Updated on 2022/05/26

写真a

 
FANG, Mengchu
 
Affiliation
Faculty of Science and Engineering, Information, Production, and Systems Center
Job title
Research Associate

Education

  • 2019.09
    -
    Now

    Waseda University   Graduate School of Information Production and Systems  

  • 2017.09
    -
    2019.09

    Waseda University   Graduate School of Information Production and Systems  

 

Papers

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Awards

  • Best Student Paper Award

    2021.08   2021 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT) TPC   A 210.4-dBc/Hz FoMT 67.9% Tuning Range LC-VCO IC with a Single Analog Voltage-Controlled Novel Varactor in 40-nm CMOS SOI

  • 2020 Excellent Student Award

    2021.03   A −197.3-dBc/Hz FoMT Wideband LC-VCO IC With a Single Voltage-Controlled IMOS-Based Novel Varactor in 40-nm CMOS SOI

  • Flash Competition Best Paper Award

    2019.05   2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS) TPC   A Low Supply Voltage LC-VCO IC with a Drain Harmonic Tuned Filter in 40-nm SOI CMOS

Specific Research

  • 次世代移動体通信14GHz帯高調波制御低消費電力低位相雑音電圧制御発振器の研究

    2021  

    　View Summary

    本研究の目的は次世代移動体通信に向けた14 GHz帯高調波制御低消費電力低位相雑音電圧制御発振器の実現である。本研究では40-nm CMOS SOIプロセスを用いて、二次及び三次高調波が制御されたC級発振器を設計した。設計した発振器は、2ポートトランスフォーマ構造により二次と三次の高調波が増幅され、位相雑音を改善している。さらに、追加の電源を必要としない新規フィードバック回路により、発振後、C級動作に入るようにバイアス点を制御することによって消費電力を抑制している。試作したチップは14 GHz帯発振器は良好な消費電力と位相雑音特性が得られた。

  • 次世代移動体通信14GHz帯高調波制御低消費電力低位相雑音電圧制御発振器の研究

    2021  

    　View Summary

    本研究の目的は次世代移動体通信に向けた14 GHz帯高調波制御低消費電力低位相雑音電圧制御発振器の実現である。本研究では40-nm CMOS SOIプロセスを用いて、二次及び三次高調波が制御されたC級発振器を設計した。設計した発振器は、2ポートトランスフォーマ構造により二次と三次の高調波が増幅され、位相雑音を改善している。さらに、追加の電源を必要としない新規フィードバック回路により、発振後、C級動作に入るようにバイアス点を制御することによって消費電力を抑制している。試作したチップは14 GHz帯発振器は良好な消費電力と位相雑音特性が得られた。

  • 次世代移動体通信に向けた低消費電力低位相雑音14 GHz帯電圧制御発振器の研究

    2020  

    　View Summary

    本研究の目的は次世代通信の低消費電力と大容量通信の需要に向けた低消費電力低位相雑音14 GHz帯電圧制御発振器の実現である。本研究ではこの目的を達成するために、40-nm CMOS SOIプロセスを用いて、フィードバック回路を新規考案した。このフィードバック回路を使用した14 GHz帯のC級電圧制御発振器は、回路シミュレーションの結果、0.4 Vの電源電圧で、最大1 mW以下の消費電力、–106.8 dBc/Hzの位相雑音（1 MHz離調）、–190.4 dBc/HzのFoMの特性が得られた。