameter. Then it is named the “double-tubed”.The plasma flows into the deposition chamber and its electron temperature decreases rapidly. There is no microwave energy in the deposition chamber because the discharge tube end is capped by the plasma. Therefore, the plasma in the deposition chamber becomes the “spatial” after-glow plasma in the deposition chamber. If the mixed gas (the discharge gas and the material gas) flows into the discharge tube, some materials deposit on the inside wall of the discharge tube. The microwave discharge is stopped sooner or later because the window which the electric energy enters is closed.This system has many merits. The details are reported in the reference [3]. 2. Photoluminescence(PL) from the Si nano-Crystal Films To develop Si light source, many kinds of Si nano-crystal films are fabricated using H2, N2 and Ar gas as the discharge gas, and silane and TEOS gas as the material gas.In the case of H2, Ar and silane gas, Si nano-crystal is varied in a-Si:H film which does not emit PL because the a-Si:H absorbs light. But the film emits PL after the thermal oxidation, because the a-Si:H changes to SiO2 [1]. In the case of N2 and silane gas, the film emits PL without thermal oxidation, because the film is Si3N4 which is a transparent material. The light emission is obtained without oxygen (no siloxane) [2].3. PL Wavelength and Carbon Ratio Using TEOS gas, the spectra shift to blue side, compared with the case of silane gas, because the film includes carbon. After the thermal oxidation, the spectra shift to red side. The result of composition analysis shows that carbon decreases after the thermal oxidation. It means that carbon is burned out. However, the size of Si nano-crystal is also decreasing at the same time. And it shifts blue side again. The details are reported with the film structures, spectra and composition analyses [3].REFERENCES[1] T. Tachibana, H. Sakamoto, I. Kato, ADVANCES IN APPLIED PLASMA SCIENCE, Vol.6, 2007, pp. 1-2.[2] T. Funatsu, I. Kato, ADVANCES IN APPLIED PLASMA SCIENCE, Vol.8, 2011, pp. 173-174.[3] I. Kato, J. Makino, E. Takeda, A. Shiozawa, ADVANCES IN APPLIED PLASMA SCIENCE, Vol. 9, 2013 pp. 63-64.

  • 3原色高輝度発光制御シリコンナノクリスタル光デバイス

    2004  

     View Summary

    二重管式同軸線路型マイクロ波プラズマCVD装置において、シランガスを材料ガスアルゴンガスを放電ガスとして用い、チャンバー内を高ガス圧250mTorrにすることでa-Si:Hナノボール膜を作製してきた。作製した膜に加熱酸化処理を行うことにより、発光波長約780nmのPLが観測される。X線回折より、作製したa-Si:Hナノボール(~20nm)の内部にSiナノクリスタル(~5nm)が存在することがわかっている。酸化することによりSiO2中にSiナノクリスタルが埋め込まれている状態になり、発光性準位が生じ、PLが観測されると考えられる。また、a-Si:Hナノボール膜の膜質や発光特性に与える影響について検討してきた。成膜後に、HF処理や純酸素中で高温酸化処理を行うことで、発光波長を約780nmから約500nm程度までブルーシフトさせることができた。また、TEMおよびX線回折によりSiナノクリスタルの粒径を調べた結果、以前より小さい値(~3.4nm)を示した。この結果、発光波長はSiナノクリスタルの粒径に依存していることが分かった。 Ⅰ a-Si:Hナノボール膜からのPL発光波長制御法の確立  a-Si:Hナノボール膜を酸化後、波長325nmのHe-Cdレーザを照射することで、室温でPL (フォトルミネッセンス)が観測されることは確認されている。これまでに作成してきたa-Si:Hナノボール膜がもつPLピーク波長は1)約780nm~700nm(2)約580nm~610nm(3)約500~510nmの3種類に分類できる。これまでの研究で、これらのPLピーク波長は、Siナノクリス タルの粒径に依存するものであることがわかっている。この粒径を成膜・処理方法によって詳細に制御することで、PL発光波長を制御する方法を確立した。 Ⅱ a-Si:Hナノボール膜からのPL発光原理の検討これまでに作成してきたa-Si:Hナノボール膜から得られるPLピーク波長は、膜内部に含まれるSiナノクリスタルの粒径に依存することがわかっている。そのPL発光スペクトルを、複数のガウス曲線の合計で近似する。そして、各々のガウス曲線の中心波長を、前述のPL ピーク波長とSiナノクリスタルとの関係から粒径を算出し、それぞれのデータを統計的にまとめることによってSiナノクリスタルの粒径分布はディスクリートであるということがわかった。

  • 機能ルミネッセンス用ナノ微粒子材料の開発とデバイスへの応用

    2002  

     View Summary

    シランガス流量を30ml/min、アルゴンガス流量を110ml/minとし、コンピュータでのガスフローの精密制御により、チャンバー内のガス圧を250mTorrとすることで、直径約5nmのシリコンナノクリスタルを内部に含む、直径約20nmの水素化アモルファスシリコンナノボールを作製することができた。これをシリコン基板上に堆積させることで、水素化アモルファスシリコンナノボール膜を得る。 以下にその膜の構造およびPL(フォトルミネッセンス)特性の検討結果を示す。1.この膜を酸化すると室温でPLが観測できた。2.成膜時の基盤位置を6cmとし、大気中220℃で72時間酸化という条件下で発光強度が最大になった。3.成膜時に基板電位を変化することで、アルゴンイオン衝撃が水素化アモルファンナノボール内に存在するシリコンナノクリスタルの生成に関係しているがわかった。4.放電ガス(Ar)に水素ガスを混ぜることで、PL発光スペクトルのピーク波長を短波長側へシフトすることができた。5.高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)を用いた観察により水素化アモルファスシリコンナノボール(直径約20nm)の内部にシリコンナノクリスタル(直径約5nm)を確認できた。6.フッ酸処理を行いその後酸化することで、水素化アモルファスシリコンナノボール内部に含まれるシリコンナノクリスタルの粒径を小さくすることができ、その効果により室温で黄色発光が観測できた。7.高温での純酸素アニール処理を行うことで、上記同様シリコンナノクリスタルの粒径を小さくすることができ、室温で青色発光が観測できた。また、この純酸素アニール処理の温度を調整することにより、青色だけでなく他の波長の可視光の発光も観測できた。8.シリコンナノクリスタルの粒径を測定することで、粒径を小さくしたときのPL発光波長が2次曲線を描いて単調減少することを確認できた。

  • Si系超薄膜多層膜を用いた光子材料の作製とそのデバイス化の研究

    2000  

     View Summary

     当研究室では、二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置をもちいて、新しい光子材料として超薄膜多層構造をもつa-Si:H/Si3N4多層膜について研究開発をおこなってきている。二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置をもちいて、低ガス圧下において水素化アモルファスシリコン膜および窒化シリコン膜による超薄膜多層構造の作製に成功し、さらに1層の厚さを数&#197;単位で制御できることが分かった。また、光学的にもアモルファスシリコン層の厚さを変化させることで、光学的エネルギーバンドギャップを1.8~2.5[eV]と制御できることも分かった。 今年度は主に基板温度が多層膜に与える影響について研究を行った。SEM像やX線回折ピーク図から多層膜作製時におけるSiH4ガス流量を少なくする事によって、堆積速度を遅くすることにより基板温度を変化させても界面が均一で鮮明な多層膜を作製できる事が分かった。さらに基板温度を高くするにしたがいダングリングボンド密度は大きくなり、光学的エネルギーバンドギャップは小さくなる事が分かった。 また、導波光の波長λよりも十分に薄い超薄膜多層構造をもつ光導波路は、特異な伝搬特性をもつことが期待できる。そこで我々は、上記のa-Si:H/Si3N4超薄膜多層構造膜をコア、窒化シリコン膜をバッファ層としてスラブ導波路を作製した。さらに、本導波路の持つ伝搬特性として、TMモードを透過し、TEモードはカットするという偏光特性があることを世界ではじめて明らかにした。 この光導波路に用いる多層膜を基板温度を変化させて作成し、その光伝搬特性に与える影響についても研究を行った。その結果基板温度が250[℃]から400[℃]で大きな消光比を得られる事が分かった。しかし、基板温度が400[℃]より大きくなると吸収係数が大きくなるため、光導波路としては向かなくなるので、基板温度250[℃]が最適と考えられる。

  • マイクロ波プラズマCVD法による超薄膜多層構造膜を用いた導波型光デバイスの作製

    1999  

     View Summary

     当研究室では、二重管式同軸線路型マイクロ波プラズマCVD装置をもちいて、新しい光子材料として超薄膜多層構造をもつa-Si:H/Si3N4多層膜について研究開発をおこなってきている。二重管式同軸線路型マイクロ波プラズマCVD装置をもちいて、低ガス圧下において水素化アモルファスシリコン膜および窒化シリコン膜による超薄膜多層構造の作製に成功し、これまでの研究で基板温度が約250[℃]で最も鮮明な多層構造膜が得られることがわかり、さらに1層の厚さを数Å単位で制御できることがわかった。また、光学的にもアモルファスシリコン層の厚さを変化させることで、光学的エネルギーバンドギャップを1.8~2.5[eV]と制御できることもわかった。 導波光の波長λよりも十分に薄い超薄膜多層構造をもつ光導波路は、特異な伝搬特性をもつことが期待できる。そこで我々は、上記のa-Si:H/Si3N4超薄膜多層構造膜をコア、窒化シリコン膜をバッファ層としてスラブ導波路を作製し、光が導波することを確認した。さらに、本導波路の持つ伝搬特性として、TMモードを透過し、TEモードはカットするという偏光特性があることを世界ではじめて明らかにした。これは、導波路への入射光のTEモード成分が、光の波長オーダーよりも十分に狭い間隔で並んでいる金属的なアモルファスシリコン層の格子によって反射されるためであると考えられる。なお、導波光としては光ファイバ通信などで用いられる波長1.55[μm]のレーザ光をもちいた。また、各層の厚さを変化させ最適な条件を調べたところ、アモルファスシリコン層の厚さが約5[nm]、窒化シリコン層の厚さが約10[nm]のときに消光比17[dB]を得た。 さらに我々は、上記のスラブ導波路を超高輝度青色LEDを照射して光ポンピングをおこなった。光ポンピングをおこなうと、TMモードの透過光は増加し、TEモードの透過光は減少し、消光比としては3~4[dB]程度大きくなるという結果を得た。以上より、本光導波路はモードフィルタだけではなく、光スイッチングデバイスや変調デバイスへの応用も可能であることを示した。

  • 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置における新しい光子材料の作成の研究

    1997  

     View Summary

    我々は二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置を用いて、イオン衝撃が水素化アモルファスシリコン膜に与える影響について検討してきており、イオン衝撃効果には、イオンが膜に衝突して、膜表面原子の格子振動を励起する膜表面加熱効果と、水素イオンが膜と結合したり、Si系イオン以外のイオンがドープされたりするなどのイオン打ち込み効果があることを見出してきている。 ここで、基板温度(Ts)を室温とした場合の水素化アモルファスシリコン膜のシース電圧(Vsh)依存性と、イオン衝撃をなくした状態、すなわちVsh=0Vにおける水素化アモルファスシリコン膜のTs依存性を測定している。Vsh依存性は膜表面加熱効果と、イオン打ち込み効果の2つの効果を含んでいる。また、Ts依存性のグラフとは軸が異なっているために、単純に差をとることができない。そこで、膜表面加熱効果のみの影響を受けると思われるSi含有量のグラフから両者のスケールを調整し、軸あわせを行った。その結果、Ts=-2.34&#215; Vsh+28という関係式を導くことができた。他の膜質に関してもこの関係式を用いて、同様にスケールを調整することにより、イオン衝撃効果における膜表面加熱効果とイオン打ち込み効果を分離することができた。 一般に、ダングリングボンド密度を低減させるためには、基板を約230℃まで加熱する必要があると言われている。これはセルフバイアスがかかり、イオン衝撃があるためであり、Vsh=0Vとし、イオン衝撃をなくせば、イオン打ち込み効果がなくなり、膜構造が破壊されないので、より低温(約150℃)でダングリングボンド密度の少ない膜が作成できることがわかった。研究成果の発表1998年1月第15回プラズマプロセシング研究会荻原、磐田、加藤:a-Si:H膜成長中のイオン衝撃効果1998年1月第15回プラズマプロセシング研究会飯塚、臼田、加藤:縦磁界印加MPCVDによるH2/SiH4プラズマを用いたa-Si:H膜の作製1998年1月第15回プラズマプロセシング研究会越地、渡部、加藤:二重管式同軸線路形MPCVD装置を用いて作製したSi系発光材料1997年11月電子情報通信学会論文誌 Vol.J80-C-Ⅱ. No.11 pp378-383加藤勇、山岸俊浩、森田義則、神子太郎:縦磁界印加によるArプラズマの安定化Jpn.J.Appl.Phys Vol.J80-C-Ⅱ. No.11pp6711-6713O. P. AGNIHOTORI, R. TYAGI, 加藤勇:Silicon Oxynitride Waveguides for Optical Integrated Circuits

  • マイクロ波プラズマにおける縦磁界印加効果及び酸素混入の原因究明に関する研究

    1996  

     View Summary

     当研究室では各種の薄膜作製を目的として、マイクロ波プラズマCVD装置の研究開発を行ってきている。良質な薄膜を作製するためには、用いるプラズマのパラメータを明らかにしておく必要がある。本研究ではマイクロ波放電部にコイルを設置し、縦磁界を印加して、磁界強度変化に対する電子温度、電子密度などのプラズマパラメータを測定し、縦磁界印加がプラズマの安定性に及ぼす効果について検討した。 コイルの中心での磁束密度を0 Gaussから2436 Gaussまで変化させて窒素プラズマのプラズマパラメータを測定し、またSiN膜を作製し、その膜質評価を行った。電子密度は磁束密度を増加させると、600 Gaussから1000Gaussまでは急激に増加するが、その後飽和することが分かった。電子密度が増加するのは、縦磁界を印加することにより、放電管壁での電子の消滅が減少したためと考えられる。 従来、無磁界では放電しにくいH2ガスでは、a-Si:H膜を作製する際、SiH4を解離させる水素プラズマの電子密度が低いため、作製されるa-Si:H膜の堆積速度はかなり遅いものであった。しかしながら縦磁界を印加することにより、磁束密度を増加させるに従い、電子密度は増加し、かつ放電は安定する。これも前述のように、磁界により電子の拡散が抑えられたためであると考えられる。また磁界が約1400 Gauss以上では、電子密度はほぼ一定となる。これは磁界による電子の拡散を抑える効果が、飽和する傾向を持つからである。約1400 Gaussの磁界を印加することにより、プラズマの径方向への拡散が抑えられ安定で、かつ高電子密度のプラズマが得られ、7A/sという高速の膜堆積が行えることを明らかにした。 また、酸素混入の原因については、大気のリークとチャンバー壁からのH2O放出が考えられるが、十分ベーキングすることにより酸素混入量が減っていることから、チャンバー壁からのH2O放出が主な原因と考えられる。

  • マイクロ波プラズマCVDにより作製したSiN膜への酸素混入について

    1995  

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    当研究室ではマイクロ波プラズマCVD装置を用いて,SiN膜を作製し膜質評価を行い堆積機構について検討を進めてきている。その結果,窒素ガスとシランガス以外の元素である酸素が膜中に含まれていることが分かってきた。本研究では,SiN膜中に含まれる不純物である酸素に注目し,混入酸素の少ないより良質なSiN膜を作製することを目的とした。 酸素の混入は成膜直後のIRの測定結果から,成膜時にも既に混入していると考えられる。この原因を以下の手順により明らかにした。まず堆積室内の残留気体の質量分析の結果から,酸素を含む分子は,OH+,H2O+,CO2+であり,そのうち比較的大きいマススペクトル強度は,OH+,H2O+であることが分かった。また,窒素プラズマを生成しても,マススペクトル分布の強度は変化していないので,窒素プラズマによる堆積室内壁や石英製の放電管のスパッタリングは起きていないと考えられる。さらに,堆積室内壁のベーキングの有無,真空引き時間の変化により装置内壁からのガスの放出量を変化させた場合の真空引き停止後の堆積室内のガス圧の経時変化を測定した。その結果,通常行っていた4時間程度の排気状態では堆積室内壁からのガス放出量がリーク量より1桁以上大きいことが分かった。以上のことから,膜中への酸素混入の原因は主に装置内壁から放出されたH2Oであると考えられる。 そこで,堆積室内壁のベーキングの有無等により,基礎真空度を変化させ,質量分析を行った結果,基礎真空度が2×10-7Torrの状態では,5×10-5Torrの状態と比較して,OH+,H2O+のマススペクトル強度が1/50程度まで減少することを明らかにした。同様な方法により基礎真空度を変化させて,膜作製を行った結果,基礎真空度を高くすると膜中の酸素は減少しており,基礎真空度を5×10-5から2×10-7Torrと変化させると,膜中に含まれる酸素を27から15at.%まで減少できた。今後は,窒素ガス流量増加,あるいは窒素水素混合ガスを用いるなどして,酸素混入のない成膜法について検討して行く予定である。

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Overseas Activities

  • 光と電子のハイブリッド型集積回路の研究

    2009.04
    -
    2009.09

    アメリカ   カリフォルニア大学

 

Committee Memberships

  • 1992
    -
    2005

    電気学会  医用・生体工学技術委員会1号委員

  • 1988
    -
    1990

    応用物理学会  プラズマエレクトロニクス研究会委員長

  • 1981
    -
    1988

    日本真空協会  編集委員

  • 1985
    -
    1987

    電子情報通信学会  エレクトロニクスグループ会計幹事

  • 1981
    -
    1987

    テレビジョン学会  編集委員会委員