高山 あかり (タカヤマ アカリ)

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所属

理工学術院 先進理工学部

職名

准教授

学内研究所等 【 表示 / 非表示

  • 2020年
    -
    2022年

    理工学術院総合研究所   兼任研究員

学歴 【 表示 / 非表示

  • 2008年04月
    -
    2013年03月

    東北大学   大学院理学研究科   物理学専攻  

  • 2004年04月
    -
    2008年03月

    福島大学   教育学部   学校教育教員養成課程  

学位 【 表示 / 非表示

  • 東北大学   博士(理学)

経歴 【 表示 / 非表示

  • 2018年04月
    -
     

    早稲田大学   理工学術院先進理工学部物理学科   専任講師

  • 2014年04月
    -
    2018年03月

    東京大学   大学院理学系研究科物理学専攻   助教

  • 2013年04月
    -
    2014年03月

    東北大学   原子分子材料科学高等研究機構   日本学術振興会特別研究員(PD)

  • 2010年04月
    -
    2013年03月

    東北大学   日本学術振興会特別研究員(DC1)

所属学協会 【 表示 / 非表示

  •  
     
     

    日本放射光学会

  •  
     
     

    日本表面真空学会

  •  
     
     

    日本物理学会

 

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 薄膜、表面界面物性

研究キーワード 【 表示 / 非表示

  • 表面物理学

論文 【 表示 / 非表示

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書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • High-Resolution Spin-Resolved Photoemission Spectrometer and the Rashba Effect in Bismuth Thin Films (Springer Theses)

    Akari Takayama( 担当: 単著)

    Springer  2015年

    ASIN

受賞 【 表示 / 非表示

  • 一般財団法人エヌエフ基金 第7回研究開発奨励賞

    2018年11月   一般財団法人エヌエフ基金  

  • 日本応用物理学会「薄膜・表面物理分科会 論文賞」

    2018年03月  

    受賞者: 一ノ倉 聖, 菅原 克明, 高山 あかり, 高橋 隆, 長谷川修司

  • 日本物理学会 日本物理学会若手奨励賞(領域9)

    2015年03月  

  • 井上科学振興財団 第7回井上リサーチアウォード

    2014年12月  

  • 日本表面科学会 講演奨励賞(新進研究者部門)

    2014年05月  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 / 非表示

  • 陽電子と光子を用いた量子ビーム協奏利用によるディラック電子系ボロフェンの研究

    研究期間:

    2019年04月
    -
    2022年03月
     

     概要を見る

    申単元素(ホウ素)単原子層「ボロフェン」の構造を精密に決定し,その新奇ディラック物性の起源を明らかにする.さらに新たな量子物性が期待されるボロフェンを合成するとともに,それぞれの原子構造と電子状態を系統的に明らかにする.本研究では陽電子回折法で原子構造を決定し,軟X線光電子分光で詳細に電子状態を調べる.光子(軟X線)と陽電子の2種類の量子ビームの協奏的利用による多種多様なボロフェンの系統研究により「低次元ホウ素材料科学」を新たな学問分野として切り拓くことを目的とする

  • 原子層半導体薄膜における歪みダイナミクス測定の新手法開発

    研究期間:

    2018年09月
    -
    2020年03月
     

  • スピン分解光電子分光による運動量空間スピンテクスチャーマッピング

    基盤研究(B)・連携

    研究期間:

    2014年04月
    -
    2018年03月
     

     概要を見る

    固体中で動く電子は、スピン軌道相互作用や結晶の対称性により様々な方向に向くスピンを持つ。本研究ではスピンと運動量の関係が重要な影響を持つ高機能物質の電子状態を解明するために、スピン分解ARPES装置の改造と、これを用いた電子構造研究を行った。その結果、ワイル半金属の表面フェルミアーク、希薄磁性半導体GaMnAsのAsホールバンド、重金属薄膜の1次元エッジ状態、線ノード半金属の表面状態などの電子状態の観測に成功した。これらの成果から、新規トポロジカル物質相の開拓、およびGaMnAaの強磁性機構の解明に成功したと結論した

  • 独立駆動4探針・磁性探針STMによるスピン偏極した1次元電子系の研究

    若手研究(B)・代表

    研究期間:

    2015年04月
    -
    2018年03月
     

  • 機能性4探針STMによる分子の電子・スピン輸送特性の研究

    新学術領域「分子アーキテクトニクス」・分担

    研究期間:

    2013年06月
    -
    2018年03月
     

     概要を見る

    様々な分子組織体や電極表面構造など、「分子アーキテクトニクス」に必要な2次元コンポーネント・3次元コンポーネントの電子輸送特性とスピン輸送特性を、機能性4探針走査トンネル顕微鏡(STM)装置を用いて計測し、それらの機能特性を明らかにした。具体的には、(1) ニッケルジチオレン・ナノシートの電気伝導を測定し、酸化還元状態に応じて伝導変化を検出した。(2) 2層グラフェンにカルシウムをインターカレートして約2Kで超伝導に転移することを発見した。(3)2層グラフェンにLiをインターカレートして熱脱離させると、ベリー位相が0からπに変化することを発見した。(4) 純スピン注入プローブの開発に成功した

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講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • 角度分解光電子分光とその場伝導測定で探る 表面原子層の超伝導

    高山あかり  [招待有り]

    日本物理学会2019年秋季学会  

    発表年月: 2019年09月

  • 全反射高速陽電子回折による2層グラフェン層間化合物の構造解析

    高山あかり  [招待有り]

    第66回応用物理学会春季学術講演会  

    発表年月: 2019年03月

  • Exotic phenomena caused by spin-orbit coupling

    A. Takayama  [招待有り]

    60 years of Physical Review Letters, APS/JPS Joint Symposium, JPS autumn meeting 2018   JPS  

    発表年月: 2018年09月

  • 高速化データ駆動科学への期待:陽電子回折を中心に

    高山あかり  [招待有り]

    ポスト「京」重点課題7研究会「データ駆動科学と高速計算科学」  

    発表年月: 2018年07月

  • Rashba 系表面超構造の超伝導

    高山あかり  [招待有り]

    日本表面科学会 2017年真空・表面科学合同講演会   (横浜) 

    発表年月: 2017年08月

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特定課題研究 【 表示 / 非表示

  • グラフェンのディラック電子系における超伝導ギャップの直接観測

    2020年  

     概要を見る

    本研究において超伝導ギャップ測定を行う予定であった実験施設への立ち入りが制限されたため、本実験予定を変更し、ディラック電子系の一種であるディラックノーダルライン型電子状態を持ち、かつ超伝導発現が理論的に示唆されている単原子層Cu2Siの電子状態および超伝導発現の有無について研究を行った。極低温・磁場下での電気伝導測定および解析の結果、弱半局在効果を観測した。一方、理論の予測とは異なり超伝導は発現しなかったが、このことはSi基板の効果による歪みが超伝導発現を阻害した可能性を示唆している。さらに、電子状態測定実験と比較した結果、この弱半局在効果はディラック電子系由来のものであると考えられる。

  • ランダム欠陥を取り入れた超巨大構造としての二次元物質解析

    2019年   星健夫, 辻川夕貴

     概要を見る

    本研究では⽋陥を持つグラフェンの正確な物性理解と評価のため,以下の研究を行った。(i)⽋陥を含むグラフェンの作成:脱離法によりSiC基板上に作成したグラフェンを初期構造とし、Arスパッタリングによる物理的破壊によりグラフェンへ欠損を導入した。(ii)物性測定:Arスパッタリングの印加電圧依存性(0, 0.2, 1.0 kV)をSTMおよび電気伝導測定を用いて調べた。STM測定の結果、グラフェンのテラスの概形は1.0 kVでのスパッタリング後も観測された。また、電気伝導測定の結果、0.2 kVでのスパッタリングではグラフェンの電気抵抗値の変化は少なく、1.0 kVでグラフェンからの伝導度がなくなることがわかった。今後、この試料について構造解析を行う予定である。

  • 合金系表面超構造における2次元超伝導体の探索

    2019年   辻川夕貴

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     本研究は、表面超構造における低次元超伝導の物性解明を目指す研究の基盤を形成するため、新たな2次元超構造を探索することを目的して研究を行った。ディラック電子をもつ炭素の二次元シートであるグラフェンにおいて、超伝導体であるPbを数原子層蒸着するとグラフェン上にアイランドが成長するが、STMおよび電気伝導測定の結果、Pbアイランドどうしが直接接触していなくても試料全体が超伝導を示すことを見出した。このことは、Pbアイランドからの近接効果によってグラフェン上を超伝導電流が流れていることを意味しており、この系が二次元超伝導の新たな研究舞台になることを提案した。

  • 原子層薄膜における歪みダイナミクス測定の新手法開発

    2018年   保原麗

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     本研究では「柔軟性の高いシート上」の「柔軟性の高いグラフェン」を基板として薄膜を作成し、東京大学において連携研究者とともに歪み物性測定を行った。SiC基板上に作成した2層グラフェンからカプトンテープを用いてグラフェンの剥離・転写し、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察した。この試料について電気伝導測定を行い、SiC基板上の2層グラフェンの抵抗値とおおよそ同じオーダーの抵抗値を観測した。グラファイトを用いて同様の実験を行った結果、SiC基板上のグラフェンと比べて転写率は高いものの様々な層数の薄片が混在し、層数制御は難しいことが確認できた。以上の結果は学位論文(学士)として提出・受理された。

  • 機能性原子層物質における物性・構造の完全解明

    2018年  

     概要を見る

    本研究は、角度分解高電子分光を用いて機能性原子層構造の電子構造の決定と物性の発現メカニズムの解明を目指した実験を行った。超伝導とディラック電子系の関係性に着目し、Pbを蒸着した2層グラフェンを用いて測定した結果、Pbアイランドによる金属的なバンド分散、さらにPb蒸着によってグラフェン特有のディラック型バンド分散がフェルミ準位側にシフトする様子を観測した。またCu/Si(111)を用いた実験では、第2ブリルアンゾーン内において新たに観測したバンドがノーダルライン型バンド分散である可能性が高いと見出した。以上の結果は、以上の成果は学位論文(学士)として提出・受理された。

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現在担当している科目 【 表示 / 非表示

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